Self-assembled MgxZn1−xO quantum dots (0 ≤ x ≤ 1) on different substrates using spray pyrolysis methodology

By using the spray pyrolysis methodology in its classical configuration we have grown self-assembled MgxZn1−xO quantum dots (size [similar]4–6 nm) in the overall range of compositions 0 ≤ x ≤ 1 on c-sapphire, Si (100) and quartz substrates. Composition of the quantum dots was determined by means of transmission electron microscopy-energy dispersive X-ray analysis (TEM-EDAX) and X-ray photoelectron spectroscopy. Selected area electron diffraction reveals the growth of single phase hexagonal MgxZn1−xO quantum dots with composition 0 ≤ x ≤ 0.32 by using a nominal concentration of Mg in the range 0 to 45%. Onset of Mg concentration about 50% (nominal) forces the hexagonal lattice to undergo a phase transition from hexagonal to a cubic structure which resulted in the growth of hexagonal and cubic phases of MgxZn1−xO in the intermediate range of Mg concentrations 50 to 85% (0.39 ≤ x ≤ 0.77), whereas higher nominal concentration of Mg ≥ 90% (0.81 ≤ x ≤ 1) leads to the growth of single phase cubic MgxZn1−xO quantum dots. High resolution transmission electron microscopy and fast Fourier transform confirm the results and show clearly distinguishable hexagonal and cubic crystal structures of the respective quantum dots. A difference of 0.24 eV was detected between the core levels (Zn 2p and Mg 1s) measured in quantum dots with hexagonal and cubic structures by X-ray photoemission. The shift of these core levels can be explained in the frame of the different coordination of cations in the hexagonal and cubic configurations. Finally, the optical absorption measurements performed on single phase hexagonal MgxZn1−xO QDs exhibited a clear shift in optical energy gap on increasing the Mg concentration from 0 to 40%, which is explained as an effect of substitution of Zn2+ by Mg2+ in the ZnO lattice.

Top-Hat HELLISH-VCSOA for optical amplification and wavelength conversion for 0.85 to 1.3ìm operation

The Top-Hat hot electron light emission and lasing in semiconductor heterostructure (HELLISH)-vertical cavity semiconductor optical amplifier (VCSOA) is a modified version of a HELLISH-VCSOA device. It has a shorter p-channel and longer n-channel. The device studied in this work consists of a simple GaAs p-i-n junction, containing 11 Ga0.35In0.65 N0.02As0.08/GaAs multiple quantum wells in its intrinsic region; the active region is enclosed between six pairs of GaAs/AlAs top distributed Bragg reflector (DBR) mirrors and 20.5 pairs of AlAs/GaAs bottom DBR mirrors. The operation of the device is based on longitudinal current transport parallel to the layers of the GaAs p-n junction. The device is characterised through I-V-L and by spectral photoluminescence, electroluminescence and electro-photoluminescence measurements. An amplification of about 25 dB is observed at applied voltages of around V = 88 V.

Autocontradicción en el conjunto de las funciones de [0,1]^[0,1] normales y convexas

Las propiedades N-autocontradicción y autocontradicción, han sido suficientemente estudiadas en los conjuntos borrosos ordinarios y en los conjuntos borrosos intuicionistas de Atanassov. En el presente artículo se inicia el estudio de las mencionadas propiedades, dentro del marco de los conjuntos borrosos de tipo 2 cuyos grados de pertenencia son funciones normales y convexas (L). En este sentido, aquí se extienden los conceptos de N-autocontradicción y autocontradicción al conjunto L, y se establecen algunos criterios para verificar tales propiedades.

Nomenclátor Geográfico Básico de España v.1.0

El Nomenclátor Geográfico Básico de España (NGBE) es un proyecto desarrollado por el Registro Central de Cartografía (RCC) del Instituto Geográfico Nacional (IGN) en cumplimiento con lo establecido en el Real Decreto 1545/2007, de 23 de noviembre, por el cual se regula el Sistema Cartográfico Nacional. La formación de la primera versión del Nomenclátor Geográfico Básico de España se ha realizado en el período comprendido entre los años 2010 y 2012 y ha consistido en la depuración de los nombres geográficos procedentes de la cartografía del Instituto Geográfico Nacional a escala 1:25.000 a través de una metodología generada en el marco de este proyecto y estructurando el resultado en función del modelo de nomenclátor de INSPIRE (D2.8.I.3 INSPIRE Data Specification on Geographical Names-Guidelines).

Curso para manejo del software SAP2000 Advanced versión 15.1.0 : Modelización de Edificios. Parte 1. Generación de modelos estructurales simples.

Documentación entregada a los alumnos del Master en Estructuras de los Edificios y su rehabilitación impartido en EUATM, en relación a la introducción del programa SAP2000 de análisis estructural. PARTE 1.

Curso para manejo del software SAP2000 Advanced versión 15.1.0 : Modelización de Edificios. Parte 2.

Documentación entregada a los alumnos del Master en Estructuras de los Edificios y su rehabilitación, en relación a las clases de introducción del manejo del programa de estructuras SAP2000.

CorkClass 1.0: Aplicación informática para la clasificación del corcho

El documento es una aplicación informática, programada en Visual Basic® para Microsoft Excel®, y contiene un programa denominado CorkClass 1.0. Es un software de clasificación de corcho en plancha por calidades a partir de su calibre – grosor – y de las anomalías o singularidades apreciables en su sección transversal. CorkClass 1.0 trabaja con dos clases de calidad: corcho taponable y refugo. A partir de la valoración de las variables obtenida por el usuario, la aplicación decide a qué clase pertenece la pieza. Esta clasificación se realiza en base a dos modelos. Cuando disponemos de medida del coeficiente de porosidad (mediante métodos de análisis de imagen), podemos clasificar en base al modelo completo (2TC) o al reducido (2TR), aunque los resultados generales se mostrarán tomando la clasificación del modelo completo para cada pieza. En caso de no disponer de medida del coeficiente de porosidad, la clasificación se realizará únicamente en base al modelo reducido (2TR), cuya clasificación para cada pieza será tomada para el cálculo de los resultados generales . El programa ha sido desarrollado por la UPM y el INIA-CIFOR y validado para muestras procedentes tanto de las distintas regiones de España como del resto de regiones de procedencia del alcornoque (Quercus suber L.), por lo que su ámbito de aplicación es universal.

UML 1.4 versus UML 2.0 as Languages to Describe Software Architectures.

ML 1.4 is widely accepted as the standard for representing the various software artifacts generated by a development process. For this reason, there have been attempts to use this language to represent the software architec- ture of systems as well. Unfortunately, these attempts have ended in representa- tions (boxes and lines) already criticized by the software architecture commu- nity. Recently, OMG has published a draft that will constitute the future UML 2.0 specification. In this paper we compare the capacities of UML 1.4 and UML 2.0 to describe software architectures. In particular, we study extensions of both UML versions to describe the static view of the C3 architectural style (a simplification of the C2 style). One of the results of this study is the difficulties found when using the UML 2.0 metamodel to describe the concept of connector in a software architecture.

Silicon micromachined waveguide components at 0.75 to 1.1 THz

Silicon micromachined waveguide components operating in the WM-250 (WR-1) waveguide band (0.75 to 1.1 THz) are measured. Through lines are used to characterize the waveguide loss with and without an oxide etch to reduce the surface roughness. A sidewall roughness of 100nm is achieved, enabling a waveguide loss of 0.2dB/mm. A 1THz band-pass filter is also measured to characterize the precision of fabrication process. A 1.8% shift in frequency is observed and can be accounted for by the 0.5deg etch angle and 2um expansion of the features by the oxide etch. The measured filter has a 13% 3dB bandwidth and 2.5dB insertion loss through the passband.