Evaluación de la incidencia de enfermedades criptogámicas foliares en cereales de invierno y primavera en España. Periodo 1993-1996.

El trabajo presenta los resultados de evaluar las micosis foliares de los cereales durante tres campañas de cultivo consecutivas: 1993-94; 1994-95 y 1995-96. En la campaña 1993-1994 fueron evaluadas 154 variedades de trigo, triticale y cebada. Durante 1994-1995 se valoraron 145 variedades. En 1995-1996 fueron 161 las prospectadas y se ampliaron las observaciones a 9 cultivares de avena. Las variedades estuvieron cultivadas en ocho toponimias cerealícolas de España. Los resultados pusieron de manifiesto que las enfermedades más importantes fueron: Septoria tritici, Blumeria graminis f.sp.tritici, Puccinia recondita f.sp.tritici y Pyrenophora teres, en trigo blando o harinero(primavera e invierno),trigo duro y triticale. Muy discreta fue la presencia de la roya amarilla (Puccinia striiformis f.sp.tritici). En cebada (primavera y verano), Pyrenophora teres, Rhynchosporium secalis y Blumeria graminis f.sp.hordei fueron las especies fúngicas más importantes. Para las variedades de avena fue Puccinia coronata (roya coronada la enfermedad más frecuente. No pudieron establecerse diferencias entre variedades por su resistencia a alguno de los patógenos encontrados.

Hacia una teoría de la restauración arquitectónica y estudio de los centros históricos

La Tesis, formalmente, es parte de la que consta desde 1.975 en la biblioteca de la Escuela con la signatura 20024. Manteniendo el mismo título, estudia la evolución de la teoría de la restamración y del análisis de los centros históricos a través de la bibliografía publicada en los últimos veinte años y, de algunas actuaciones realizadas en Sevilla durante el mismo período. El resultado está presentado, siguiendo el orden del índice General, en cinco volúmenes: I resumen, II El desarrollo general del tema, III Apéndices, IV bibliografía publicada en los últimos veinte años y, V glosario de términos. Para identificar los orígenes y antecedentes de la teoría de la restauración arquitectónica y de su evolución, el estudio se encuentra desarrollado en cuatro capítulos: Una visión general; La restauración en España en el siglo XX hasta 1.976; Los últimos veinte años 1975 - 1.996 y, El estudio de los centros históricos. En el primero, se perfila el origen, la evolución y el estado actual de la cuestión dentro del ámbito internacional. Al respecto, se destacan las relaciones entre los hechos y las opiniones en Europa y en América. Las consecuencias de la revolución francesa, de la revolución industrial, de la segunda guerra mundial y del movimiento moderno sobre el patrimonio ya construido a través de los cambios en el marco legal; de la opinión de los más destacados profesionales que se han pronimciado sobre el tema, entre otros: Vitet, Viollet le Duc, Ruskin, Morris, Boito, Riegl, Giovannoni, Brandi. Paralelamente, también se hace referencia a la formación del arquitecto y a la participación de otras disciplinas en la restam-ación del patrimonio cultiual construido. En el segundo capítulo, se estudia el proceso de adscripción de los especialistas españoles a las corrientes internacionales de la restauración y la forma como inició la "restauración perceptiva" en los escritos de los "restauradores" que habían asumido el pensamiento de Viollet le Duc, representados por Lampérez y de los "antirrestauradores" que defendían la postura de Ruskin. La tercera vía sugerida por Boito, debido a su distanciamiento razonado de los dos anteriores, no se la encuentra identificada de manera específica en ningún autor español de esta época pero sí a través de la adopción generalizada de la casuística, del "caso por caso". Durante la República, "la elaboración teórica perderá el carácter de debate enconado que había caracterizado el desarrollo de decenios anteriores lo cual, unido a que la escasa diuación del período impide la formación de una tradición teórica, hace que las contribuciones no sean cuantiosas" Posteriormente, cuando el trabajo teórico de Torres Balbás puesto de manifiesto en centenares de artículos y en las obras de la Alhambra, permitía advertir su aporte al enriquecimiento de los principios internacionales de la restauración, sobrevino la guerra civil y con ella el inicio de un largo período de aletargamiento. Él, en 1.931 había asistido a la conferencia de Expertos para la protección realizada en Atenas para presentar su trabajo titulado: "Evolución del criterio respecto a la restauración de monimientos en la España actual". De esa reunión surgió la Carta Internacional que treinta y tres años después, serviría de referente a la Carta de Venecia, el documento de más amplia repercusión en el ámbito de la protección del patrimonio cultural edificado (arquitectura y centros históricos). La continuidad de los congresos de especialistas iniciada a fines del siglo pasado, se interrumpió en la década de los cuarenta. Debido a las consecuencias de la segunda guerra mundial se aprobó la "Convención de La Haya sobre protección de los Bienes Culturales en caso de conflicto armado". A partir de entonces, los moniunentos (la restaiuración) quedarán inmersos en luia nueva concepción, más general y amplia que, después de ser profundizada por Giannini, será adoptada en la Ley del Patrimonio Histórico Español, vigente desde 1.985. Los primeros pronimciamientos del movimiento de la arquitectm-a moderna y después las sendas Cartas de Atenas (1.931, 1.933) habían ubicado a la restaiuación en una situación perfectamente acotada dentro de la cual prolongaban su vida todas las otras corrientes: historicista, ecléctica, nacionalista, neoromántica, etc. En un lado se ubicaron los "modernos" y en el otro los "conservacionistas". Solamente a fines de los años setenta, demostradas las insuficiencias "modernas", ésta reiterativa compartiamentación tratará de ser superada. En el tercer capítulo se estudia detalladamente el aporte bibliográfico al tema y se evidencia la forma cómo, por exceso de doctrina y, coetáneamente, de una escasa teoría, terminada la dictadm-a en España, la situación del patrimonio arquitectónico seguía pareciéndose mucho a aquella descrita por Torres Balbás sesenta años antes: "un tremendo deterioro", debido a la especulación inmobiliaria y a la falta de vma política cultiu-al. El peso del régimen anterior parece haber sido tal que, pocas cosas escaparon a su control. Gracias al ambiente democrático, según la bibliografía revisada, la actitud de los especialistas en "lo nuevo" frente a "lo antiguo" también cambió. La norma, desde entonces ha perdido contundencia pero no su vigencia. Después del agotamiento terminológico al que llegó la restam-ación en los años setenta, Sola Morales introdujo, por primera vez en España ima palabra familiar entre los italianos pero novedosa en castellano: "intervención". A partir de este momento se adoptaron los principios del "restauro crítico" italiano y se provocó el cuestionamiento sobre la rehabilitación. En 1.983, por primera vez en español aparece resiunida y ordenada por Antón Capitel, una "Discusión crítica sobre las Teorías de la Restam^ación arquitectónica". Será parte constitutiva del libro publicado en 1.988 "Metamorfosis de monumentos". Emergía de un período esencialmente confuso pero de reflexión a la que se integraron los arqueólogos, historiadores, críticos, etc, debido particularmente a dos circunstancias: la infrautilización del patrimonio construido en los centros históricos y la consecuente "fiebre restauradora y rehabilitadora". En los últimos veinte años, según 524 registros publicados en España de un total de 799 que constan en el índice onomástico de la bibliografía estudiada, la notable influencia del pensamiento italiano sobre el tema de la tesis, solamente ha servido para matizar la tradición doctrinaria local, incapaz de extraer de su enorme tradición práctica, un componente teórico generador propio. Lo dicho se constata al analizar dos importantes obras ejecutadas en Sevilla durante el período de preparación del Quinto Centenario: la Cartuja y el Palacio de Manara. La primera no ha conseguido evidenciar su objetivo cultural. La restaiu"ación en el Palacio de Manara ha logrado recuperar la distribución tipológica de una importante casa señorial del centro histórico de Sevilla pero, contrariamente a lo que se proclama, tampoco tiene características para convertirse en un modelo a seguir. En el último capítulo se estudia la relación entre la restamación arquitectónica y el centro histórico. Si a éste se lo reconoce como una unidad homogénea, su protección intermediada por la intervención en sus monumentos tendría una apreciable limitación pues, esa arquitectura sin aquella connotación no podría garantizar la protección de todo el "conjunto". De esta circunstancia emerge el planeamiento como el único reciuso técnico capaz de garantizar la protección integral de la arqmtectura. Sin embargo, en España, el planeamiento de protección sigue dependiendo de la filosofía de la Ley del Suelo. No de la de Cultura. Debido a ello, todavía no es posible apreciar una postm-a de lo "antiguo" frente a lo "nuevo" en forma semejante a la conocida actitud de quienes están edificando lo "nuevo" hacia lo "antiguo". Esta es la situación que en el futuro deberá superar la "restauración" arquitectónica y la "protección" en los centros históricos para hacer propicia una reflexión teórica dinámica. Complementariamente, a manera de conclusión, entre otros puntos se ha verificado: En cantidad, en calidad y en diversidad, el contenido de los registros bibliográficos de las dos últimas décadas en España, son superiores a los de épocas anteriores pero, en cuanto a profundidad, las diferencias se hacen imperceptibles. No existe una teoría de la restam-ación tomada como un. conjunto de conocimientos especulativos independientes de su aplicación. Existen algunos componentes dispersos que, desde luego, constituyen un cuerpo doctrinal (en cuanto normativo) con indudables contenidos conceptuales que a la vez podrían constituir los fragmentos sueltos de una posible teoría. El fracaso en la delimitación del ámbito del restam-o y en la construcción de una teoría general sobre la restauración de monumentos en España no quita ni pone importancia a las intervenciones en el patrimonio edilicio con alto valor social agregado realizadas en los últimos veinte años. Eso sí, dificulta identificar una actitud profesional y académica generalizadas frente al patrimonio cultural edificado. No es posible afirmar que las intervenciones de los últimos años estén sometidas a una teoría general o específica ni tampoco decir que hay una "escuela regional" entendida como una tradición de haceres, actitudes o características resultantes commies en las restam-aciones del patrimonio arquitectónico. Obedecen al cumplimiento de la doctrina tradicional que bien podría convertirse en el pragmático empleo de un recurso artificio con connotación ética. En la restauración - a diferencia de la arquitectura de nueva planta- pareciera ser necesario y más fácil identificar la relación entre ética y estética; por lo tanto, habría una especie de obligación social de explicar la razón de ser de las obras tanto como la forma de ejecutarlas. Como conclusión, operativa y parte de ese corpus teórico -que no teoría propiamente dicha- se ha elaborado lui GLOSARIO de términos especializados sobre el tema.

Revisión y desarrollo de modelos de clasificación del corcho en plancha

La calidad de las planchas de corcho, entendida como su aptitud para la fabricación de tapones de corcho natural, determina la clase comercial de las mismas y, por tanto, su valor económico. Esta clasificación, llevada a cabo tradicionalmente en la industria preparadora por el escogedor, depende en gran medida de las anomalías presentes en la plancha. Con el objetivo de conocer qué variables entran en juego en la clasificación y cuál es el peso de cada una de ellas, se han realizado diferentes estudios. García de Ceca (2001) propone modelos de clasificación de piezas de corcho en plancha de 20 cm x 20 cm, elaborados con muestras procedentes de las principales regiones productoras de corcho a nivel global: Portugal, España y Marruecos En el presente estudio se lleva cabo la validación de los modelos propuestos por el citado autor, utilizando ahora piezas procedentes de las principales regiones productoras a nivel nacional (Andalucía, Extremadura y Cataluña), obtenidas en muestreos completamente independientes de los utilizados en la elaboración de los modelos. A la vista de los resultados obtenidos, se proponen medidas para la mejora y actualización de los modelos, atendiendo a criterios tecnológicos, normativos y científicos. Por último, se desarrolla un software para la clasificación de muestras de corcho por gestores y propietarios, al que se añade un breve manual metodológico. Los modelos de García de Ceca (2001) resultan aplicables para las procedencias españolas, obteniendo un 79,66% y un 75,39% de aciertos en la clasificación de piezas, para los modelos 2TC y 2TR respectivamente. Se han incluido modificaciones relativas a la presencia de mancha amarilla, los calibres demasiado delgados para la fabricación de tapones y la superficie ocupada por anomalías, consiguiendo elevar los resultados de acierto al 86,27% y 89,12%. Por último, se ha desarrollado una aplicación en Visual Basic® for Applications sobre Microsoft Excel® que permite la clasificación de corcho por personal no especializado, a partir de la metodología descrita en el manual.

Effect of composition, sonication and pressure on the rate capability of 5 V-LiNi0.5Mn1.5O4 composite cathodes

Positive composite electrodes having LiNi0.5Mn1.5O4 spinel as active material, a blend of graphite and carbon black for increasing the electrode electrical conductivity and either polyvinyldenefluoride (PVDF) or a blend of PVDF with a small amount of Teflon® (1 wt%) for building up the electrode. They have been processed by tape casting on an aluminum foil as current collector using the doctor blade technique. Additionally, the component blends were either sonicated or not, and the processed electrodes were compacted or not under subsequent cold pressing. Composites electrodes with high weight, up to 17 mg/cm2, were prepared and studied as positive electrodes for lithium-ion batteries. The addition of Teflon® and the application of the sonication treatment lead to uniform electrodes that are well-adhered to the aluminum foil. Both parameters contribute to improve the capacity drained at high rates (5C). Additional compaction of the electrode/aluminum assemblies remarkably enhances the electrode rate capabilities. At 5C rate, remarkable capacity retentions between 80% and 90% are found for electrodes with weights in the range 3–17 mg/cm2, having Teflon® in their formulation, prepared after sonication of their component blends and compacted under 2 tonnes/cm2.

Determinación de la calidad interna del kiwi mediante técnicas no destructivas: impacto e imagen hiperspectral.

El kiwi es un fruto con epidermis pilosa de color pardo-verdoso cuyo aspecto externo no sufre cambios significativos a lo largo del proceso de maduración. El objetivo de este trabajo fue evaluar el potencial de distintas técnicas no destructivas para la determinación de la calidad interna de kiwi. Se trabajó con frutos de pulpa verde (Actinidia deliciosa) ?Hayward? y de pulpa amarilla (Actinidia chinensis) ?Hort16A? y tres estados de madurez. Se realizaron determinaciones mecánicas y acústicas con el impactador lateral LPF y el equipo comercial AWETA, ambos para la estimación no destructiva de la firmeza, y se adquirieron imágenes con cámara hiperespectral (rango 400-1000 nm), como herramienta para la estimación global del estado de madurez del fruto. Se encontró que existe una correlación positiva y significativa (0,94? rpearson ?0,97) entre las variables Fuerzamáx. (impactador) y Frecuenciaresonante máx. (AWETA) con la Fuerzamáx registrada en el ensayo de referencia ?compresión con bola? realizado sobre los mismos frutos con una máquina universal de ensayos. Las imágenes hiperespectrales permitieron evidenciar el distinto nivel de madurez de los frutos en evolución y dentro de cada lote e incluso en distintas zonas de un mismo fruto, apreciándose cierto patrón espacial común en la evolución de la madurez dentro de los frutos.

Self assembled and ordered group III nitride nanocolumnar structures for light emitting applications

El objetivo de este trabajo es un estudio profundo del crecimiento selectivo de nanoestructuras de InGaN por epitaxia de haces moleculares asistido por plasma, concentrandose en el potencial de estas estructuras como bloques constituyentes en LEDs de nueva generación. Varias aproximaciones al problema son discutidas; desde estructuras axiales InGaN/GaN, a estructuras core-shell, o nanoestructuras crecidas en sustratos con orientaciones menos convencionales (semi polar y no polar). La primera sección revisa los aspectos básicos del crecimiento auto-ensamblado de nanocolumnas de GaN en sustratos de Si(111). Su morfología y propiedades ópticas son comparadas con las de capas compactas de GaN sobre Si(111). En el caso de las columnas auto-ensambladas de InGaN sobre Si(111), se presentan resultados sobre el efecto de la temperatura de crecimiento en la incorporación de In. Por último, se discute la inclusión de nanodiscos de InGaN en las nanocolumnas de GaN. La segunda sección revisa los mecanismos básicos del crecimiento ordenado de nanoestructuras basadas en GaN, sobre templates de GaN/zafiro. Aumentando la relación III/V localmente, se observan cambios morfológicos; desde islas piramidales, a nanocolumnas de GaN terminadas en planos semipolares, y finalmente, a nanocolumnas finalizadas en planos c polares. Al crecer nanodiscos de InGaN insertados en las nanocolumnas de GaN, las diferentes morfologias mencionadas dan lugar a diferentes propiedades ópticas de los nanodiscos, debido al diferente carácter (semi polar o polar) de los planos cristalinos involucrados. La tercera sección recoge experimentos acerca de los efectos que la temperatura de crecimiento y la razón In/Ga tienen en la morfología y emisión de nanocolumnas ordenadas de InGaN crecidas sobre templates GaN/zafiro. En el rango de temperaturas entre 650 y 750 C, la incorporacion de In puede modificarse bien por la temperatura de crecimiento, o por la razón In/Ga. Controlar estos factores permite la optimización de la longitud de onda de emisión de las nanocolumnas de InGaN. En el caso particular de la generación de luz blanca, se han seguidos dos aproximaciones. En la primera, se obtiene emisión amarilla-blanca a temperatura ambiente de nanoestructuras donde la región de InGaN consiste en un gradiente de composiciones de In, que se ha obtenido a partir de un gradiente de temperatura durante el crecimiento. En la segunda, el apilamiento de segmentos emitiendo en azul, verde y rojo, consiguiendo la integración monolítica de estas estructuras en cada una de las nanocolumnas individuales, da lugar a emisores ordenados con un amplio espectro de emisión. En esta última aproximación, la forma espectral puede controlarse con la longitud (duración del crecimiento) de cada uno de los segmentos de InGaN. Más adelante, se presenta el crecimiento ordenado, por epitaxia de haces moleculares, de arrays de nanocolumnas que son diodos InGaN/GaN cada una de ellas, emitiendo en azul (441 nm), verde (502 nm) y amarillo (568 nm). La zona activa del dispositivo consiste en una sección de InGaN, de composición constante nominalmente y longitud entre 250 y 500 nm, y libre de defectos extendidos en contraste con capas compactas de InGaN de similares composiciones y espesores. Los espectros de electroluminiscencia muestran un muy pequeño desplazamiento al azul al aumentar la corriente inyectada (desplazamiento casi inexistente en el caso del dispositivo amarillo), y emisiones ligeramente más anchas que en el caso del estado del arte en pozos cuánticos de InGaN. A continuación, se presenta y discute el crecimiento ordenado de nanocolumnas de In(Ga)N/GaN en sustratos de Si(111). Nanocolumnas ordenadas emitiendo desde el ultravioleta (3.2 eV) al infrarrojo (0.78 eV) se crecieron sobre sustratos de Si(111) utilizando una capa compacta (“buffer”) de GaN. La morfología y eficiencia de emisión de las nanocolumnas emitiendo en el rango espectral verde pueden ser mejoradas ajustando las relaciones In/Ga y III/N, y una eficiencia cuántica interna del 30% se deriva de las medidas de fotoluminiscencia en nanocolumnas optimizadas. En la siguiente sección de este trabajo se presenta en detalle el mecanismo tras el crecimiento ordenado de nanocolumnas de InGaN/GaN emitiendo en el verde, y sus propiedades ópticas. Nanocolumnas de InGaN/GaN con secciones largas de InGaN (330-830 nm) se crecieron tanto en sustratos GaN/zafiro como GaN/Si(111). Se encuentra que la morfología y la distribución espacial del In dentro de las nanocolumnas dependen de las relaciones III/N e In/Ga locales en el frente de crecimiento de las nanocolumnas. La dispersión en el contenido de In entre diferentes nanocolumnas dentro de la misma muestra es despreciable, como indica las casi identicas formas espectrales de la catodoluminiscencia de una sola nanocolumna y del conjunto de ellas. Para las nanocolumnas de InGaN/GaN crecidas sobre GaN/Si(111) y emitiendo en el rango espectral verde, la eficiencia cuántica interna aumenta hasta el 30% al disminuir la temperatura de crecimiento y aumentar el nitrógeno activo. Este comportamiento se debe probablemente a la formación de estados altamente localizados, como indica la particular evolución de la energía de fotoluminiscencia con la temperatura (ausencia de “s-shape”) en muestras con una alta eficiencia cuántica interna. Por otro lado, no se ha encontrado la misma dependencia entre condiciones de crecimiento y efiencia cuántica interna en las nanoestructuras InGaN/GaN crecidas en GaN/zafiro, donde la máxima eficiencia encontrada ha sido de 3.7%. Como alternativa a las nanoestructuras axiales de InGaN/GaN, la sección 4 presenta resultados sobre el crecimiento y caracterización de estructuras core-shell de InGaN/GaN, re-crecidas sobre arrays de micropilares de GaN fabricados por ataque de un template GaN/zafiro (aproximación top-down). El crecimiento de InGaN/GaN es conformal, con componentes axiales y radiales en el crecimiento, que dan lugar a la estructuras core-shell con claras facetas hexagonales. El crecimiento radial (shell) se ve confirmado por medidas de catodoluminiscencia con resolución espacial efectuadas en un microscopio electrónico de barrido, asi como por medidas de microscopía de transmisión de electrones. Más adelante, el crecimiento de micro-pilares core-shell de InGaN se realizó en pilares GaN (cores) crecidos selectivamente por epitaxia de metal-orgánicos en fase vapor. Con el crecimiento de InGaN se forman estructuras core-shell con emisión alrededor de 3 eV. Medidas de catodoluminiscencia resuelta espacialmente indican un aumento en el contenido de indio del shell en dirección a la parte superior del pilar, que se manifiesta en un desplazamiento de la emisión de 3.2 eV en la parte inferior, a 3.0 eV en la parte superior del shell. Este desplazamiento está relacionado con variaciones locales de la razón III/V en las facetas laterales. Finalmente, se demuestra la fabricación de una estructura pin basada en estos pilares core-shell. Medidas de electroluminiscencia resuelta espacialmente, realizadas en pilares individuales, confirman que la electroluminiscencia proveniente del shell de InGaN (diodo lateral) está alrededor de 3.0 eV, mientras que la emisión desde la parte superior del pilar (diodo axial) está alrededor de 2.3 eV. Para finalizar, se presentan resultados sobre el crecimiento ordenado de GaN, con y sin inserciones de InGaN, en templates semi polares (GaN(11-22)/zafiro) y no polares (GaN(11-20)/zafiro). Tras el crecimiento ordenado, gran parte de los defectos presentes en los templates originales se ven reducidos, manifestándose en una gran mejora de las propiedades ópticas. En el caso de crecimiento selectivo sobre templates con orientación GaN(11-22), no polar, la formación de nanoestructuras con una particular morfología (baja relación entre crecimiento perpedicular frente a paralelo al plano) permite, a partir de la coalescencia de estas nanoestructuras, la fabricación de pseudo-templates no polares de GaN de alta calidad. ABSTRACT The aim of this work is to gain insight into the selective area growth of InGaN nanostructures by plasma assisted molecular beam epitaxy, focusing on their potential as building blocks for next generation LEDs. Several nanocolumn-based approaches such as standard axial InGaN/GaN structures, InGaN/GaN core-shell structures, or InGaN/GaN nanostructures grown on semi- and non-polar substrates are discussed. The first section reviews the basics of the self-assembled growth of GaN nanocolumns on Si(111). Morphology differences and optical properties are compared to those of GaN layer grown directly on Si(111). The effects of the growth temperature on the In incorporation in self-assembled InGaN nanocolumns grown on Si(111) is described. The second section reviews the basic growth mechanisms of selectively grown GaNbased nanostructures on c-plane GaN/sapphire templates. By increasing the local III/V ratio morphological changes from pyramidal islands, to GaN nanocolumns with top semi-polar planes, and further to GaN nanocolumns with top polar c-planes are observed. When growing InGaN nano-disks embedded into the GaN nanocolumns, the different morphologies mentioned lead to different optical properties, due to the semipolar and polar nature of the crystal planes involved. The third section reports on the effect of the growth temperature and In/Ga ratio on the morphology and light emission characteristics of ordered InGaN nanocolumns grown on c-plane GaN/sapphire templates. Within the growth temperature range of 650 to 750oC the In incorporation can be modified either by the growth temperature, or the In/Ga ratio. Control of these factors allows the optimization of the InGaN nanocolumns light emission wavelength. In order to achieve white light emission two approaches are used. First yellow-white light emission can be obtained at room temperature from nanostructures where the InGaN region is composition-graded by using temperature gradients during growth. In a second approach the stacking of red, green and blue emitting segments was used to achieve the monolithic integration of these structures in one single InGaN nanocolumn leading to ordered broad spectrum emitters. With this approach, the spectral shape can be controlled by changing the thickness of the respective InGaN segments. Furthermore the growth of ordered arrays of InGaN/GaN nanocolumnar light emitting diodes by molecular beam epitaxy, emitting in the blue (441 nm), green (502 nm), and yellow (568 nm) spectral range is reported. The device active region, consisting of a nanocolumnar InGaN section of nominally constant composition and 250 to 500 nm length, is free of extended defects, which is in strong contrast to InGaN layers (planar) of similar composition and thickness. Electroluminescence spectra show a very small blue shift with increasing current, (almost negligible in the yellow device) and line widths slightly broader than those of state-of-the-art InGaN quantum wells. Next the selective area growth of In(Ga)N/GaN nanocolumns on Si(111) substrates is discussed. Ordered In(Ga)N/GaN nanocolumns emitting from ultraviolet (3.2 eV) to infrared (0.78 eV) were then grown on top of GaN-buffered Si substrates. The morphology and the emission efficiency of the In(Ga)N/GaN nanocolumns emitting in the green could be substantially improved by tuning the In/Ga and total III/N ratios, where an estimated internal quantum efficiency of 30 % was derived from photoluminescence data. In the next section, this work presents a study on the selective area growth mechanisms of green-emitting InGaN/GaN nanocolumns and their optical properties. InGaN/GaN nanocolumns with long InGaN sections (330-830nm) were grown on GaN/sapphire and GaN-buffered Si(111). The nanocolumn’s morphology and spatial indium distribution is found to depend on the local group (III)/N and In/Ga ratios at the nanocolumn’s top. A negligible spread of the average indium incorporation among different nanostructures is found as indicated by similar shapes of the cathodoluminescence spectra taken from single nanocolumns and ensembles of nanocolumns. For InGaN/GaN nanocolumns grown on GaN-buffered Si(111), all emitting in the green spectral range, the internal quantum efficiency increases up to 30% when decreasing growth temperature and increasing active nitrogen. This behavior is likely due to the formation of highly localized states, as indicated by the absence of a complete s-shape behavior of the PL peak position with temperature (up to room temperature) in samples with high internal quantum efficiency. On the other hand, no dependence of the internal quantum efficiency on the growth conditions is found for InGaN/GaN nanostructures grown on GaN/sapphire, where the maximum achieved efficiency is 3.7%. As alternative to axial InGaN/GaN nanostructures, section 4 reports on the growth and characterization of InGaN/GaN core-shell structures on an ordered array of top-down patterned GaN microrods etched from a GaN/sapphire template. Growth of InGaN/GaN is conformal, with axial and radial growth components leading to core-shell structures with clear hexagonal facets. The radial InGaN growth (shell) is confirmed by spatially resolved cathodoluminescence performed in a scanning electron microscopy as well as in scanning transmission electron microscopy. Furthermore the growth of InGaN core-shell micro pillars using an ordered array of GaN cores grown by metal organic vapor phase epitaxy as a template is demonstrated. Upon InGaN overgrowth core-shell structures with emission at around 3.0 eV are formed. With spatially resolved cathodoluminescence, an increasing In content towards the pillar top is found to be present in the InGaN shell, as indicated by a shift of CL peak position from 3.2 eV at the shell bottom to 3.0 eV at the shell top. This shift is related to variations of the local III/V ratio at the side facets. Further, the successful fabrication of a core-shell pin diode structure is demonstrated. Spatially resolved electroluminescence measurements performed on individual micro LEDs, confirm emission from the InGaN shell (lateral diode) at around 3.0 eV, as well as from the pillar top facet (axial diode) at around 2.3 eV. Finally, this work reports on the selective area growth of GaN, with and without InGaN insertion, on semi-polar (11-22) and non-polar (11-20) templates. Upon SAG the high defect density present in the GaN templates is strongly reduced as indicated by TEM and a dramatic improvement of the optical properties. In case of SAG on non-polar (11-22) templates the formation of nanostructures with a low aspect ratio took place allowing for the fabrication of high-quality, non-polar GaN pseudo-templates by coalescence of the nanostructures.

Caracterización y mejora de equipo para hipertermia magnética

El presente Trabajo de Fin de Grado es fruto de la colaboración en una investigación sobre la hipertermia magnética entre el Centro de Electrónica Industrial de la ETSII UPM (CEI) y el Centro de Tecnología Biomédica UPM (CTB). La hipertermia magnética es un tratamiento contra el cáncer que se encuentra en fase de desarrollo en distintos lugares alrededor del mundo. Se trata de una terapia que consiste en elevar la temperatura de las células cancerígenas hasta valores de entre 42 y 46ºC con el fin de destruirlas. Esto es posible pues por lo general, las células cancerígenas presentan una mayor sensibilidad ante efectos de hipertermia que el resto de células, por lo que una vez alcanzada la temperatura deseada se destruirían las células anómalas y las sanas quedarían intactas. Si se induce al paciente fiebre hasta los 39 ºC, tan sólo sería necesario alcanzar incrementos de temperatura de 3 o 4ºC para que el tratamiento tuviera éxito. El calentamiento se produce gracias al movimiento de nanopartículas magnéticas (NPMs) situadas en dichas células mediante técnicas médicas ya estudiadas. A su vez este movimiento se da gracias a la aplicación de un campo magnético sobre las NPMs. El equipo electrónico del que se dispone en esta investigación y que genera el campo magnético, está constituido esencialmente por un inversor de potencia en puente completo con carga inductiva, una placa de control y una fuente de tensión continua. A lo largo de este trabajo se abordarán y estudiarán varias cuestiones en línea con la continuidad de la investigación en este tratamiento y en aspectos de la misma como el estudio del equipo disponible y su mejora. En primer lugar se lleva a cabo un estudio de caracterización térmica del equipo del que se dispone, con el objetivo de conocer los parámetros de los que depende su funcionamiento y que permitirán verificar y dar consistencia a los resultados de los posteriores ensayos que con él se harán. Así mismo se realiza una fase de ensayos con el objetivo de optimizar el equipo, determinando cuales son los parámetros más relevantes y los valores de los mismos, que llevan al equipo a su máximo rendimiento en términos de incrementos de temperatura de las NPMs y por tanto hacia el éxito de la terapia. Tras la caracterización y optimización del equipo de hipertermia, se diseña una nueva fase de ensayos que tiene como fin la comparación de los resultados experimentales con el modelo físico teórico de calentamiento de las NPMs. Además se busca la comprobación de ciertas hipótesis extraídas de los mismos resultados experimentales, como la influencia de la forma de onda de la señal excitadora en el incremento de temperatura. Finalmente y con el fin de mejorar el rendimiento del equipo, se elabora un conjunto de posibles geometrías para la carga inductiva que incluya un núcleo de hierro, pues hasta el momento la bobina de la que se disponía tenía núcleo de aire. Se simulan las nuevas geometrías de la bobina con núcleo de hierro y se estudia cómo influyen los cambios en el campo magnético. Los avances en la investigación llevados a cabo en este Trabajo de Fin de Grado han permitido dar un paso más en el rendimiento, la fiabilidad de resultados y la mejora del equipo de hipertermia magnética, abriendo las puertas a ensayos in vitro y posteriormente in vivo para una terapia que podría estar más cerca de dar tratamiento eficaz a una de las enfermedades más implacables de nuestro tiempo.