Proprietà optoelettroniche di film nanoporosi ottenuti per impiantazione ionica.

In questo elaborato vengono studiate le proprietà optoelettroniche di film sottili di germanio nanoporosi ottenuti per impiantazione ionica. Viene trattata la tecnica sperimentale della Surface Photovoltage Spectroscopy nella configurazione Metal-Insulator-Semiconductor. Viene osservato che la presenza di struttura nanoporosa provoca due effetti: il primo è l’innalzamento del bandgap energetico dovuta al confinamento quantistico degli elettroni all’interno dei pori; il secondo è l’incremento del segnale SPV per quei film in cui è maggiore il rapporto tra superficie e volume.

Proprietà ottiche di film sottili di germanio nanoporoso

In questa tesi viene presa in esame una classe di materiali semiconduttori caratterizzata dalla presenza di una struttura nanoporosa in superficie. L’analisi è stata svolta tramite surface photovoltage spectroscopy (SPS) su cinque film di Ge realizzati in condizioni diverse, sfruttando due tecniche di impiantazione ionica (MBE e Sputtering). Valutando il valore in energia e l’ampiezza del picco della curva SPV che si ottiene, sarà possibile studiare come vengono modificate alcune proprietà elettriche e strutturali del Ge al variare della geometria e della disposizione dei nanopori. I risultati ottenuti mettono in risalto le potenzialità di questo nuovo tipo di materiale per realizzare e migliorare applicazioni come sensori, catalizzatori e pannelli fotovoltaici.

Morphological and structural studies of sPS/aPS blends

The morphology and structure of the syndiotactic polystyrene (sPS)/atactic polystyrene (aPS) blends with various compositions have been studied by means of DSC, optical microscopy, SAXS, and WAXD. The results show that aPS is miscible with amorphous region of sPS. There is no macroscopic evidence that aPS forms separated domains in the blends. The decrease in crystallinity of sPS in the blends implies segregation of the aPS to the interfibrillar regions of the spherulites of sPS. The constancy of interlamellar distance and melting points indicates that the fibrillar structural units of sPS is unchanged on addition of aPS to sPS, and the unchanging parameters of the sPS unit cells mean that aPS does not enter the unit cells of sPS.

Avaliação de cultivares de soja transgênica (BRS-RR) em sistema precoce de semeadura (SPS).

2007

Syntheses, x-ray structures, photochemistry, redox properties, and DFT calculations of interconvertible fac- and mer-[Mn(SPS)(CO)3] isomers containing a flexible SPS-based pincer ligand

The lithium salt of the anionic SPS pincer ligand composed of a central hypervalent lambda(4)-phosphinine ring bearing two ortho-positioned diphenylphosphine sulfide side arms reacts with [Mn(CO)(5)Br] to give fac-[Mn(SPS)(CO)(3)], This isomer can be converted photochemicaily to mer-[Mn(SPS)(CO)(3)], with a very high quantum yield (0.80 +/- 0.05). The thermal backreaction is slow (taking ca. 8 h at room temperature), in contrast to rapid electrodecatalyzed mer-to-fac isomerization triggered by electrochemical reduction of mer-[Mn(SPS)(CO)(3)]. Both geometric isomers of [Mn(SPS)(CO)(3)] have been characterized by X-ray crystallography. Both isomers show luminescence from a low-lying (IL)-I-3 (SPS-based) excited state. The light emission of fac-[Mn(SPS)(CO)(3)] is largely quenched by the efficient photoisomerization occurring probably from a low-lying Mn-CO dissociative excited state. Density functional theory (DFT) and time-dependent DFT calculations describe the highest occupied molecular orbital (HOMO) and lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of fac- and mer-[Mn(CO)(3)(SPS)] as ligand-centered orbitals, largely localized on the phosphinine ring of the SPS pincer ligand. In line with the ligand nature of its frontier orbitals, fac-[Mn(SPS)(CO)(3)] is electrochemically reversibly oxidized and reduced to the corresponding radical cation and anion, respectively. The spectroscopic (electron paramagnetic resonance, IR, and UV-vis) characterization of the radical species provides other evidence for the localization of the redox steps on the SIPS ligand. The smaller HOMO-LUMO energy difference in the case of mer-[Mn(CO)(3)(SPS)], reflected in the electronic absorption and emission spectra, corresponds with its lower oxidation potential compared to that of the fac isomer. The thermodynamic instability of mer-[Mn(CO)(3)(SPS)], confirmed by the DFT calculations, increases upon one-electron reduction and oxidation of the complex.

Caracterización computacional de un detector de germanio hiperpuro de rango extendido (HPGe- XtRa) con simulación Montecarlo y optimización con un algoritmo evolutivo

Máster Universitario en Sistemas Inteligentes y Aplicaciones Numéricas en Ingeniería (SIANI)

Proprieta elettriche e ottiche di film di ge impiantati con sn.

In questo lavoro di tesi vengono studiate le proprietà ottiche ed elettriche di film sottili di germanio, impiantati con ioni stagno. I campioni, realizzati tramite tecnica CVD (\emph{Chemical Vapor Deposition}), sono stati realizzati in condizioni operative differenti, il che ha permesso di ottenere materiali con proprietà strutturali e fisiche diverse. Si è posta particolare attenzione alla presenza di strutture nanoporose, presenti in alcuni di questi campioni, che possono dar vita ad effetti di confinamento quantico, associato ad uno spostamento dell'energy gap rispetto al materiale bulk. Le analisi sono state effettuate sia tramite misure SPV (\emph{Surface Photovoltage}), che hanno permesso di indagare le proprietà ottiche, sia tramite tecnica IV (\emph{corrente-tensione}), volta ad evidenziare le proprietà elettriche dei diversi campioni. I risultati ottenuti sono, infine, stati confrontati con un campione di riferimento di film di germanio non impiantato, mettendone in luce le differenze strutturali e fisiche. Lo studio di questo materiale, oltre ad avere un'importanza di carattere fondamentale, è di interesse anche per le possibili ricadute applicative. Infatti, i materiali nanoporosi possono essere impiegati in vari campi, come ad esempio nell'elettronica, nello sviluppo di pannelli fotovoltaici e nella purificazione di gas e liquidi.

Spettroscopia di fototensione superficiale: Principi e applicazioni a materiali semiconduttori

Nel capitolo 1 si riassumono le proprietà fisiche della superficie dei semiconduttori e sono descritti i principi teorici dell' effetto di fototensione superficiale (SPV) con particolare attenzione sullo studio della SPV in film sottili semiconduttori. Nel capitolo 2 si presenta la strumentazione sperimentale per l'analisidella fototensione superficiale fornendo alcuni esempi di set-up generici e più particolari. Infine nel capitolo 3 si descrivono alcune applicazioni della spettroscopia di fototensione superficiale (SPS).