Teores de silício no solo e na planta de arroz de terras altas com diferentes doses de adubação silicatada e nitrogenada

O Si não é elemento essencial para o crescimento e desenvolvimento das plantas, porém sua absorção pode trazer inúmeros benefícios para culturas acumuladoras de Si, como o arroz. Entretanto, considerando o avançado grau de intemperização em que se encontram os solos tropicais, os teores de Si disponível nestes solos são baixos. O objetivo deste trabalho foi avaliar, na cultura do arroz de terras altas sob condições de túnel plástico, o efeito de doses de Si e de N na produção de matéria seca, na produtividade de grãos, no teor de N, nos teores de Si no solo e na planta e na quantidade de Si extraído do solo. Os tratamentos foram constituídos por três doses de N (5, 75 e 150 mg kg-1 de N), tendo como fonte a uréia e quatro doses de Si (0, 200, 400 e 600 mg kg-1 de SiO2) tendo como fonte o silicato de cálcio (Wollastonita). O delineamento experimental utilizado foi inteiramente casualizado com esquema fatorial 3 x 4, com cinco repetições. O acúmulo de matéria seca, a produtividade de grãos e os teores de N na planta não foram influenciados pelas doses de Si. O incremento da adubação nitrogenada aumentou a produção de matéria seca, a produtividade de grãos e o teor de N na planta, porém nenhum efeito foi encontrado para os teores de Si no solo. Houve interação N x Si para os teores de Si na planta e para a quantidade de Si acumulado pelas plantas.

Seed germination and seedling development of white oat affected by silicon and phosphorus fertilization

Os fertilizantes silicatados tem sido cada vez mais usados na agricultura devido a inúmeros benefícios, tais como correção da acidez de solos tropicais e efeitos positivos no desenvolvimento de gramíneas. A disponibilidade de nutrientes e a nutrição de plantas desempenham papel importante na produção de sementes e podem influenciar a qualidade fisiológica de sementes de aveia-branca (Avena sativa L.). Avaliou-se a germinação de sementes e o desenvolvimento de plântulas de aveia-branca em função da adubação com silício e fósforo. O delineamento experimental foi inteiramente casualizado, em esquema fatorial 2 x 4, com seis repetições. Os tratamentos consistiram de 20 e 200 mg dm-3 de P2O5, aplicados na forma de superfosfato triplo, combinados com 0, 150, 300 e 450 mg dm-3 de Si na forma de silicato de potássio. O experimento foi realizado em casa de vegetação, conduzindo-se sete plantas por vaso, com capacidade para 15 L de terra. As panículas foram colhidas e debulhadas manualmente e, as sementes, armazenadas em sacos de papel em condições normais de ambiente. As sementes foram avaliadas quanto ao teor de água, massa de sementes, germinação, condutividade elétrica, comprimento e massa da matéria seca de plântulas. Sementes de aveia-branca com qualidade superior são produzidas com 20 mg dm-3 de P2O5, independente da dose de Si. Sementes com maior germinação e vigor são obtidas com 300 e 450 mg dm-3 de K2SiO3, respectivamente. Os comprimentos da raiz e total das plântulas foram inferiores nas doses de Si até 300 kg ha-1, porém a dose de fósforo somente afetou o desenvolvimento das plântulas de maneira distinta quando aplicada junto com a maior dose de silício.

Aplicação de silício em arroz de terras altas irrigado por aspersão

The use of chemical elements considered as beneficial to crops has become common among farmers. The silicon case is interesting, since despite not being essential physiologically for rice crop, it demonstrates that through its absorption it promotes benefits. Therefore, this experiment aimed to evaluate the effect of doses of SiO(2) (0, 150, 300, 450, 600, 750 and 900 kg ha(-1)) at seed sowing time, in two upland rice cultivars (IAC 201 and IAC 202), under sprinkler irrigation, during the agricultural years of 2002/03 and 2003/04 in Selviria, Mato Grosso do Sul State, Brazil. The cultivar IAC 202 can present higher yield than IAC 201, with similar industrial quality and lower laying index. Silicon applications were not sufficient to reduce laying index of IAC 201. In general, silicon application does not interfere in grain productivity and industrial yield of the cultivars used.

Produtividade e qualidade industrial do arroz de terras altas em função da disponibilidade hídrica e adubação

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Rice grown in nutrient solution with doses of manganese and silicon

Although silicon is not recognized as a nutrient, it may benefit rice plants and may alleviate the Mn toxicity in some plant species. The dry matter yield (root, leaf, sheaths and leaf blade) and plant architecture (angle of leaf insertion and leaf arc) were evaluated in rice plants grown in nutrient solutions with three Mn doses, with and without Si addition. The treatments were arranged in a 2 x 3 factorial [with and without (2 mmol L-1) Si; three Mn doses (0.5; 2.5 and 10 µmol L-1)], in a randomized block design with 4 replications. The experimental unit was a 4 L plastic vase with 4 rice (Metica-1 cultivar) plants. Thirty nine days after keeping the seedlings in the nutrient solution the plant dry matter yield was determined; the angle of leaf insertion in the sheath and the leaf arc were measured; and the Si and Mn concentrations in roots, sheaths and leaves were determined. The analysis of variance (F test at 5 and 1 % levels) and the regression analysis (for testing plant response to Mn with the Si treatments) were performed. The Si added to the nutrient solution increased the dry matter yield of roots, sheaths and leaf blades and also decreased the angle of leaf blade insertion into the sheath and the foliar arc in the rice plant. Additionally, it ameliorated the rice plant architecture which allowed an increase in the dry matter yield. Similarly, the addition of Mn to the solution improved the architecture of the rice plants with gain in dry matter yield. As Si was added to the nutrient solution, the concentration of Mn in leaves decreased and in roots increased thus alleviating the toxic effects of Mn on the plants.

Nutrition in bean plants and anthracnose intensity in function of silicon and copper application.

Nutrition in bean plants and anthracnose intensity in function of silicon and copper application. The objective of this work was to evaluate the effect of calcium silicate and copper sulfate on anthracnose intensity and nutrition of bean plants. The experiment was conducted using an experimental design in randomized blocks following a 4 x 4 factorial arrangement , (four levels of calcium silicate and four levels of copper sulfate) and two additional treatments (plants without inoculation and plants sprinkled with Benomyl). Four evaluations of the incidence and severity of anthracnose were done, in addition to measuring, total leaf area. At the end of the evaluations, incidence: and data were integrated over time, obtaining the area under disease progress curve (AUDPC). Contents of N, P, K, Ca, Mg, B, Cu, Fe, Mn, Zn, Si and lignin were determined in the aerial Part. A linear decrease of the intensity AUDPC was observed with the increase of the doses of calcium silicate. The severity AUDPC was influenced by the doses of copper, obtaining a reduction of 35% on the higher dosage. The supply of silicon and copper altered the content of the K, mg, S, Zn, Ca and Si in the aerial part of the bean plants.

Vacancy and interstitial depth profiles in ion-implanted silicon

An experimental method of studying shifts between concentration-versus-depth profiles of vacancy- and interstitial-type defects in ion-implanted silicon is demonstrated. The concept is based on deep level transient spectroscopy measurements utilizing the filling pulse variation technique. The vacancy profile, represented by the vacancy¿oxygen center, and the interstitial profile, represented by the interstitial carbon¿substitutional carbon pair, are obtained at the same sample temperature by varying the duration of the filling pulse. The effect of the capture in the Debye tail has been extensively studied and taken into account. Thus, the two profiles can be recorded with a high relative depth resolution. Using low doses, point defects have been introduced in lightly doped float zone n-type silicon by implantation with 6.8 MeV boron ions and 680 keV and 1.3 MeV protons at room temperature. The effect of the angle of ion incidence has also been investigated. For all implantation conditions the peak of the interstitial profile is displaced towards larger depths compared to that of the vacancy profile. The amplitude of this displacement increases as the width of the initial point defect distribution increases. This behavior is explained by a simple model where the preferential forward momentum of recoiling silicon atoms and the highly efficient direct recombination of primary point defects are taken into account.

Spectroscopic characterization of phases formed by high-dose carbon ion implantation in silicon

High-dose carbon-ion-implanted Si samples have been analyzed by infrared spectroscopy, Raman scattering, and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) correlated with transmission electron microscopy. Samples were implanted at room temperature and 500°C with doses between 1017 and 1018 C+/cm2. Some of the samples were implanted at room temperature with the surface covered by a capping oxide layer. Implanting at room temperature leads to the formation of a surface carbon-rich amorphous layer, in addition to the buried implanted layer. The dependence of this layer on the capping oxide suggests this layer to be determined by carbon migration toward the surface, rather than surface contamination. Implanting at 500°C, no carbon-rich surface layer is observed and the SiC buried layer is formed by crystalline ßSiC precipitates aligned with the Si matrix. The concentration of SiC in this region as measured by XPS is higher than for the room-temperature implantation.

Avaliação de doses e produtos corretores da acidez em variáveis biométricas na produção de mudas de maracujazeiro

A utilização de produtos corretores da acidez do solo e a crescente busca por novos insumos agrícolas são de suma importância para uma agricultura sustentável e ecologicamente viável. O presente trabalho foi conduzido no viveiro de mudas do Setor de Fruticultura da Universidade Federal de Lavras (UFLA), Lavras, Estado de Minas Gerais. O delineamento experimental utilizado foi blocos casualizados em esquema fatorial 3 x 4, sendo três produtos, quatro doses e três repetições, as doses foram calculadas de modo que se atingisse a saturação estabelecida, de acordo com a concentração de cada produto. As doses foram: zero, metade, completa e o dobro da dose recomendada. A incubação foi realizada para o silício e calcário, e o Lithothamnium, pela liberação rápida, foi apenas incorporado ao solo. As características avaliadas foram: crescimento da parte aérea (mm), tamanho do sistema radicular (mm), número de folhas, matéria seca da parte aérea (mg), matéria seca da raiz (mg) e matéria seca total (mg). Os três produtos em questão proporcionaram mudas de qualidade, sendo a dose de 1,4 vezes a recomendada, a melhor para formação de mudas de maracujazeiro.

Nitrogen and silicon fertilization of upland rice

O silício não é considerado um elemento essencial para o crescimento e desenvolvimento das plantas, entretanto, sua absorção traz inúmeros benefícios, principalmente ao arroz, como aumento da espessura da parede celular, conferindo resistência mecânica a penetração de fungos, melhora o ângulo de abertura das folhas tornando-as mais eretas, diminuindo o auto-sombreamento e aumentando a resistência ao acamamento, especialmente sob altas doses de nitrogênio. O presente trabalho teve por objetivo avaliar os efeitos da adubação nitrogenada e silicatada nos componentes vegetativos, nos componentes da produção, na altura da planta e na produtividade da cultivar de arroz IAC 202. O experimento foi constituído da combinação de três doses de nitrogênio (5, 75 e 150 mg de N kg-1 de solo) aplicado na forma de uréia e quatro doses de silício (0, 200, 400 e 600 mg de SiO2 kg-1 de solo), aplicado na forma de silicato de cálcio. O delineamento experimental utilizado foi o inteiramente casualizado em esquema fatorial 3 ´ 4 (N = 5). A adubação nitrogenada aumentou o número de colmos e panículas por metro quadrado e o número total de espiguetas, refletindo na produtividade de grãos. O perfilhamento excessivo causado pela adubação nitrogenada inadequada causou redução na porcentagem de colmos férteis, na fertilidade das espiguetas e da massa de grãos. A adubação silicatada reduziu o número de espiguetas chochas por panícula e aumentou a massa de grãos sem, contudo, refletir na produtividade de grãos.

Persistência de palhada de plantas de cobertura em função de doses de silício e resposta do feijoeiro em sucessão

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Resposta de plantas de cobertura a doses de silício e estresse hídrico

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Resposta de cultivares de milho ao alumínio sob doses de silício em solução nutritiva

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Armazenamento refrigerado e processamento mínimo de alface americana cultivada em hidroponia com diferentes doses de silício

Pós-graduação em Agronomia (Produção Vegetal) - FCAV

SILICON IN ROW AND NITROGEN IN TOPDRESSING FERTILIZATION ON RICE UNDER DRY LAND AND SPRINKLER IRRIGATION CONDITIONS

The objective of this work was to evaluate the effects of silicon application adjusted with nitrogen fertilization via top-dressing on grain productivity, the silicon contents of the soil, in the plant tissue and nitrogen contents in dry and irrigated conditions. The experimental outlining was from designed blocks with subdivided parcels and four repetitions. The treatments consisted of culture system (dry and irrigated) and the under parcels by the combination of silicon (0 and 100 kg ha(-1)), in magnesium and calcium silicate form (with 23% of SiO2), and four doses of N (urea) via top-dressing (0, 30, 60 and 90 kg ha(-1)). Silicon application at sowing furrow was a viable technique because it provided significant increase in the content of this element in the root growth of rice. The application of silicon in the sowing furrow did not change the content of the element nor the nitrogen nutrition in rice plants. The nitrogen application reduced the silicon content and increased nitrogen nutrition in rice plants. Silicon application at sowing furrow provided no increase in rice grain yield. When there was no water limitation to nitrogen fertilization enhanced linearly on rice grain yield, whereas under water stress the effect of nitrogen fertilization was limited.