Allerliebste Ungeheuer. Das deutsche komische Singspiel 1760-1790

Das Singspiel stelle eine heute fast ausgerottete musiktheatralische Gattung dar. Einzig Mozarts deutschsprachige Bühnenwerke haben sich auf der Opernbühne erhalten. Eine Rekonstruktion der Präsenz des Singspiels im 18. Jahrhundert offenbart dessen Unentbehrlichkeit im Gefüge des deutschsprachigen Theaters und seine enorme dramaturgische Dynamik. Dieser Popularität steht eine immerwährende ästhetische Ablehnung gegenüber, die sich sowohl auf die musikalische Substanz, als auch auf deren fast ausschliessliche Zugehörigekeit zum komischen Fach bezieht.

Dumm! Ungeheuer dumm! Das Motto des seeligen Ministerium Camphausen: Oder Nante als Volksredner: Nante. Meine Herren, Freunde und Brüder! Ohne viel Umstände zu machen ...

Welsch (Projektbearbeiter): Kritische Kommentierung der Politik des Ministeriums Camphausen (29. März bis 20. Juni 1848) in Form einer Ansprache des Eckenstehers Nante (der Titelfigur einer 1832 uraufgeführten Berliner Lokalposse von Friedrich Beckmann) an das Volk: Das Ministerium hat vor der Aufgabe, sich zum Organ der Volksgewalt zu entwickeln, schmählich versagt. Im Gegenteil hat es sich von der Reaktion "an der Nase herum führen" lassen

Logogryphen-Ungeheuer, oder Vierhundert Räthsel in Einem : Ein Zeitvertreib

von J. F. Castelli

Auflösungen zu dem Logogryphen-Ungeheuer, oder Vierhundert Räthsel in Einem

von J. F. Castelli

Jewish Americans 1982

Manuscript: "Jewish Americans, A Film Treatment". Treatment for a documentary film exploring how Jewish Americans see themselves, and their enormous contributions to and achievements in the USA.

Abbildung deß in Irrland von Lemmerich, gefangnen und von Ihro Königlichen Majest. von Groß-Britannien Wilhelm, den 20. Septemb. Anno 1690 nach Londen gebrachten Menschen-Fressers

Enth.: Relation von unterschiedlichen denckwürdigen Wunder-Begebenheiten : vorgestellt in einem traurigen Buß- und Warnungs-Lied

Abbildung, Eines erschrecklichen Meer-Wunders : So am Ende des 1661. Jahrs in Holland zwischen Schevelingen und Catwick auff-See gefangen worden

Bibliogr. Nachweis: Faust: Zoolog. Einblattdrucke .̤ I,13

Abbildung Eines erschrecklichen Meer-Wunders : So am Ende des 1661. Jahrs in Holland zwischen Schevelingen und Catwick auff-See gefangen worden

Bibliogr. Nachweis: Faust: Zoolog. Einblattdrucke .̤ I,12

DIE WIRTSHAFTLICHE ENTWICKLUNG DER LUXEMBURGISCHEN EISENINDUSTRIE VON 1879 BIS ZUR GEGENWART

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Wendunmuth: Komodianten- und spitzbubengeschichten.

Die Uhr.--Coralinens Erbschaft.--Der Strick über der Rolle.--Das spitzenbesetzte Wäschestück.--Der Smaragd.--Die Schnupftabaksdose.--Der Strumpf.--Der Fund.--Der neue Anzug.--Die Repetieruhr.--Die verdoppelten Skudi.--Das Stelldichein.--Das Festmahl.--Der Seelenfrieden.--Das Bett.--Der Tod der Waschfrau.--Der moralische Eindruck.--Der Silberschatz.--Das versiegelte Kästchen.--Der Hecht.

Droplet etching of deep nanoholes for filling with self-aligned complex quantum structures

Strain-free epitaxial quantum dots (QDs) are fabricated by a combination of Al local droplet etching (LDE) of nanoholes in AlGaAs surfaces and subsequent hole filling with GaAs. The whole process is performed in a conventional molecular beam epitaxy (MBE) chamber. Autocorrelation measurements establish single-photon emission from LDE QDs with a very small correlation function g (2)(0)≃ 0.01 of the exciton emission. Here, we focus on the influence of the initial hole depth on the QD optical properties with the goal to create deep holes suited for filling with more complex nanostructures like quantum dot molecules (QDM). The depth of droplet etched nanoholes is controlled by the droplet material coverage and the process temperature, where a higher coverage or temperature yields deeper holes. The requirements of high quantum dot uniformity and narrow luminescence linewidth, which are often found in applications, set limits to the process temperature. At high temperatures, the hole depths become inhomogeneous and the linewidth rapidly increases beyond 640 °C. With the present process technique, we identify an upper limit of 40-nm hole depth if the linewidth has to remain below 100 μeV. Furthermore, we study the exciton fine-structure splitting which is increased from 4.6 μeV in 15-nm-deep to 7.9 μeV in 35-nm-deep holes. As an example for the functionalization of deep nanoholes, self-aligned vertically stacked GaAs QD pairs are fabricated by filling of holes with 35 nm depth. Exciton peaks from stacked dots show linewidths below 100 μeV which is close to that from single QDs.