Selective area growth of a- and c-plane GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy using colloidal nanolithography

Selective area growth of a-plane GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy was performed for the first time on a-plane GaN templates. Ti masks with 150 nm diameter nanoholes were fabricated by colloidal lithography, an easy, fast and cheap process capable to handle large areas. Even though colloidal lithography does not provide a perfect geometrical arrangement like e-beam lithography, it produces a very homogeneous mask in terms of nanohole diameter and density, and is used here for the first time for the selective area growth of GaN. Selective area growth of a-plane GaN nanocolumns is compared, in terms of anisotropic lateral and vertical growth rates, with GaN nanocolumns grown selectively on the c-plane

High quality InAlN single layers lattice-matched to GaN grown by molecular beam epitaxy

We report on properties of high quality ~60 nm thick InAlN layers nearly in-plane lattice-matched to GaN, grown on c-plane GaN-on-sapphire templates by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Excellent crystalline quality and low surface roughness are confirmed by X-ray diffraction, transmission electron microscopy, and atomic force microscopy. High annular dark field observations reveal a periodic in-plane indium content variation (8 nm period), whereas optical measurements evidence certain residual absorption below the band-gap. The indium fluctuation is estimated to be +/- 1.2% around the nominal 17% indium content via plasmon energy oscillations assessed by electron energy loss spectroscopy with sub-nanometric spatial resolution.

Ordered gan/ingan nanorods arrays grown by molecular beam epitaxy for phosphor-free white light emission

The basics of the self-assembled growth of GaN nanorods on Si(111) are reviewed. Morphology differences and optical properties are compared to those of GaN layers grown directly on Si(111). The effects of the growth temperature on the In incorporation in self-assembled InGaN nanorods grown on Si(111) is described. In addition, the inclusion of InGaN quantum disk structures into selfassembled GaN nanorods show clear confinement effects as a function of the quantum disk thickness. In order to overcome the properties dispersion and the intrinsic inhomogeneous nature of the self-assembled growth, the selective area growth of GaN nanorods on both, c-plane and a-plane GaN on sapphire templates, is addressed, with special emphasis on optical quality and morphology differences. The analysis of the optical emission from a single InGaN quantum disk is shown for both polar and non-polar nanorod orientations

Selective area growth and characterization of InGaN nano-disks implemented in GaN nanocolumns with different top morphologies

This work reports on the morphology control of the selective area growth of GaN-based nanostructures on c-plane GaN templates. By decreasing the substrate temperature, the nanostructures morphology changes from pyramidal islands (no vertical m-planes), to GaN nanocolumns with top semipolar r-planes, and further to GaN nanocolumns with top polar c-planes. When growing InGaN nano-disks embedded into the GaN nanocolumns, the different morphologies mentioned lead to different optical properties, due to the semi-polar and polar nature of the r-planes and c-planes involved. These differences are assessed by photoluminescence measurements at low temperature and correlated to the specific nano-disk geometry.

Self assembled and ordered group III nitride nanocolumnar structures for light emitting applications

El objetivo de este trabajo es un estudio profundo del crecimiento selectivo de nanoestructuras de InGaN por epitaxia de haces moleculares asistido por plasma, concentrandose en el potencial de estas estructuras como bloques constituyentes en LEDs de nueva generación. Varias aproximaciones al problema son discutidas; desde estructuras axiales InGaN/GaN, a estructuras core-shell, o nanoestructuras crecidas en sustratos con orientaciones menos convencionales (semi polar y no polar). La primera sección revisa los aspectos básicos del crecimiento auto-ensamblado de nanocolumnas de GaN en sustratos de Si(111). Su morfología y propiedades ópticas son comparadas con las de capas compactas de GaN sobre Si(111). En el caso de las columnas auto-ensambladas de InGaN sobre Si(111), se presentan resultados sobre el efecto de la temperatura de crecimiento en la incorporación de In. Por último, se discute la inclusión de nanodiscos de InGaN en las nanocolumnas de GaN. La segunda sección revisa los mecanismos básicos del crecimiento ordenado de nanoestructuras basadas en GaN, sobre templates de GaN/zafiro. Aumentando la relación III/V localmente, se observan cambios morfológicos; desde islas piramidales, a nanocolumnas de GaN terminadas en planos semipolares, y finalmente, a nanocolumnas finalizadas en planos c polares. Al crecer nanodiscos de InGaN insertados en las nanocolumnas de GaN, las diferentes morfologias mencionadas dan lugar a diferentes propiedades ópticas de los nanodiscos, debido al diferente carácter (semi polar o polar) de los planos cristalinos involucrados. La tercera sección recoge experimentos acerca de los efectos que la temperatura de crecimiento y la razón In/Ga tienen en la morfología y emisión de nanocolumnas ordenadas de InGaN crecidas sobre templates GaN/zafiro. En el rango de temperaturas entre 650 y 750 C, la incorporacion de In puede modificarse bien por la temperatura de crecimiento, o por la razón In/Ga. Controlar estos factores permite la optimización de la longitud de onda de emisión de las nanocolumnas de InGaN. En el caso particular de la generación de luz blanca, se han seguidos dos aproximaciones. En la primera, se obtiene emisión amarilla-blanca a temperatura ambiente de nanoestructuras donde la región de InGaN consiste en un gradiente de composiciones de In, que se ha obtenido a partir de un gradiente de temperatura durante el crecimiento. En la segunda, el apilamiento de segmentos emitiendo en azul, verde y rojo, consiguiendo la integración monolítica de estas estructuras en cada una de las nanocolumnas individuales, da lugar a emisores ordenados con un amplio espectro de emisión. En esta última aproximación, la forma espectral puede controlarse con la longitud (duración del crecimiento) de cada uno de los segmentos de InGaN. Más adelante, se presenta el crecimiento ordenado, por epitaxia de haces moleculares, de arrays de nanocolumnas que son diodos InGaN/GaN cada una de ellas, emitiendo en azul (441 nm), verde (502 nm) y amarillo (568 nm). La zona activa del dispositivo consiste en una sección de InGaN, de composición constante nominalmente y longitud entre 250 y 500 nm, y libre de defectos extendidos en contraste con capas compactas de InGaN de similares composiciones y espesores. Los espectros de electroluminiscencia muestran un muy pequeño desplazamiento al azul al aumentar la corriente inyectada (desplazamiento casi inexistente en el caso del dispositivo amarillo), y emisiones ligeramente más anchas que en el caso del estado del arte en pozos cuánticos de InGaN. A continuación, se presenta y discute el crecimiento ordenado de nanocolumnas de In(Ga)N/GaN en sustratos de Si(111). Nanocolumnas ordenadas emitiendo desde el ultravioleta (3.2 eV) al infrarrojo (0.78 eV) se crecieron sobre sustratos de Si(111) utilizando una capa compacta (“buffer”) de GaN. La morfología y eficiencia de emisión de las nanocolumnas emitiendo en el rango espectral verde pueden ser mejoradas ajustando las relaciones In/Ga y III/N, y una eficiencia cuántica interna del 30% se deriva de las medidas de fotoluminiscencia en nanocolumnas optimizadas. En la siguiente sección de este trabajo se presenta en detalle el mecanismo tras el crecimiento ordenado de nanocolumnas de InGaN/GaN emitiendo en el verde, y sus propiedades ópticas. Nanocolumnas de InGaN/GaN con secciones largas de InGaN (330-830 nm) se crecieron tanto en sustratos GaN/zafiro como GaN/Si(111). Se encuentra que la morfología y la distribución espacial del In dentro de las nanocolumnas dependen de las relaciones III/N e In/Ga locales en el frente de crecimiento de las nanocolumnas. La dispersión en el contenido de In entre diferentes nanocolumnas dentro de la misma muestra es despreciable, como indica las casi identicas formas espectrales de la catodoluminiscencia de una sola nanocolumna y del conjunto de ellas. Para las nanocolumnas de InGaN/GaN crecidas sobre GaN/Si(111) y emitiendo en el rango espectral verde, la eficiencia cuántica interna aumenta hasta el 30% al disminuir la temperatura de crecimiento y aumentar el nitrógeno activo. Este comportamiento se debe probablemente a la formación de estados altamente localizados, como indica la particular evolución de la energía de fotoluminiscencia con la temperatura (ausencia de “s-shape”) en muestras con una alta eficiencia cuántica interna. Por otro lado, no se ha encontrado la misma dependencia entre condiciones de crecimiento y efiencia cuántica interna en las nanoestructuras InGaN/GaN crecidas en GaN/zafiro, donde la máxima eficiencia encontrada ha sido de 3.7%. Como alternativa a las nanoestructuras axiales de InGaN/GaN, la sección 4 presenta resultados sobre el crecimiento y caracterización de estructuras core-shell de InGaN/GaN, re-crecidas sobre arrays de micropilares de GaN fabricados por ataque de un template GaN/zafiro (aproximación top-down). El crecimiento de InGaN/GaN es conformal, con componentes axiales y radiales en el crecimiento, que dan lugar a la estructuras core-shell con claras facetas hexagonales. El crecimiento radial (shell) se ve confirmado por medidas de catodoluminiscencia con resolución espacial efectuadas en un microscopio electrónico de barrido, asi como por medidas de microscopía de transmisión de electrones. Más adelante, el crecimiento de micro-pilares core-shell de InGaN se realizó en pilares GaN (cores) crecidos selectivamente por epitaxia de metal-orgánicos en fase vapor. Con el crecimiento de InGaN se forman estructuras core-shell con emisión alrededor de 3 eV. Medidas de catodoluminiscencia resuelta espacialmente indican un aumento en el contenido de indio del shell en dirección a la parte superior del pilar, que se manifiesta en un desplazamiento de la emisión de 3.2 eV en la parte inferior, a 3.0 eV en la parte superior del shell. Este desplazamiento está relacionado con variaciones locales de la razón III/V en las facetas laterales. Finalmente, se demuestra la fabricación de una estructura pin basada en estos pilares core-shell. Medidas de electroluminiscencia resuelta espacialmente, realizadas en pilares individuales, confirman que la electroluminiscencia proveniente del shell de InGaN (diodo lateral) está alrededor de 3.0 eV, mientras que la emisión desde la parte superior del pilar (diodo axial) está alrededor de 2.3 eV. Para finalizar, se presentan resultados sobre el crecimiento ordenado de GaN, con y sin inserciones de InGaN, en templates semi polares (GaN(11-22)/zafiro) y no polares (GaN(11-20)/zafiro). Tras el crecimiento ordenado, gran parte de los defectos presentes en los templates originales se ven reducidos, manifestándose en una gran mejora de las propiedades ópticas. En el caso de crecimiento selectivo sobre templates con orientación GaN(11-22), no polar, la formación de nanoestructuras con una particular morfología (baja relación entre crecimiento perpedicular frente a paralelo al plano) permite, a partir de la coalescencia de estas nanoestructuras, la fabricación de pseudo-templates no polares de GaN de alta calidad. ABSTRACT The aim of this work is to gain insight into the selective area growth of InGaN nanostructures by plasma assisted molecular beam epitaxy, focusing on their potential as building blocks for next generation LEDs. Several nanocolumn-based approaches such as standard axial InGaN/GaN structures, InGaN/GaN core-shell structures, or InGaN/GaN nanostructures grown on semi- and non-polar substrates are discussed. The first section reviews the basics of the self-assembled growth of GaN nanocolumns on Si(111). Morphology differences and optical properties are compared to those of GaN layer grown directly on Si(111). The effects of the growth temperature on the In incorporation in self-assembled InGaN nanocolumns grown on Si(111) is described. The second section reviews the basic growth mechanisms of selectively grown GaNbased nanostructures on c-plane GaN/sapphire templates. By increasing the local III/V ratio morphological changes from pyramidal islands, to GaN nanocolumns with top semi-polar planes, and further to GaN nanocolumns with top polar c-planes are observed. When growing InGaN nano-disks embedded into the GaN nanocolumns, the different morphologies mentioned lead to different optical properties, due to the semipolar and polar nature of the crystal planes involved. The third section reports on the effect of the growth temperature and In/Ga ratio on the morphology and light emission characteristics of ordered InGaN nanocolumns grown on c-plane GaN/sapphire templates. Within the growth temperature range of 650 to 750oC the In incorporation can be modified either by the growth temperature, or the In/Ga ratio. Control of these factors allows the optimization of the InGaN nanocolumns light emission wavelength. In order to achieve white light emission two approaches are used. First yellow-white light emission can be obtained at room temperature from nanostructures where the InGaN region is composition-graded by using temperature gradients during growth. In a second approach the stacking of red, green and blue emitting segments was used to achieve the monolithic integration of these structures in one single InGaN nanocolumn leading to ordered broad spectrum emitters. With this approach, the spectral shape can be controlled by changing the thickness of the respective InGaN segments. Furthermore the growth of ordered arrays of InGaN/GaN nanocolumnar light emitting diodes by molecular beam epitaxy, emitting in the blue (441 nm), green (502 nm), and yellow (568 nm) spectral range is reported. The device active region, consisting of a nanocolumnar InGaN section of nominally constant composition and 250 to 500 nm length, is free of extended defects, which is in strong contrast to InGaN layers (planar) of similar composition and thickness. Electroluminescence spectra show a very small blue shift with increasing current, (almost negligible in the yellow device) and line widths slightly broader than those of state-of-the-art InGaN quantum wells. Next the selective area growth of In(Ga)N/GaN nanocolumns on Si(111) substrates is discussed. Ordered In(Ga)N/GaN nanocolumns emitting from ultraviolet (3.2 eV) to infrared (0.78 eV) were then grown on top of GaN-buffered Si substrates. The morphology and the emission efficiency of the In(Ga)N/GaN nanocolumns emitting in the green could be substantially improved by tuning the In/Ga and total III/N ratios, where an estimated internal quantum efficiency of 30 % was derived from photoluminescence data. In the next section, this work presents a study on the selective area growth mechanisms of green-emitting InGaN/GaN nanocolumns and their optical properties. InGaN/GaN nanocolumns with long InGaN sections (330-830nm) were grown on GaN/sapphire and GaN-buffered Si(111). The nanocolumn’s morphology and spatial indium distribution is found to depend on the local group (III)/N and In/Ga ratios at the nanocolumn’s top. A negligible spread of the average indium incorporation among different nanostructures is found as indicated by similar shapes of the cathodoluminescence spectra taken from single nanocolumns and ensembles of nanocolumns. For InGaN/GaN nanocolumns grown on GaN-buffered Si(111), all emitting in the green spectral range, the internal quantum efficiency increases up to 30% when decreasing growth temperature and increasing active nitrogen. This behavior is likely due to the formation of highly localized states, as indicated by the absence of a complete s-shape behavior of the PL peak position with temperature (up to room temperature) in samples with high internal quantum efficiency. On the other hand, no dependence of the internal quantum efficiency on the growth conditions is found for InGaN/GaN nanostructures grown on GaN/sapphire, where the maximum achieved efficiency is 3.7%. As alternative to axial InGaN/GaN nanostructures, section 4 reports on the growth and characterization of InGaN/GaN core-shell structures on an ordered array of top-down patterned GaN microrods etched from a GaN/sapphire template. Growth of InGaN/GaN is conformal, with axial and radial growth components leading to core-shell structures with clear hexagonal facets. The radial InGaN growth (shell) is confirmed by spatially resolved cathodoluminescence performed in a scanning electron microscopy as well as in scanning transmission electron microscopy. Furthermore the growth of InGaN core-shell micro pillars using an ordered array of GaN cores grown by metal organic vapor phase epitaxy as a template is demonstrated. Upon InGaN overgrowth core-shell structures with emission at around 3.0 eV are formed. With spatially resolved cathodoluminescence, an increasing In content towards the pillar top is found to be present in the InGaN shell, as indicated by a shift of CL peak position from 3.2 eV at the shell bottom to 3.0 eV at the shell top. This shift is related to variations of the local III/V ratio at the side facets. Further, the successful fabrication of a core-shell pin diode structure is demonstrated. Spatially resolved electroluminescence measurements performed on individual micro LEDs, confirm emission from the InGaN shell (lateral diode) at around 3.0 eV, as well as from the pillar top facet (axial diode) at around 2.3 eV. Finally, this work reports on the selective area growth of GaN, with and without InGaN insertion, on semi-polar (11-22) and non-polar (11-20) templates. Upon SAG the high defect density present in the GaN templates is strongly reduced as indicated by TEM and a dramatic improvement of the optical properties. In case of SAG on non-polar (11-22) templates the formation of nanostructures with a low aspect ratio took place allowing for the fabrication of high-quality, non-polar GaN pseudo-templates by coalescence of the nanostructures.

One dimensional exciton luminescence induced by extended defects in nonpolar (Al,Ga)N/GaN quantum wells

In this study, we present the optical properties of nonpolar GaN/(Al,Ga)N single quantum wells (QWs) grown on either a- or m-plane GaN templates for Al contents set below 15%. In order to reduce the density of extended defects, the templates have been processed using the epitaxial lateral overgrowth technique. As expected for polarization-free heterostructures, the larger the QW width for a given Al content, the narrower the QW emission line. In structures with an Al content set to 5 or 10%, we also observe emission from excitons bound to the intersection of I1-type basal plane stacking faults (BSFs) with the QW. Similarly to what is seen in bulk material, the temperature dependence of BSF-bound QW exciton luminescence reveals intra-BSF localization. A qualitative model evidences the large spatial extension of the wavefunction of these BSF-bound QW excitons, making them extremely sensitive to potential fluctuations located in and away from BSF. Finally, polarization-dependent measurements show a strong emission anisotropy for BSF-bound QW excitons, which is related to their one-dimensional character and that confirms that the intersection between a BSF and a GaN/(Al,Ga)N QW can be described as a quantum wire.

Full scale test for explosion water barriers in small cross-section galleries

Underground coal mines explosions generally arise from the inflammation of a methane/air mixture. This explosion can also generate a subsequent coal dust explosion. Traditionally such explosions have being fought eliminating one or several of the factors needed by the explosion to take place. Although several preventive measures are taken to prevent explosions, other measures should be considered to reduce the effects or even to extinguish the flame front. Unlike other protection methods that remove one or two of the explosion triangle elements, namely; the ignition source, the oxidizing agent and the fuel, explosion barriers removes all of them: reduces the quantity of coal in suspension, cools the flame front and the steam generated by vaporization removes the oxygen present in the flame. Passive water barriers are autonomous protection systems against explosions that reduce to a satisfactory safety level the effects of methane and/or flammable dust explosions. The barriers are activated by the pressure wave provoked in the explosion destroying the barrier troughs and producing a uniform dispersion of the extinguishing agent throughout the gallery section in quantity enough to extinguish the explosion flame. Full scale tests have been carried out in Polish Barbara experimental mine at GIG Central Mining Institute in order to determine the requirements and the optimal installation conditions of these devices for small sections galleries which are very frequent in the Spanish coal mines. Full scale tests results have been analyzed to understand the explosion timing and development, in order to assess on the use of water barriers in the typical small crosssection Spanish galleries. Several arrangements of water barriers have been designed and tested to verify the effectiveness of the explosion suppression in each case. The results obtained demonstrate the efficiency of the water barriers in stopping the flame front even with smaller amounts of water than those established by the European standard. According to the tests realized, water barriers activation times are between 0.52 s and 0.78 s and the flame propagation speed are between 75 m/s and 80 m/s. The maximum pressures (Pmax) obtained in the full scale tests have varied between 0.2 bar and 1.8 bar. Passive barriers protect effectively against the spread of the flame but cannot be used as a safeguard of the gallery between the ignition source and the first row of water troughs or bags, or even after them, as the pressure could remain high after them even if the flame front has been extinguished.

Modelos de evolución de masas de pinus sylvestris l.

En el capítulo dedicado a la calidad de la estación, como primera etapa se realiza una exhaustiva revisión bibliográfica a partir de la cual se comprueba que los métodos más precisos para determinar esta calidad, en términos generales, son aquellos basados en la relación de la altura con la edad. En base a los datos que se encuentran disponibles y como fruto de esta revisión bibliográfica, se decide probar tres métodos: uno de ellos que estudia la evolución de la altura en función del diámetro (MEYER) y los otros dos en función de la edad (BAILEY y CLUTTER y GARCÍA). Para probar estos métodos, se utilizan datos de parcelas de producción distribuidas en los tres principales sistemas montañosos de España: Ibérico, Central y Pirenaico. El modelo de MEYER implica una clasificación previa de las parcelas en función de su clase de sitio y los ajustes se realizan para cada clase, con lo que se obtienen cuatro curvas polimórficas. La ecuación que describe este modelo es: H = 1.3 + s(1-e-bD) El modelo de BAILEY y CLUTTER genera también un sistema de curvas polimórficas y se genera a partir de la relación entre el 1og de la altura y la inversa de la edad: log H = a + b¡(1/AC) Este método implica una agrupación o estratificación de las parcelas en clases de sitio. Por último, se prueba el modelo de GARCÍA que se basa en una ecuación diferencial estocástica: dHc(t) = b(ac-Hc(t)) + a(t)dw(t) y se prueba la siguiente estructura paramétrica: a b c °"0 o *o H0 global 1 oca 1 g1obal 0.00 global 0.00 0.0 Posteriormente se hace un análisis de los residuos en que se aplica la prueba de Durbin-Watson que detecta la presencia de correlación serial. Se verifica la forma aproximada a un "cometa" en los residuos, lo que es frecuente en series de tiempo cuando la magnitud analizada (en nuestro caso, la altura dominante) se acumula en el tiempo. Esta prueba no es concluyente en el sentido de que no aclara que modelo es el más apropiado. Finalmente, se validan estos modelos utilizando datos de las parcelas de clara. Para esto se utiliza información de arboles tipo sometidos a análisis de tronco. Esta validación permite concluir que el modelo de GARCÍA es el que mejor explica la evolución del crecimiento en altura. En el capítulo dedicado a las distribuciones diamétricas, se pretende modelizar dichas distribuciones a través de variables de estado. Para esto, como primera etapa, se prueban para 45 parcelas y tres inventarios, las siguientes funciones: - Normal - Gamma - Ln de dos parámetros - Ln de tres parámetros - Beta I I - Wei bul 1 Mediante el uso de chi-cuadrado como estimador de la bondad del ajuste, se determina que la función de Weibull es la que mejor responde a la distribución diamétrica de nuestras parcelas. Posteriormente, se comprueba la bondad de dicho ajuste, mediante la prueba de Kolmogorov-Smirnov, el que determina que en el 99X de los casos, el ajuste es aceptable. Luego se procede a la recuperación de 1 os*parámetros de la función de Weibull; a, b y c. En esta etapa se estratifica la información y se realizan análisis de varianza (ANOVA) y pruebas de medias de TUKEY que dan como resultado el que se continúe trabajando por tratamiento y por inventario quedando la diferencia entre sitios absorbida por la altura dominante. Para la recuperación de los parámetros, se utilizan las variables de estado que definen a nuestras parcelas; edad, densidad, altura dominante, diámetro medio cuadrático y área basimétrica. El método seguido es la obtención de ecuaciones de regresión con las variables de estado como independientes para predecir los valores de los parámetros antes mencionados. Las ecuaciones se obtienen utilizando distintas vías (STEPWISE, ENTER y RSQUARE) lo que nos proporciona abundante material para efectuar la selección de éstas. La selección de las mejores ecuaciones se hace en base a dos estadísticos conocidos: - Coeficiente de determinación ajustado: R2 a - Cp de MALLOWS Estos elementos se tratan en forma conjunta considerando, además, que el número de parámetros esté en concordancia con el número de datos. El proceso de selección implica que se obtengan 36 ecuaciones de regresión que posteriormente se validan en dos sentidos. Por una parte, se calcula el valor de cada parámetro según la ecuación que le corresponda y se compara con el valor de los parámetros calculados en el ajuste de Weibull. Lo que se puede deducir de esta etapa es que la distorsión que sufren los parámetros al efectuar ecuaciones de regresión, es relativamente baja y la diferencia se produce debido a errores que se originan al realizar los modelos. Por otra parte, con las parcelas que se encuentren disponibles, se valida el modelo en el sentido de hacer el proceso inverso al anterior, es decir a partir de sus variables de estado, fácilmente medibles, se obtienen los valores de los parámetros que definen a la función de Weibull. Con esto se reconstruye la distribución diamétrica de cada función. Los resultados que se obtienen de esto indican que los ajustes son aceptables a un nivel del 1X en el caso de tres parcelas.

Documentación en Arqueología. Aplicaciones del Núcleo Español de Metadatos

RESUMEN Las aplicaciones de los Sistemas de Información Geográfica (SIG) a la Arqueología, u otra disciplina humanística no son una novedad. La evolución de los mismos hacia sistemas distribuidos e interoperables, y estructuras donde las políticas de uso, compartido y coordinado de los datos sí lo son, estando todos estos aspectos contemplados en la Infraestructura de Datos Espaciales. INSPIRE es el máximo exponente europeo en cuestiones de iniciativa y marco legal en estos aspectos. La metodología arqueológica recopila y genera gran cantidad de datos, y entre los atributos o características intrínsecas están la posición y el tiempo, aspectos que tradicionalmente explotan los SIG. Los datos se catalogan, organizan, mantienen, comparten y publican, y los potenciales consumidores comienzan a tenerlos disponibles. Toda esta información almacenada de forma tradicional en fichas y posteriormente en bases de datos relacionadas alfanuméricas pueden ser considerados «metadatos» en muchos casos por contener información útil para más usuarios en los procesos de descubrimiento, y explotación de los datos. Además estos datos también suelen ir acompañados de información sobre ellos mismos, que describe su especificaciones, calidad, etc. Cotidianamente usamos los metadatos: ficha bibliográfica del libro o especificaciones de un ordenador. Pudiéndose definir como: «información descriptiva sobre el contexto, calidad, condición y características de un recurso, dato u objeto que tiene la finalidad de facilitar su recuperación, identificación,evaluación, preservación y/o interoperabilidad». En España existe una iniciativa para estandarizar la descripción de los metadatos de los conjuntos de datos geoespaciales: Núcleo Español de Metadatos (NEM), los mismos contienen elementos para la descripción de las particularidades de los datos geográficos, que incluye todos los registros obligatorios de la Norma ISO19115 y del estudio de metadatos Dublin Core, tradicionalmente usado en contextos de Biblioteconomía. Conscientes de la necesidad de los metadatos, para optimizar la búsqueda y recuperación de los datos, se pretende formalizar la documentación de los datos arqueológicos a partir de la utilización del NEM, consiguiendo así la interoperabilidad de la información arqueológica. SUMMARY The application of Geographical Information Systems (GIS) to Archaeology and other social sciences is not new. Their evolution towards inter-operating, distributed systems, and structures in which policies for shared and coordinated data use are, and all these aspects are included in the Spatial Data Infrastructure (SDI). INSPIRE is the main European exponent in matters related to initiative and legal frame. Archaeological methodology gathers and creates a great amount of data, and position and time, aspects traditionally exploited by GIS, are among the attributes or intrinsic characteristics. Data are catalogued, organised, maintained, shared and published, and potential consumers begin to have them at their disposal. All this information, traditionally stored as cards and later in relational alphanumeric databases may be considered «metadata» in many cases, as they contain information that is useful for more users in the processes of discovery and exploitation of data. Moreover, this data are often accompanied by information about themselves, describing its especifications, quality, etc. We use metadata very often: in a book’s bibliographical card, or in the description of the characteristics of a computer. They may be defined as «descriptive information regarding the context, quality, condition and characteristics of a resource, data or object with the purpose of facilitating is recuperation, identification, evaluation, preservation and / interoperability.» There is an initiative in Spain to standardise the description of metadata in sets of geo-spatial data: the Núcleo Español de Metadatos (Spanish Metadata Nucleus), which contains elements for the description of the particular characteristics of geographical data, includes all the obligatory registers from the ISO Norm 19115 and from the metadata study Dublin Core, traditionally used in library management. Being aware of the need of metadata, to optimise the search and retrieval of data, the objective is to formalise the documentation of archaeological data from the Núcleo Español de Metadatos (Spanish Metadata Nucleus), thus obtaining the interoperability of the archaeological information.

Surface velocity and mass balance of Livingston Island ice cap, Antarctica

The mass budget of the ice caps surrounding the Antarctica Peninsula and, in particular, the partitioning of its main components are poorly known. Here we approximate frontal ablation (i.e. the sum of mass losses by calving and submarine melt) and surface mass balance of the ice cap of Livingston Island, the second largest island in the South Shetland Islands archipelago, and analyse variations in surface velocity for the period 2007–2011. Velocities are obtained from feature tracking using 25 PALSAR-1 images, and used in conjunction with estimates of glacier ice thicknesses inferred from principles of glacier dynamics and ground-penetrating radar observations to estimate frontal ablation rates by a flux-gate approach. Glacier-wide surface mass-balance rates are approximated from in situ observations on two glaciers of the ice cap. Within the limitations of the large uncertainties mostly due to unknown ice thicknesses at the flux gates, we find that frontal ablation (−509 ± 263 Mt yr−1, equivalent to −0.73 ± 0.38 m w.e. yr−1 over the ice cap area of 697 km2) and surface ablation (−0.73 ± 0.10 m w.e. yr−1) contribute similar shares to total ablation (−1.46 ± 0.39 m w.e. yr−1). Total mass change (δM = −0.67 ± 0.40 m w.e. yr−1) is negative despite a slightly positive surface mass balance (0.06 ± 0.14 m w.e. yr−1). We find large interannual and, for some basins, pronounced seasonal variations in surface velocities at the flux gates, with higher velocities in summer than in winter. Associated variations in frontal ablation (of ~237 Mt yr−1; −0.34 m w.e. yr−1) highlight the importance of taking into account the seasonality in ice velocities when computing frontal ablation with a flux-gate approach.

Kibera Slum

Análisis cartográfico detallado de Kibera en Nairobi. En el documento se analiza desde una escala mas territorial de Nairobi como país hasta la escala de la tipología de vivienda existente. Se analizan los diferentes problemas de habitabilidad en Kibera ( causas y consecuencias) para terminar por dar unas posibles soluciones basándose en la obra de Lelé.

A framework for implementing outsourcing schemes

En esta tesis se aborda el problema de la externalización segura de servicios de datos y computación. El escenario de interés es aquel en el que el usuario posee datos y quiere subcontratar un servidor en la nube (“Cloud”). Además, el usuario puede querer también delegar el cálculo de un subconjunto de sus datos al servidor. Se presentan dos aspectos de seguridad relacionados con este escenario, en concreto, la integridad y la privacidad y se analizan las posibles soluciones a dichas cuestiones, aprovechando herramientas criptográficas avanzadas, como el Autentificador de Mensajes Homomórfico (“Homomorphic Message Authenticators”) y el Cifrado Totalmente Homomórfico (“Fully Homomorphic Encryption”). La contribución de este trabajo es tanto teórica como práctica. Desde el punto de vista de la contribución teórica, se define un nuevo esquema de externalización (en lo siguiente, denominado con su término inglés Outsourcing), usando como punto de partida los artículos de [3] y [12], con el objetivo de realizar un modelo muy genérico y flexible que podría emplearse para representar varios esquemas de ”outsourcing” seguro. Dicho modelo puede utilizarse para representar esquemas de “outsourcing” seguro proporcionando únicamente integridad, únicamente privacidad o, curiosamente, integridad con privacidad. Utilizando este nuevo modelo también se redefine un esquema altamente eficiente, construido en [12] y que se ha denominado Outsourcinglin. Este esquema permite calcular polinomios multivariados de grado 1 sobre el anillo Z2k . Desde el punto de vista de la contribución práctica, se ha construido una infraestructura marco (“Framework”) para aplicar el esquema de “outsourcing”. Seguidamente, se ha testado dicho “Framework” con varias implementaciones, en concreto la implementación del criptosistema Joye-Libert ([18]) y la implementación del esquema propio Outsourcinglin. En el contexto de este trabajo práctico, la tesis también ha dado lugar a algunas contribuciones innovadoras: el diseño y la implementación de un nuevo algoritmo de descifrado para el esquema de cifrado Joye-Libert, en colaboración con Darío Fiore. Presenta un mejor comportamiento frente a los algoritmos propuestos por los autores de [18];la implementación de la función eficiente pseudo-aleatoria de forma amortizada cerrada (“amortized-closed-form efficient pseudorandom function”) de [12]. Esta función no se había implementado con anterioridad y no supone un problema trivial, por lo que este trabajo puede llegar a ser útil en otros contextos. Finalmente se han usado las implementaciones durante varias pruebas para medir tiempos de ejecución de los principales algoritmos.---ABSTRACT---In this thesis we tackle the problem of secure outsourcing of data and computation. The scenario we are interested in is that in which a user owns some data and wants to “outsource” it to a Cloud server. Furthermore, the user may want also to delegate the computation over a subset of its data to the server. We present the security issues related to this scenario, namely integrity and privacy and we analyse some possible solutions to these two issues, exploiting advanced cryptographic tools, such as Homomorphic Message Authenticators and Fully Homomorphic Encryption. Our contribution is both theoretical and practical. Considering our theoretical contribution, using as starting points the articles of [3] and [12], we introduce a new cryptographic primitive, called Outsourcing with the aim of realizing a very generic and flexible model that might be employed to represent several secure outsourcing schemes. Such model can be used to represent secure outsourcing schemes that provide only integrity, only privacy or, interestingly, integrity with privacy. Using our new model we also re-define an highly efficient scheme constructed in [12], that we called Outsourcinglin and that is a scheme for computing multi-variate polynomials of degree 1 over the ring Z2k. Considering our practical contribution, we build a Framework to implement the Outsourcing scheme. Then, we test such Framework to realize several implementations, specifically the implementation of the Joye-Libert cryptosystem ([18]) and the implementation of our Outsourcinglin scheme. In the context of this practical work, the thesis also led to some novel contributions: the design and the implementation, in collaboration with Dario Fiore, of a new decryption algorithm for the Joye-Libert encryption scheme, that performs better than the algorithms proposed by the authors in [18]; the implementation of the amortized-closed-form efficient pseudorandom function of [12]. There was no prior implementation of this function and it represented a non trivial work, which can become useful in other contexts. Finally we test the implementations to execute several experiments for measuring the timing performances of the main algorithms.