Estudi teòric de nanotubs de nitrur de bor d'interès biomèdic

La integració dels materials biocompatibles en la nanotecnologia ha permès aquesta àrea tenir aplicacions en els camps de la biologia i la medicina, un fet que ha donat lloc a l'aparició de la nanobiotecnologia. La gran majoria d'aquestes aplicacions es basen en un aspecte fonamental: la interacció que es dóna entre els constituents biològics (normalment proteïnes) i els materials biocompatibles. Els nanotubs de carboni presenten una citotoxicitat inherent, mentre que els de nitrur de bor (BNNTs), isòsters amb els de carboni, són inherentment no-citotòxics i mostren una afinitat natural per les proteïnes. En aquesta memòria es presenten els resultats obtinguts de la interacció de BNNTs amb constituents bàsics biomoleculars (molècules que representen grups funcionals i aminoàcids) en absència de solvent mitjançant tècniques de modelatge i càlculs químic-quàntics amb tractament periòdic realitzats amb el codi CRYSTAL09. En primer lloc, s'ha trobat que els mètodes DFT basats en el GGA donen valors de band gap excessivament baixos (2.7 - 4.6 eV) comparat amb el valor experimental (5.5 eV), mentre que el funcional híbrid B3LYP dóna bons valors de band gap, el més acurat essent un BNNT amb índex (9,0), (5.4 eV). S'ha determinat que la interacció de BNNTs amb molècules pot venir guiat per: i) interaccions datives amb el B; ii) enllaç d'H amb el N; iii) interaccions pi-stacking. Les dues primeres forces d'interacció es veuen afavorides en BNNTs de radi petit, els quals interaccionen molt favorablement amb molècules polars, mentre que les terceres es veuen afavorides en BNNTs de radi gran, els quals interaccionen molt favorablement amb sistemes aromàtics o que continguin dobles enllaços. S'ha estudiat la interacció de BNNTs(6,0) amb molècules que contenen grups funcionals presents en residus aminoàcids i s'ha establert una escala d'afinitats relativa, la qual indica que tenen la major interacció aquelles molècules que estableixen interaccions datives B(nanotub)-N(molècula), seguit d’aquelles molècules que poden establir interaccions de tipus pi-stacking, i acabant amb aquelles molècules que estableixen interaccions datives B(nanotub)-O(molècula). Per últim s'ha estudiat la interacció de BNNTs amb diferents aminoàcids (glicina, lisina, àcid glutàmic i fenilalanina) i s'ha establert una escala d'afinitats relativa, la qual està d'acord amb les tendències observades per les molècules que contenen grups funcionals de residus aminoàcids.

Microstructure of highly oriented, hexagonal, boron nitride thin films grown on crystalline silicon by radio frequency plasma-assisted chemical vapor deposition

We present a high‐resolution electron microscopy study of the microstructure of boron nitride thin films grown on silicon (100) by radio‐frequency plasma‐assisted chemical vapor deposition using B2H6 (1% in H2) and NH3 gases. Well‐adhered boron nitride films grown on the grounded electrode show a highly oriented hexagonal structure with the c‐axis parallel to the substrate surface throughout the film, without any interfacial amorphous layer. We ascribed this textured growth to an etching effect of atomic hydrogen present in the gas discharge. In contrast, films grown on the powered electrode, with compressive stress induced by ion bombardment, show a multilayered structure as observed by other authors, composed of an amorphous layer, a hexagonal layer with the c‐axis parallel to the substrate surface and another layer oriented at random

Plasma-enhanced chemical vapor deposition of boron nitride thin films from B2H6-H2-NH3 and B2H6-N2 gas mixtures

Highly transparent and stoichiometric boron nitride (BN) films were deposited on both electrodes (anode and cathode) of a radio-frequency parallel-plate plasma reactor by the glow discharge decomposition of two gas mixtures: B2H6-H2-NH3 and B2H6-N2. The chemical, optical, and structural properties of the films, as well as their stability under long exposition to humid atmosphere, were analyzed by x-ray photoelectron, infrared, and Raman spectroscopies; scanning and transmission electron microscopies; and optical transmittance spectrophotometry. It was found that the BN films grown on the anode using the B2H6-H2-NH3 mixture were smooth, dense, adhered well to substrates, and had a textured hexagonal structure with the basal planes perpendicular to the film surface. These films were chemically stable to moisture, even after an exposition period of two years. In contrast, the films grown on the anode from the B2H6-N2 mixture showed tensile stress failure and were very unstable in the presence of moisture. However, the films grown on the cathode from B2H6-H2-NH3 gases suffered from compressive stress failure on exposure to air; whereas with B2H6-N2 gases, adherent and stable cathodic BN films were obtained with the same crystallographic texture as anodic films prepared from the B2H6-H2-NH3 mixture. These results are discussed in terms of the origin of film stress, the effects of ion bombardment on the growing films, and the surface chemical effects of hydrogen atoms present in the gas discharge.

A new and simple variable-angle accessory for infrared specular reflectance

A simple, low-cost accessory (patent pending) with only two flat mirrors and a new variable-angle mechanism has been developed for infrared specular reflectance measurements. The system allows the angles of incidence to be varied continuously from 15° (near normal incidence) to 85° (near grazing angle) without losing the alignment of the accessory. The reflectivity of boron nitride thin films deposited on metallic substrates has been measured at different angles of incidence to demonstrate the utility of this accessory.

Ion assisted deposition of thin films by substrate tuned radio frequency magnetron sputtering

The substrate tuning technique was applied to a radio frequency magnetron sputtering system to obtain a variable substrate bias without an additional source. The dependence of the substrate bias on the value of the external impedance was studied for different values of chamber pressure, gas composition and rf input power. A qualitative explanation of the results is given, based on a simple model, and the role of the stray capacitance is clearly disclosed. Langmuir probe measurements show that this system allows independent control of the ion flux and the ion energy bombarding the growing film. For an argon flow rate of 2.8 sccm and a radio frequency power of 300 W (intermediate values of the range studied) the ion flux incident on the substrate was 1.3 X 1020-m-2-s-1. The maximum ion energy available in these conditions can be varied in the range 30-150 eV. As a practical application of the technique, BN thin films were deposited under different ion bombardment conditions. An ion energy threshold of about 80 eV was found, below which only the hexagonal phase was present in the films, while for higher energies both hexagonal and cubic phase were present. A cubic content of about 60% was found for an ion energy of 120 V.

Reliquiae Haenkeanae, seu, Descriptiones et icones plantarum :quas in America meridionali et boreali, in insulis Philippinis et Marianis collegit Thaddaeus Haenke /redegit et in ordinem digessit Carolus Bor. Presl. Cura Musei Bohemici.

v.1

Reliquiae Haenkeanae, seu, Descriptiones et icones plantarum :quas in America meridionali et boreali, in insulis Philippinis et Marianis collegit Thaddaeus Haenke /redegit et in ordinem digessit Carolus Bor. Presl. Cura Musei Bohemici.

v.2

Jag bor själv, inte ensam. Användningen av ordet själv i dagens svenska

Kieli on jatkuvassa muutoksessa, ja tutkielmani aihe on eräs ruotsin kielessä tapahtuva kielenkäytön muutos. Selvitän tutkielmassani sanan själv (‘itse’) käyttöä tämän päivän ruotsissa. Sanaa själv on alettu käyttää sanan ensam (‘yksin’) sijasta tai yhdessä sanan ensam kanssa yhteyksissä, joissa pelkkä ensam olisi norminmukainen. Tutkielmassani kuvaan sanan själv käyttöä ja selvitän, mitä sana nykyään ruotsinkielisten mielestä tarkoittaa. Keskityn pääsääntöisesti ruotsinruotsiin ja sen käyttäjiin. Ensisijaisena aineistona käytän Internetin blogeja ja keskustelupalstoja, mutta joitain esimerkkejä uudenlaisesta käytöstä olen löytänyt myös päivälehdistä. Aineistoni koostuu 180 esimerkistä, jotka olen ryhmitellyt käyttötavan, kontekstin ja merkityksen mukaan, minkä lisäksi olen analysoinut kielenkäyttäjien omia kommentteja ja keskusteluita sanasta själv. Analysoin yksittäisiä tekstejä seikkaperäisesti. Teoreettisena lähtökohtana käytän semantiikan malleja prototyypeistä ja merkitysketjuista. Tutkimusmetodini on siis deskriptiivinen ja vertaileva. Sanan själv norminvastainen käyttö merkityksessä ‘yksin’ on ollut käytössä Ruotsissa jo kauan, mutta käyttö tuntuu lisääntyneen viime vuosien aikana. Etsin tutkielmassani syitä tälle muutokselle ja sen leviämiselle. Yksi syy vaikuttaisi olevan sanojen själv ja ensam läheinen merkityssuhde, joka mahdollistaa niiden sekoittamisen sekä tietyt sanonnat, jotka kenties entisestään hämärtävät rajaa sanojen välillä. Lisäksi sana ensam vaikuttaa saaneen negatiivisen vivahteen, minkä vuoksi sen käyttöä vältetään. Tutkielmassani käy ilmi, että sana själv tuntuu tarkoittavan kielenkäyttäjille ensisijaisesti ‘yksin’, mutta se näyttää viittaavan myös itsenäisyyteen ja naimattomuuteen. Tämän lisäksi sanaa själv käytetään edelleen myös norminmukaisessa merkityksessä ‘itse’. Sanan ensam merkityssisältöön koetaan sen sijaan kuuluvaksi asioita kuten yksinäisyys tai hylätyksi jääminen.

Meletemata philosophica varii argumenti, cons ampl. fac. phil Aboëns. auctore Johanne Ström, phil. mag. v.d.m & apolog. sch. triv. Björneb. Respondente Dieterico Johanne Lohman, stip. reg. Bor. Finl. die XXV Junii MDLLCXXIII, loco horisque a. m. solitis, publice examinanda

Invokaatio: D.D.

24/6/20, Parc des Princes, jubilé Ellegaard, les vieux [notamment Lucien Lesna, Charles Terront, Jules Dubois, Antony, Eugène Renaux, Robert Coquelle, Paul Bourotte, Victor Thuau et Paul Bor] : [photographie de presse] / [Agence Rol]

Référence bibliographique : Rol, 59845