Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio.

Esse trabalho de mestrado teve como estudo o transistor Túnel-FET (TFET) fabricado em estrutura de nanofio de silício. Este estudo foi feito de forma teórica (simulação numérica) e experimental. Foram estudadas as principais características digitais e analógicas do dispositivo e seu potencial para uso em circuitos integrados avançados para a próxima década. A análise foi feita através da extração experimental e estudo dos principais parâmetros do dispositivo, tais como inclinação de sublimiar, transcondutância (gm), condutância de saída (gd), ganho intrínseco de tensão (AV) e eficiência do transistor. As medidas experimentais foram comparadas com os resultados obtidos pela simulação. Através do uso de diferentes parâmetros de ajuste e modelos de simulação, justificou-se o comportamento do dispositivo observado experimentalmente. Durante a execução deste trabalho estudou-se a influência da escolha do material de fonte no desempenho do dispositivo, bem como o impacto do diâmetro do nanofio nos principais parâmetros analógicos do transistor. Os dispositivos compostos por fonte de SiGe apresentaram valores maiores de gm e gd do que aqueles compostos por fonte de silício. A diferença percentual entre os valores de transcondutância para os diferentes materiais de fonte variou de 43% a 96%, sendo dependente do método utilizado para comparação, e a diferença percentual entre os valores de condutância de saída variou de 38% a 91%. Observou-se também uma degradação no valor de AV com a redução do diâmetro do nanofio. O ganho calculado a partir das medidas experimentais para o dispositivo com diâmetro de 50 nm é aproximadamente 45% menor do que o correspondente ao diâmetro de 110 nm. Adicionalmente estudou-se o impacto do diâmetro considerando diferentes polarizações de porta (VG) e concluiu-se que os TFETs apresentam melhor desempenho para baixos valores de VG (houve uma redução de aproximadamente 88% no valor de AV com o aumento da tensão de porta de 1,25 V para 1,9 V). A sobreposição entre porta e fonte e o perfil de dopantes na junção de tunelamento também foram analisados a fim de compreender qual combinação dessas características resultariam em um melhor desempenho do dispositivo. Observou-se que os melhores resultados estavam associados a um alinhamento entre o eletrodo de porta e a junção entre fonte e canal e a um perfil abrupto de dopantes na junção. Por fim comparou-se a tecnologia MOS com o TFET, obtendo-se como resultado um maior valor de AV (maior do que 40 dB) para o TFET.

Recristalización de bandas de aluminio procedentes de colada continua, laminadas en frío

Este artículo revisa la bibliografía existente sobre los problemas que la banda de colada continua, laminada en frío, presenta en su recristalización. Se examinan los impedimentos que presenta la precipitación de elementos de aleación o impurezas, previa o simultánea a la recristalización, para la nucleación de la recristalización y por tanto para ésta. Se explica el uso de las curvas TTT (Temperatura, Tiempo, Transformación) para la determinación de temperatura y velocidad de calentamiento críticas para llegar a la recristalización sin pasar por la zona de precipitación. Se explica también la obtención de curvas CTT (Concentración, Tiempo, Transformación) y "diagramas de tamaño de grano" para aleaciones Al-Mn en función de la velocidad de calentamiento y contenido de manganeso en solución sólida.

Bandas de sopro – um diálogo transcultural

Brass bands are among the most widespread instrumental ensembles in the world, yet there has been little academic interest in them. This is because they stand in a space between art and authenticity, as their repertoires are thought to lack artistic merit while their military legacies have disconnected them from the ‘authentic’ music of ‘the people’. This paper aims to show how it is precisely this intermediary position which has attracted the attention of some (ethno)musicologists, and a growing number of studies demonstrate the analytic potential of this musical universe in a wide range of contexts across the globe.

As bandas como marcas que constroem os novos mitos: o caso dos The Doors

Dissertação apresentada à Escola Superior de Comunicação Social para obtenção de grau de mestre em Publicidade e Marketing.

As Bandas de Música no distrito de Lisboa entre a Regeneração e a República (1850-1910): História, organologia, repertórios e práticas interpretativas.

Tese de Doutoramento em Ciências Musicais na especialidade de Ciências Musicais Históricas

Factores de riesgo y consumo de drogas en bandas juveniles

Tesis (Maestría en Ciencias de Enfermería con Enfasis en Salud Comunitaria) UANL

Análisis del comportamiento de las señales en bandas arriba de 10 Ghz en las comunicaciones satelitales

Tesis (Maestría en Ciencias de la Ingeniería Eléctrica con Especialidad en Electrónica) U.A.N.L. Facultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica, 1999.

El practicum, una mirada a tres bandes. 'El prácticum, una mirada a tres bandas'.

Se expone la vivencia en el proceso de prácticas de tres personas implicadas en el mismo: una estudiante de prácticas, un maestro de primaria y la tutora de la facultad de dicha estudiante. A partir del análisis de las tres experiencias se pretende estudiar la relación entre el prácticum y la formación de maestros innovadores.

Bandes fora!. '¡Bandas fuera!'.

Resumen basado en el de la publicación

Els avis i els nens parlem de... : converses, emocions i aprenentatges a dues bandes. 'Los abuelos y los niños hablamos de... : conversaciones, emociones y aprendizajes a dos bandas'.

Resumen basado en el de la publicación

Les bandes de música : funció social, musical i pedagògica. 'Las bandas de música : función social, musical y pedagógica'.

Resumen de la revista

De las academias de las bandas a las escuelas de m??sica

Resumen en ingl??s

Del fantasma de las bandas a la realidad de los j??venes

Resumen tomado de la publicaci??n

Estilo musical : bandas sonoras de Walt Disney.

Suplemento Música y más música, n. 4