光刻机系统中193nm薄膜的研究进展
Data(s) |
2006
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Resumo |
193nm的ArF准分子激光光刻可将特征线宽推进到0.10μm。重点介绍了193nm薄膜的研究进展及影响薄膜性能的主要因素,并对具体的研究方向进行了总结。 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
尚淑珍;易葵;邵建达;范正修.光刻机系统中193nm薄膜的研究进展,激光与光电子学进展,2006,43(1):11-14 |
Palavras-Chave | #光学薄膜 #光刻 #193nm #光学薄膜 #准分子激光光刻 #光刻机系 |
Tipo |
期刊论文 |