γ-LiAlO_2晶体的生长及掺镓研究

由于与GaN晶格失配小(约1．4％)，γ-LiAlO2单晶有望成为GaN外延衬底材料。本文首先使用提拉法生长出了尺寸达φ45×50mm^3的γ-LiAlO2单晶，然后采用Ga2O3作为掺杂剂，仍用提拉法生长出了三种不同掺镓浓度的LiAl1-xGaxO2(x=0．1，0．2，0．3)晶体，并用X射线粉末衍射(XRPD)分别对晶体及坩锅中剩余的熔体的成份进行了表征。结果表明LiAl1-xGaxO2(x=0，0．1，0．2，0．3)晶体归属于γ-LiAlO2结晶结构，Ga^3+离子部分地取代Al^3+离子，发生