992 resultados para Algazi, Israel Jacob ben Yom Tov, 1680-1756.
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von Alexander Kohut
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Obverse: 10 Lirot silver coin; inscription. Reverse: Part of Israel's Declaration of Independence with the signatures of the founding fathers of the state of Israel, David Ben Gurion's signature is in the upper right.
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Obverse: Silver 10 Lirot coin with inscription. Reverse: Part of Israel's Declaration of Independence with signature of the founding fathers of the State of Israel, David Ben Gurion's signature is in the upper right part of the coin.
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Correspondence with individuals: Jacob Ben-Ami, Ossip Dymow, Ovsei Liubomirskii, Kalman Marmor, Nachman Meisel, Melech Ravitch, Dov Sadan, Michael Weichert and Zalman Zylbercweig. Correspondence with organizations: Hebrew Actors' Union, IKUF, YIVO. Manuscripts of plays collected by Mestel as director, including adaptations by Mestel. Mestel's writings: manuscripts of poems, plays, essays, articles, notes, translations. Theater production materials: scripts with Mestel's direction notes, prop and set design notes. Miscellaneous theater materials, including course notes, theater programs. Clippings: Mestel's writings, biographical articles, reviews of performances. Family correspondence and personal papers including papers of Sara Kindman-Mestel. Photographs relating to Yiddish theater in New York, 1930s-1950s.
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Este estudio de caso se realiza con el ánimo de analizar la cooperación militar existente entre Estados Unidos y Egipto durante el periodo de 2002 a 2008. De esta manera, se busca conocer la incidencia que dicha cooperación tuvo en la seguridad fronteriza de Egipto e Israel. Para tal fin a lo largo del trabajo se procederá a exponer los principales aspectos del programa de cooperación analizado, se identificaran las principales amenazas a la seguridad fronteriza de Egipto y de Israel y se describirán las principales acciones que en el marco de dicho programa de cooperación militar se han tomado para hacerles frente a estas.
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Esta monografía se enfoca en el papel que ha tenido el derecho a la libre autodeterminación de los pueblos en la construcción de las relaciones bilaterales entre Palestina e Israel, en uno de los periodos tal vez más fructíferos de la historia de las dos naciones, comprendido entre 1993 y 2004. Por medio del análisis de ciertos eventos históricos y manifestaciones del derecho a la libre autodeterminación de los pueblos durante del periodo de estudio seleccionado, se busca explicar cómo éstos han repercutido en la relación de ambos pueblos. Este análisis hace uso del enfoque constructivista de Alexander Wendt como herramienta que permite una aproximación teórica que considera, que la construcción de relaciones entre los diferentes agentes del Sistema Internacional son las ideas y creencias compartidas y no únicamente las capacidades materiales.
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Ḥeleḳ 4. Seder Neziḳin.
Filmes finos de óxido de estanho: efeitos da implantação iônica e de ambientes oxidantes e redutores
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Filmes finos de óxido de estanho depositados por "sputtering" reativo foram caracterizados com bases em análises feitas por Espalhamento Nuclear Ressonante, Espectroscopia por Retroespalhamento Rutheford, Espectroscopia Mössbauer de Elétrons de Conversão e Difração de Raios-X e pelas medidas de Resistência de Folha. Numa primeira fase, as amostras foram submetidas a tratamentos térmicos em ar e expostas à gás de cozinha, afim de testar as propriedades sensoras do material. Os filmes finos como depositados foram modificados pelos tratamentos térmicos e exposições a gases, que aumentaram sua condutividade elétrica e alteraram a concentração de vacâncias de oxigênio. Numa segunda fase, os filmes foram submetidos a diferentes tratamentos térmicos, implantados com os íons Fe+, ZN+,Cu+,Ga+ e As+ e novamente tratados termicamente. Foram observados aumentos na condutividade elétrica induzidos pela dopagem dos filmes e algumas correlações entre o perfil de distribuição das espécies implantadas e as razões O/Sn em função da profundidade.
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Apresentamos mecanismos de formação e de degradação térmica de filmes fi- nos (espessura da ordem de 10 nm) de diferentes dielétricos sobre substrato de silício monocristalino. Tendo em vista a aplicação dessas estruturas em MOSFETs (transistores de efeito de campo metal-óxido-semicondutor), estudamos o consagrado óxido de silício (SiO2), os atuais substitutos oxinitretos de silício (SiOxNy) e o possível substituto futuro óxido de alumínio (Al2O3). Nossos resultados experimentais baseiam-se em técnicas preparativas de substituição isotópica e de caracterização física com feixes de íons (análise com reações nucleares) ou raios- X (espectroscopia de fotoelétrons). Observamos que: (a) átomos de silício não apresentam difusão de longo alcance (além de ~ 2 nm) durante o crescimento de SiO2 por oxidação térmica do silício em O2; (b) nitretação hipertérmica é capaz de produzir filmes finos de oxinitreto de silício com até dez vezes mais nitrogênio que o resultante do processamento térmico usual, sendo que esse nitrogênio tende a se acumular na interface SiOxNy/Si; e (c) átomos de oxigênio, alumínio e silício migram e promovem reações químicas durante o recozimento térmico de estruturas Al2O3/SiO2/Si em presença de O2. Desenvolvemos um modelo de difusão-reação que poderá vir a permitir o estabelecimento de condições ótimas de processamento térmico para filmes finos de Al2O3 sobre silício a serem empregados na fabricação de MOSFETs.
