光刻机系统中193nm薄膜的研究进展


Autoria(s): 尚淑珍; 易葵; 邵建达; 范正修
Data(s)

2006

Resumo

193nm的ArF准分子激光光刻可将特征线宽推进到0.10μm。重点介绍了193nm薄膜的研究进展及影响薄膜性能的主要因素,并对具体的研究方向进行了总结。

Identificador

http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/4430

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/12792

Idioma(s)

中文

Fonte

尚淑珍;易葵;邵建达;范正修.光刻机系统中193nm薄膜的研究进展,激光与光电子学进展,2006,43(1):11-14

Palavras-Chave #光学薄膜 #光刻 #193nm #光学薄膜 #准分子激光光刻 #光刻机系
Tipo

期刊论文