4 resultados para Cristalinização
Resumo:
Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC
Resumo:
Neste trabalho, foi utilizado o método de deposição assistida por feixe de íons (IBAD na sigla em inglês) para produção de filmes finos de nitreto de índio em substratos de silício (111) e Safira-C. Variando as condições de deposição e utlilizando a técnica de difração de raios-X, investigou-se com o intuito de obter os parâmetros que resultam em filmes finos com melhor grau de cristalinidade. Os filmes produzidos a 380C apresentaram alta cristalinidade, superior àqueles a 250C. Temperaturas muito superiores a 380C não ocasionam a formação de filme cristalino de InN, como foi observado ao utilizar a temperatura de 480C; o mesmo se observa ao utilizar temperatura ambiente. Na temperatura considerada adequada ,de 380C, obteve-se que a utilização de Ra, ou seja, a razão de fluxo de partículas entre o nitrogênio e índio, em torno de 2,3 permite obter um melhor grau de cristalinização, o qual decresce conforme se diverge desse valor. A comparação entre difratogramas de amostras produzidas com e sem a evaporação prévia de titânio, o qual é possível observar um deslocamento dos picos do InN, indicam que o efeito Gettering permite a redução de impurezas no filme, principalmente de oxigênio. Utilizou-se a técnica de Retroespalhamento de Rutherford para obtenção da composição dos elementos e o perfil de profundidade. Notou-se uma forte mistura dos elementos do substrato de silício e safira com o nitreto de índio mesmo próximos a superfície. A presença indesejável de impurezas, principalmente o oxigênio, durante a deposição de filmes finos é praticamente inevitável. Desta forma, cálculos ab initio baseados na Teoria do Funcional da Densidade (DFT) foram realizados para investigar defeitos isolados e complexos de oxigênio no nitreto de índio e a sua influência nas propriedades óticas. Considerou-se diferentes concentrações de oxigênio (x=2,76, 8,32, 11,11 e 22,22%) aplicando-se o método PBEsolGGA e TB-mBJ para o tratamento da energia e potencial de troca e correlação. Obteve-se que é energeticamente favorável o oxigênio existir principalmente como defeito carregado e isolado. Os resultados utilizando a aproximação de TB-mBJ indicam um estreitamento do bandgap conforme a concentração de oxigênio aumenta. Entretanto, a alta contribuição do efeito de Moss-Burstein resulta num efetivo alargamento do band gap, gerando valores de band gap ótico maiores que no do bulk de nitreto de índio.
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CL imaging and U–Th–Pb data for a population of zircons from two of the Évora Massif granitoids (Ossa-Morena Zone, SW Iberia) show that both calc-alkaline granitoids have zircon populations dominated by grains with cores and rims either showing or not showing differences in Th/U ratio, and having ages in the range ca. 350–335 Ma (Early Carboniferous). Multistage crystallization of zircon is revealed in two main growth stages (ca. 344–342 Ma and ca. 336–335 Ma), well represented by morphologically complex zircons with cores and rims with different ages and different Th/U ratios that can be explained by: (1) crystallization from melts with different compositions (felsic peraluminous to felsic-intermediate metaluminous; 0.001 Th/U ratio < 0.5) and (2) transient temperature fluctuations in a system where anatectic felsic melts periodically underwent injection of more mafic magmas at higher temperatures. The two studied calc-alkaline granitoids do not include inherited zircons (pre-Carboniferous), probably because they were formed at the highest grade of metamorphism (T 837 °C; granulite facies) and/or because they were derived from inheritance-poor felsic and mafic rocks from a previous cycle, as suggested by the internal structures of zircon cores. These Variscan magmatic rocks with crystallization ages estimated at ca. 336–335 Ma are spatially and temporally related to high-temperature metamorphism, anatexis, processes of interaction between crustal- and mantle-derived magmas and intra-orogenic extension that acted in SW Iberia during the Early Carboniferous.
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Resumo alargado