γ-LiAlO_2晶体的生长及掺镓研究
| Data(s) |
2005
|
|---|---|
| Resumo |
由于与GaN晶格失配小(约1．4％)，γ-LiAlO2单晶有望成为GaN外延衬底材料。本文首先使用提拉法生长出了尺寸达φ45×50mm^3的γ-LiAlO2单晶，然后采用Ga2O3作为掺杂剂，仍用提拉法生长出了三种不同掺镓浓度的LiAl1-xGaxO2(x=0．1，0．2，0．3)晶体，并用X射线粉末衍射(XRPD)分别对晶体及坩锅中剩余的熔体的成份进行了表征。结果表明LiAl1-xGaxO2(x=0，0．1，0．2，0．3)晶体归属于γ-LiAlO2结晶结构，Ga^3+离子部分地取代Al^3+离子，发生 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
彭观良;庄漪;邹军;王银珍;刘世良;周国清;周圣明;徐军;干福熹.γ-LiAlO_2晶体的生长及掺镓研究,人工晶体学报,2005,34(3):399-402 |
| Palavras-Chave | #光学材料;晶体 #晶体生长 #提拉法 #γ-LiAlO2 #LiAl1-x #GaxO2 #掺质 |
| Tipo |
期刊论文 |
