Mejoras del hábitat truchero del Río Noguera de Tort (La Vall de Boi, Lleida)

En el articulo se describe las obras realizadas en la cola del embalse de presa hidroelectrica de barrera para mejorar el habitat y obtener un aumento de población de la trucha común. Las obras fueron de dos tipos, una primera consistente en la introducción de grandes piedras para crear refugios a la trucha y la segunda consistió en la abertura de mangas y brazos del río para irrigar lagunas y mejorar las condiciones del agua.

Hydrogenated amorphous silicon deposited by high pressure sputtering for HIT solar cells

Hydrogenated amorphous silicon thin films were deposited using a high pressure sputtering (HPS) system. In this work, we have studied the composition and optical properties of the films (band-gap, absorption coefficient), and their dependence with the deposition parameters. For films deposited at high pressure (1 mbar), composition measurements show a critical dependence of the purity of the films with the RF power. Films manufactured with RF-power above 80W exhibit good properties for future application, similar to the films deposited by CVD (Chemical Vapor Deposition) for hydrogenated amorphous silicon.

Diseño, Implementación y Verificación de un Sensor de Temperatura CMOS de Bajo Coste y Alta Funcionalidad

En este proyecto, se presenta un sensor de temperatura integrado CMOS basado en la medida de una variable secundaria, cuyo valor es dependiente de la temperatura, como es el tiempo de subida que presenta una señal eléctrica en sus flancos de subida. Con el objetivo de reducir coste y potencia consumida, el sensor integrado de temperatura propuesto genera un pulso con un ancho proporcional a la temperatura medida. Este sensor para realizar la medida elimina la necesidad de tener una señal que sirva de referencia. El área ocupada por este modelo de sensor es de 1.8967mm2, siendo éste fabricado en tecnología CMOS de 0.35µm de 4 capas de metal. Gracias a la excelente linealidad que presenta la salida digital del sensor, el error de medida alcanzado es como máximo de ±0.520ºC. La resolución efectiva mostrada en el caso peor es de 0.7ºC, y el consumo de potencia se encuentra por debajo de los 263µW, con una velocidad de realización de medidas que puede llegar a alcanzar las 1.5x10^6 medidas por segundo.

Critical aspects of substrate nanopatterning for the ordered growth of GaN nanocolumns.

Precise and reproducible surface nanopatterning is the key for a successful ordered growth of GaN nanocolumns. In this work, we point out the main technological issues related to the patterning process, mainly surface roughness and cleaning, and mask adhesion to the substrate. We found that each of these factors, process-related, has a dramatic impact on the subsequent selective growth of the columns inside the patterned holes. We compare the performance of e-beam lithography, colloidal lithography, and focused ion beam in the fabrication of hole-patterned masks for ordered columnar growth. These results are applicable to the ordered growth of nanocolumns of different materials.

2D-Tasks for Cognitive Rehabilitation

Neuropsychological Rehabilitation is a complex clinic process which tries to restore or compensate cognitive and behavioral disorders in people suffering from a central nervous system injury. Information and Communication Technologies (ICTs) in Biomedical Engineering play an essential role in this field, allowing improvement and expansion of present rehabilitation programs. This paper presents a set of cognitive rehabilitation 2D-Tasks for patients with Acquired Brain Injury (ABI). These tasks allow a high degree of personalization and individualization in therapies, based on the opportunities offered by new technologies.

Fabrication of GaN nanorods by focused ion beam

Ordered arrays of III-Nitride nanocolumns are excellent candidates for the fabrication of nano-optoelectronic devices. Different technologies such as e-beam lithography or colloidal lithography, have been used to obtain ordered arrays. All these technologies have in common several processing steps that can affect the crystalline growth of the nanocolumns. In this work, we present a single lithographic step that permits to grow ordered GaN nanocolumns with different geometries. The patterning is based in the use of a focusedionbeam with different doses. With this method has been possible to create GaN nanopillars and nanocylinders

E-beam nanopatterning for the selective area growth of III-V nitride nanorods

GaN/InGaN nanorods have attracted much scientific interest during the last decade because of their unique optical and electrical properties [1,2]. The high crystal quality and the absence of extended defects make them ideal candidates for the fabrication of high efficiency opto-electronic devices such as nano-photodetectors, light-emitting diodes, and solar cells [1-3]. Nitrides nanorods are commonly grown in the self-assembled mode by plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE) [4]. However, self-assembled nanorods are characterized by inhomogeneous heights and diameters, which render the device processing very difficult and negatively affect the electronic transport properties of the final device. For this reason, the selective area growth (SAG) mode has been proposed, where the nanorods preferentially grow on pre-defined sites on a pre-patterned substrate [5].

Instalación de suelo radiante y energía solar térmica en una vivienda unifamiliar

El tema sobre el que trata este proyecto es un estudio para la instalación de un suelo radiante y unas placas solares para producir A.C.S. en una vivienda unifamiliar situada en Ciudad Rodrigo, en la provincia de Salamanca. Debido a la nueva normativa del CTE, se debe instalar una forma de energía alternativa en las edificaciones de construcción reciente, eligiendo para este caso específico los paneles solares térmicos. Se va a desarrollar el estudio de las instalaciones del suelo radiante y de los paneles solares., calculando la carga térmica necesaria de la vivienda, la demanda de A.C.S. y la energía necesaria para obtenerla. Además se calculará la energía obtenida por las placas y el ahorro aportado por estas. Se valorarán, los diferentes costes de ambas instalaciones para elaborar un presupuesto aproximado, teniendo en cuenta el coste de los materiales empleados. También, se obtendrá el ahorro obtenido con los paneles solares y el tiempo necesario para amortizar la inversión.

Nueva terminal de pasajeros para el aeropuerto Federico García Lorca, Granada - Jaén

El presente proyecto de construcción define las actuaciones para la ejecución de la Nueva Terminal de pasajeros para el aeropuerto Federico García Lorca, Granada – Jaén, situado entre los términos municipales de Chauchina y Santa Fe, en la provincia de Granada. Estudios realizados por AENA, en colaboración con el Ministerio de Fomento, dejan constancia de los déficits en cuanto a capacidad de las instalaciones del aeropuerto se refiere, en múltiples facetas. En el caso de la terminal de pasajeros, sus principales elementos de servicio han sido sometidos a estudio, revelando claras faltas en numerosos puntos. El más relevante son las carencias en cuanto a capacidad, respecto a la demanda existente, y especialmente la demanda prevista para un cierto horizonte de estudio. Además, las nuevas normativas de aplicación en aeropuertos internacionales publicadas por la International Air Transport Association (IATA) entran en conflicto con ciertos parámetros de diseño de las instalaciones actuales. Se requiere una remodelación del conjunto para adaptarse a estas exigencias de validez internacional.

Sub-bandgap spectral photo-response analysis of Ti supersaturated Si

We have analyzed the increase of the sheet conductance (ΔG□) under spectral illumination in high dose Ti implanted Si samples subsequently processed by pulsed-laser melting. Samples with Ti concentration clearly above the insulator-metal transition limit show a remarkably high ΔG□, even higher than that measured in a silicon reference sample. This increase in the ΔG□ magnitude is contrary to the classic understanding of recombination centers action and supports the lifetime recovery predicted for concentrations of deep levels above the insulator-metal transition.

La construcción de las bóvedas góticas según Rodrigo Gil de Hontañón, arquitecto de la catedral de Segovia

Se ha escrito mucho sobre la construcción gótica. Sin embargo, hay un aspecto que apenas ha recibido atención: los procesos de ejecución de las bóvedas de crucería. La bóveda de crucería es una estructura compleja formada de arranques (enjarjes), trasdosado, nervios, claves y plementería. La forma y disposición de estos elementos varía mucho de un país a otro, de una época a otra e incluso dentro de la obra de un mismo autor. La construcción de una bóveda implicaba una serie de actividades que el maestro debía tener en cuenta durante el proyecto y la ejecución. El proyecto suponía, en primer lugar, decidir la traza (la planta) y la montea (la elevación). Además, era preciso elegir la dimensión de los nervios y de las claves para que estos elementos fueran labrados. Para su puesta en obra se precisaban andamios, cimbras, cerchas y grúas. Finalmente, la estructura de la bóveda y de su sistema de contrarresto debía estar en equilibrio en cada una de las etapas de la construcción, y esto imponía un cierto orden durante la ejecución así como determinaba los momentos para bajar las cimbras. En general, la información que se tiene sobre cada uno de los aspectos mencionados es muy escasa. Las únicas fuentes son los propios edificios y aquellos 108 S. Huerta documentos (tratados, trazas y condiciones) que han llegado hasta nosotros. Incluso disponiendo de fuentes queda el problema de la interpretación. La comprensión del proceso de ejecución implica considerar todos los aspectos antes citados. En general, los distintos autores se han centrado en un aspecto u otro, muchas veces dependiendo de la información disponible. Las bóvedas de la catedral de Segovia, proyectadas y construidas por Rodrigo Gil de Hontañón, constituyen un caso único por la abundancia de la documentación disponible. En el archivo de la catedral se conservan las trazas originales pero, sobre todo, están las condiciones para la ejecución de las capillas de la girola. Por otra parte, ha llegado hasta nosotros una copia del tratado de arquitectura escrito por Rodrigo Gil de Hontañón. En lo que sigue se intentará, utilizando la información citada, realizar una descripción de los procesos de proyecto y ejecución seguidos por Rodrigo Gil. En primer lugar se describirá el contenido del tratado y de las condiciones, tratando los diferentes aspectos a medida que aparecen. En cada apartado, se añadirán comentarios o se discutirá su contenido. Estos comentarios irán en letra más pequeña. Las citas se han reducido al mínimo y las obras citadas se recogen al final con algunos otros trabajos fundamentales que guiarán al lector interesado a la literatura relevante sobre el tema.

E-beam nano-patterning for the ordered growth of GaN/InGaN nanorods

E-beam lithography was used to pattern a titanium mask on a GaN substrate with ordered arrays of nanoholes. This patterned mask served as a template for the subsequent ordered growth of GaN/InGaN nanorods by plasma-assisted molecular beam epitaxy. The mask patterning process was optimized for several holes configurations. The smallest holes were 30 nm in diameter with a pitch (center-to-center distance) of 100 nm only. High quality masks of several geometries were obtained that could be used to grow ordered GaN/InGaN nanorods with full selectivity (growth localized inside the nanoholes only) over areas of hundreds of microns. Although some parasitic InGaN growth occurred between the nanorods during the In incorporation, transmission electron microscopy and photoluminescence measurements demonstrated that these ordered nanorods exhibit high crystal quality and reproducible optical properties.

Fabrication of GaN nanorods by focused ion beam

Ordered arrays of III-Nitride nanocolumns are excellent candidates for the fabrication of nano-optoelectronic devices. Different technologies such as e-beam lithography or colloidal lithography, have been used to obtain ordered arrays. All these technologies have in common several processing steps that can affect the crystalline growth of the nanocolumns. In this work, we present a single lithographic step that permits to grow ordered GaN nanocolumns with different geometries. The patterning is based in the use of a focused ion beam with different doses. With this method has been possible to create GaN nanopillars and nanocylinders.

Construcción de un instrumento de verificación de la calidad de portales y redes de investigación de carácter científico en Internet

Construcción de un instrumento de verificación de la calidad de portales y redes de investigación de carácter científico en Internet

Study of the Electrical Behavior in Intermediate Band-Si Junctions

In this study we analyze the electrical behavior of a junction formed by an ultraheavily Ti implanted Si layer processed by a Pulsed Laser Melting (PLM) and the non implanted Si substrate. This electrical behavior exhibits an electrical decoupling effect in this bilayer that we have associated to an Intermediate Band (IB) formation in the Ti supersaturated Si layer. Time-of-flight secondary ion mass spectrometry (ToFSIMS) measurements show a Ti depth profile with concentrations well above the theoretical limit required to the IB formation. Sheet resistance and Hall mobility measurements in the van der Pauw configuration of these bilayers exhibit a clear dependence with the different measurement currents introduced (1menor queA-1mA). We find that the electrical transport properties measured present an electrical decoupling effect in the bilayer as function of the temperature. The dependence of this effect with the injected current could be explained in terms of an additional current flow in the junction from the substrate to the IB layer and in terms of the voltage dependence in the junction with the measurement current.