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Amorphous and nanocrystalline silicon films obtained by Hot-Wire Chemical Vapor Deposition have been incorporated as active layers in n-type coplanar top gate thin film transistors deposited on glass substrates covered with SiO 2. Amorphous silicon devices exhibited mobility values of 1.3 cm 2 V - 1 s - 1, which are very high taking into account the amorphous nature of the material. Nanocrystalline transistors presented mobility values as high as 11.5 cm 2 V - 1 s - 1 and resulted in low threshold voltage shift (∼ 0.5 V).

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Este estudio considera un conjunto de cuatro tratados de educación publicados en Madrid entre 1780 y 1789. Todos presentan la particularidad de haber sido redactados por maestros. El artículo analiza los contenidos propuestos y los métodos seguidos, lo que permite definir la enseñanza ideal tal como la concebían los ilustrados en España. Demuestra que estas prácticas pedagógicas corresponden a una concepción nueva del niño y se inscriben en la política reformista de las Luces, en la medida de educar al futuro ciudadano.

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