Síntese e caracterização de filmes finos de óxido de zinco

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Modelagem e Simulação Computacional das propriedades estruturais, eletrônicas e constantes elásticas do ZnO

The electronic, structural properties and elastic constants of the wurtzite phase of zinc oxide, ZnO, was investigated using computer simulation at Density Functional Theory level, with B3LYP hybrid functional and Hartree-Fock methodology. The electronic properties as well the band energy was investigated through the analysis of the band structures and density of states (DOS), and the mechanical properties was studied through the calculus of the elastic constants C11, C33, C44, C12 e C13. The results are in good agreement with experimental data found in the literature and in accordance with results obtained by another theoretical methodology

Estudo estrutural dos precursores, intermediários e colóides derivados do acetato de zinco e propriedades elétricas, óticas e estruturais dos filmes de óxido de zinco dopados com índio

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Propriedades físico-química e antibacteriana de medicações intracanal a base de hidróxido de cálcio e óxido de zinco micro e nanoparticulados

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Incorporação de nanopartículas de óxido de zinco a um cimento de ionômero de vidro por meio da calcinação: avaliação de propriedades mecânicas e físicas

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Filmes de óxido de zinco e nitreto de zinco depositados por magnetron sputtering com diferentes pressões de argônio, oxigênio e nitrogênio.

O óxido de zinco é um material semicondutor que apresenta alta transparência óptica no espectro visível, alta energia de ligação de éxcitons e piezoeletricidade. Por suas propriedades, ele é utilizado na área de sensores, eletrodos transparentes e dispositivos optoeletrônicos. No entanto, sua utilização ainda é limitada pela dificuldade de obtenção de condutividade tipo p, cujo principal dopante é o nitrogênio, devido à assimetria de dopagem ocasionada por defeitos intrínsecos do material, dopagem em valências diferentes das esperadas e formação de níveis de aceitadores profundos na banda proibida. A aplicação em dispositivos piezoelétricos também exige alta resistividade e ótimas propriedades cristalinas. Muitos processos de deposição estabelecidos hoje ainda utilizam altas temperaturas, o que impede sua deposição sobre superfícies ou substratos sensíveis a altas temperaturas. O objetivo deste trabalho é desenvolver técnicas de deposição de filmes de ZnO, principalmente em baixas temperaturas ( 100°C), pelo método de magnetron sputtering de rádio frequência, para avaliar a influência dos gases de processo nas características estruturais, estequiométricas, elétricas e ópticas dos filmes. Para isso, foram obtidos filmes utilizando pressão total de argônio, e pressões parciais de argônio e oxigênio e argônio e nitrogênio, utilizando alvo cerâmico de óxido de zinco ou alvo metálico de zinco. Para alvo de ZnO, filmes com condutividade tipo n foram obtidos em ambiente de argônio, em condições que geraram deficiências de oxigênio. Filmes altamente resistivos foram obtidos com a utilização de pressão parcial de oxigênio no gás de processo, em condições que resultaram em filmes estequiométricos, inclusive com condutividade tipo p. Condutividade tipo p mais alta foi observada, apenas por ponta quente, para uma amostra obtida em argônio logo após a utilização de nitrogênio na câmara de processo, que provavelmente sofreu influência da dopagem não intencional do cobre, que foi identificado como um contaminante do processo devido à estrutura da câmara. Para alvo de Zn, observou-se a formação de nitreto de zinco, que demonstrou alta capacidade de oxidação em ambiente atmosférico, e portanto, transforma-se naturalmente ao longo do tempo ou por processos de oxidação térmica em ZnO dopado com nitrogênio. Filmes de ZnO produzidos a partir de nitreto de zinco foram os únicos dos testados que apresentaram fotoluminescência característica do ZnO, mesmo para processos onde não houve aquecimento intencional.

Estudo de propriedades elétricas em compostos de Bario

Este trabalho tem como objetivo estudar a influência da adição de diversos aditivos tais como óxido de silício (SiO2), óxido de bismuto (BiO2), óxido de cério (CeO2) e óxido de lantânio (La2O3) nas propriedades elétricas e dielétricas do titanato de bário (BaTiO3) policristalino. As amostras de titanato de bário foram compactadas e sinterizadas no Laboratório de Tecnologia dos Pós, do Departamento de Física da Universidade Federal do Rio Grande do Norte. Foram realizadas medidas de resistividade elétrica e constante dielétrica em função da temperatura, bem como ensaios de difração de raios-X e análise microestrutural através da microscopia eletrônica de varredura. A análise dos resultados permitiu avaliar a influência dos aditivos nas propriedades elétricas e dielétricas, e propor a utilização de cerâmicas eletrônicas a base de titanato de bário com propriedades superiores as do material existente atualmente

Investigação da estabilidade térmica e das propriedades elétricas do TiO2 em função da dopagem com Ce(SO4)2

The metalic oxides have been studies due to differents applications as materials semiconductor in solar cells, catalysts, full cells and, resistors. Titanium dioxide (TiO2) has a high electric conductivity due to oxygen vacancies. The Ce(SO4)2.2H2O doped samples TiO2 and TiO2 pure was obtained sol-gel process, and characterized by X-ray diffractometry,thermal analysis, and impedance spectroscopy. The X-ray diffraction patterns for TiO2 pure samples shows at 700°C anatase phase is absent, and only the diffraction peaks of rutile phase are observed. However, the cerium doped samples only at 900°C rutile in the phase present with peaks of cerium dioxide (CeO2). The thermal analysis of the TiO2 pure and small concentration cerium doped samples show two steps weight loss corresponding to water of hydration and chemisorbed. To larger concentration cerium doped samples were observed two steps weight loss in the transformation of the doped cerium possible intermediate species and SO3. Finally, two steps weight loss the end products CeO2 and SO3 are formed. Analyse electric properties at different temperatures and concentration cerium doped samples have been investigated by impedance spectroscopy. It was observed that titanium, can be substituted by cerium, changing its electric properties, and increased thermal stability of TiO2 anatase structure

Preparação e caracterização de óxido de zinco nanoestruturado

Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC

Síntese, caracterização e aplicação de filmes a base de óxido de zinco

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Análise morfológica de filmes finos de óxido de zinco

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Formação e crescimento de nanopartículas de óxido de zinco via sol-gel

Pós-graduação em Química - IQ

Estrutura eletrônica e propriedades elétricas fotoinduzidas em filmes finos de SnO2 com dopagem de Sb, e formação de heteroestruturas com TiO2

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Processamento sonoquímico de materiais mesoestruturados de óxido de zinco dopados com terras-raras

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Nanopartículas à base de óxido de zinco dopadas com magnésio e com superfície modificada para aplicação em bioimagem

O diagnóstico precoce de diversas doenças, principalmente o câncer, é fundamental para o seu combate. Atualmente, muitos avanços têm sido feitos na área de nanotecnologia no sentido de desenvolver sistemas com aplicação na área biomédica e em bioimagem para o diagnóstico de doenças. Nesse contexto, nano-cristais semicondutores de ZnO apresentam elevado potencial como marcadores para aplicações biológicas devido á suas propriedades luminescentes. A fotoluminescência de pontos quânticos (PQs) de ZnO envolve dois aspectos: a emissão excitônica fraca na região do UV e a ampla emissão visível induzida por efeito da superfície PQ. Estudos sinalizam que na síntese de nanopartículas de ZnO, a introdução de magnésio (Mg) como dopante leva a uma mudança significativa no tamanho e forma dos nano-cristais, potencializando as propriedades de luminescência. Entretanto, ainda é um desafio para os pesquisadores obter nanopartículas de ZnO aptas a serem incorporados em nanocarreadores e que sejam estáveis em meio biológico. Desta forma, este trabalho, apresenta como objetivo principal a obtenção de pontos quânticos de ZnO dopados com Mg e recobertos com ácido cítrico e 3-Glycidilpropriltrimetóxisilano (GPTMS) como modificadores de superfície para prover estabilidade em meio biológico. Eles poderão posteriormente ser incorporados em sistemas carreadores a fim de constituir sistemas estáveis com potencialização das propriedades luminescentes dos PQs e, portanto, aptos para aplicação como material de diagnóstico em sistemas biológicos