Observation of "ghost" islands and surfactant effect of surface gallium atoms during GaN growth by molecular beam epitaxy

We observe "ghost" islands formed on terraces during homoepitaxial nucleation of GaN. We attribute the ghost islands to intermediate nucleation states, which can be driven into "normal" islands by scanning tunneling microscopy. The formation of ghost islands is related to excess Ga atoms on the surface. The excess Ga also affect island number density: by increasing Ga coverage, the island density first decreases, reaching a minimum at about 1 monolayer (ML) Ga and then increases rapidly for coverages above 1 ML. This nonmonotonic behavior points to a surfactant effect of the Ga atoms.

Plan de animación lectora.

En cub.: 3-8 años. Experimentación y sugerencias aportadas por los maestros participantes en el Programa Biblioteca-Escuela de las ciudades de Alcúdia, Coruña, Gandia, Linares, Mieres y Prat de Llobregat y por los coordinadores locales de la Fundación Bertelsmann para el desarrollo del Programa Biblioteca-Escuela en cada ciudad. Con la colaboración de las editoriales responsables de los libros citados y las escuelas participantes en el Premio Lola Anglada del Ayuntamiento de Badalona. Resumen basado en el de la publicación