Characterization of the manufacturing processes to grow triple-junction solar cells

A number of important but little-investigated problems connected with III-V/Ge heterostructure in the GaInP/GaInAs/Ge multijunction solar cells grown by MOVPE are considered in the paper. The opportunity for successfully applying the combination of reflectance and reflectance anisotropy spectroscopy in situ methods for investigating III-V structure growth on a Ge substrate has been demonstrated. Photovoltaic properties of the III-V/Ge narrow-band subcell of the triple-junction solar cells have been investigated. It has been shown that there are excess currents in the Ge photovoltaic p-n junctions, and they have the tunneling or thermotunneling character. The values of the diode parameters for these current flow mechanisms have been determined. The potential barrier at the III-V/Ge interface was determined and the origin of this barrier formation during MOVPE heterogrowth was suggested.

Preliminary temperature accelerated life test (ALT) on lattice mismatched triple-junction concentrator solar cells-on-carriers

A temperature accelerated life test on concentrator lattice mismatched Ga0.37In0.63P/Ga0.83In0.17As/Ge triple-junction solar cells-on-carrier is being carried out. The solar cells have been tested at three different temperatures: 125, 145 and 165°C and the nominal photo-current condition (500X) is emulated by injecting current in darkness. The final objective of these tests is to evaluate the reliability, warranty period, and failure mechanism of these solar cells in a moderate period of time. Up to now only the test at 165°C has finished. Therefore, we cannot provide complete reliability information, but we have carried out preliminary data and failure analysis with the current results.

Analysis of perimeter recombination in the subcells of GaInP/GaAs/Ge triple-junction solar cells

This paper studies the recombination at the perimeter in the subcells that constitute a GaInP/GaAs/Ge lattice-matched triple-junction solar cell. For that, diodes of different sizes and consequently different perimeter/area ratios have been manufactured in single-junction solar cells resembling the subcells in a triple-junction solar cell. It has been found that neither in GaInP nor in Ge solar cells the recombination at the perimeter is significant in devices as small as 500 μm × 500μm(2.5 ⋅ 10 − 3 cm2) in GaInP and 250μm  × 250μm (6.25 ⋅ 10 − 4cm2) in Ge. However, in GaAs, the recombination at the perimeter is not negligible at low voltages even in devices as large as 1cm2, and it is the main limiting recombination factor in the open circuit voltage even at high concentrations in solar cells of 250 μm  × 250μm (6.25 ⋅ 10 − 4 cm2) or smaller. Therefore, the recombination at the perimeter in GaAs should be taken into account when optimizing triple-junction solar cells.

Análisis cinemático de algunos aspectos técnicos del triple salto

Las circunstancias me han decidido a realizar este trabajo, que tiene su origen en motivaciones personales. Así, por haber hecho la especialidad de atletismo y la gran afición que a ella tengo, más el enorme interés que tengo por la biomecánica, vino a mi mente la posibilidad de hacer la tesina sobre biomecánica de atletismo. Con este simple planteamiento concreté a quien orienta este trabajo. Después vino la revisión bibliográfica y las posibilidades en cada especialidad atlética. Quería analizar la técnica de algún movimiento en algunas de las especialidades atléticas, luego la técnica debía de ser determinante del resultado. Haciendo matizaciones sobre esto con el director de tesina determinamos que tenía que ser algún movimiento rápido. Empezó la eliminación de las especialidades, unas por estar ya estudiadas, otras por ser poco determinantes de la técnica, etc. Así hasta quedarme con la especialidad de t riple salto. No obstante en una de las clases de maestría de atletismo que dirige el profesor D. Carlos Álvarez del Villar, el triple salto había sido objeto de discusión biomecánica e hizo que me decidiera definitivamente a realizar el presente trabajo. Había diferentes formas de ejecutar el salto triple y con todas ellas se conseguían buenos resultados. Sobre el tema tenía material para trabajar y por la poca información bibliográfica que había sobre ello me daba la impresión de que era una mina sin explotar. Ahora y cuando el trabajo ya está terminado tengo la impresión de que estoy empezando a aprender la inmensa área que comprende la biomecánica y que el trabajo realizado no es más que la aportación de unos datos para, a partir de ahí. seguir trabajando. Es muy posible que continúe en este campo para futuras investigaciones, ya que como he dicho goza de grandes atractivos para mi. Antes de dar paso a la exposición del trabajo, quiero agradecer la gran ayuda prestada por todos los colaboradores, y muy especialmente al profesor D. Fernando Vizcaíno, quienes con su ánimo, ayuda y orientaciones en los momentos difíciles del trabajo, ha sido posible la culminación del mismo. Agradezco igualmente la colaboración especial de la Real Federación Española de Atletismo, sin cuya ayuda no hubiera siclo posible la realización de las películas.