826 resultados para erbium-doped fiber amplifier


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Erbium-doped BaF2 nanoparticles were prepared from the microemulsion of cetyl trimethyl ammonium bromide (CTAB), n-butanol, n-octane and water. The X-ray diffraction (XRD) patterns were indexed to a pure BaF2 cubic phase. Transmission electron microscopy (TEM) images showed that BaF2 products were monodispersed with 15-20 nm in size at the dopant concentration of 0.06 mol%. At higher dopant concentration, there was no significant increase in particle size, but more polydispersed. Photoluminescence (PL) properties of the final products were examined. We can observe fluorescence of Er3+ around 1540 nm and with the increase of dopant concentration, the fluorescent intensity increases.

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Esta tese tem como foco principal a análise dos principais tipos de amplificação óptica e algumas de suas aplicações em sistemas de comunicação óptica. Para cada uma das tecnologias abordadas, procurou-se definir o estado da arte bem como identificar as oportunidades de desenvolvimento científico relacionadas. Os amplificadores para os quais foi dirigido alguma atenção neste documento foram os amplificadores em fibra dopada com Érbio (EDFA), os amplificadores a semicondutor (SOA) e os amplificadores de Raman (RA). Este trabalho iniciou-se com o estudo e análise dos EDFA’s. Dado o interesse científico e económico que estes amplificadores têm merecido, apenas poucos nichos de investigação estão ainda em aberto. Dentro destes, focá-mo-nos na análise de diferentes perfis de fibra óptica dopada de forma a conseguir uma optimização do desempenho dessas fibras como sistemas de amplificação. Considerando a fase anterior do trabalho como uma base de modelização para sistemas de amplificação com base em fibra e dopantes, evoluiu-se para amplificadores dopados mas em guias de onda (EDWA). Este tipo de amplificador tenta reduzir o volume físico destes dispositivos, mantendo as suas características principais. Para se ter uma forma de comparação de desempenho deste tipo de amplificador com os amplificadores em fibra, foram desenvolvidos modelos de caixa preta (BBM) e os seus parâmetros afinados por forma a termos uma boa modelização e posterior uso deste tipo de amplificiadores em setups de simulação mais complexos. Depois de modelizados e compreendidos os processo em amplificadores dopados, e com vista a adquirir uma visão global comparativa, foi imperativo passar pelo estudo dos processos de amplificação paramétrica de Raman. Esse tipo de amplificação, sendo inerente, ocorre em todas as bandas de propagação em fibra e é bastante flexível. Estes amplificadores foram inicialmente modelizados, e algumas de suas aplicações em redes passivas de acesso foram estudadas. Em especial uma série de requisitos, como por exemplo, a gama de comprimentos de onda sobre os quais existem amplificação e os altos débitos de perdas de inserção, nos levaram à investigação de um processo de amplificação que se ajustasse a eles, especialmente para buscar maiores capacidades de amplificação (nomeadamente longos alcances – superiores a 100 km – e altas razões de divisão – 1:512). Outro processo investigado foi a possibilidade de flexibilização dos parâmetros de comprimento de onda de ganho sem ter que mudar as caractísticas da bomba e se possível, mantendo toda a referenciação no transmissor. Este processo baseou-se na técnica de clamping de ganho já bastante estudada, mas com algumas modificações importantes, nomeadamente a nível do esquema (reflexão apenas num dos extremos) e da modelização do processo. O processo resultante foi inovador pelo recurso a espalhamentos de Rayleigh e Raman e o uso de um reflector de apenas um dos lados para obtenção de laser. Este processo foi modelizado através das equações de propagação e optimizado, tendo sido demonstrado experimentalmente e validado para diferentes tipos de fibras. Nesta linha, e dada a versatilidade do modelo desenvolvido, foi apresentada uma aplicação mais avançada para este tipo de amplificadores. Fazendo uso da sua resposta ultra rápida, foi proposto e analisado um regenerador 2R e analisada por simulação a sua gama de aplicação tendo em vista a sua aplicação sistémica. A parte final deste trabalho concentrou-se nos amplificadores a semiconductor (SOA). Para este tipo de amplificador, os esforços foram postos mais a nível de aplicação do que a nível de sua modelização. As aplicações principais para estes amplificadores foram baseadas em clamping óptico do ganho, visando a combinação de funções lógicas essenciais para a concepção de um latch óptico com base em componentes discretos. Assim, com base num chip de ganho, foi obtido uma porta lógica NOT, a qual foi caracterizada e demonstrada experimentalmente. Esta foi ainda introduzida num esquema de latching de forma a produzir um bi-estável totalmente óptico, o qual também foi demonstrado e caracterizado. Este trabalho é finalizado com uma conclusão geral relatando os subsistemas de amplificação e suas aplicacações.

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Temperature investigation of infrared-to-visible frequency upconversion in erbium-doped tellurite glasses excited by CW laser radiation at 1540 nm and under cryogenic temperatures is reported. Intense upconversion emission signals around 530, 550 and 660 nm corresponding to the H-2(11/2), S-4(3/2), and F-4(9/2) transitions to the I-4(15/2) ground state were generated and studied as a function of the laser intensity and temperature. The upconversion excitation mechanism of the Er3+ ions emitting energy levels was accomplished via stepwise multiphoton absorption. The green upconversion luminescence exhibited a fivefold intensity enhancement when the temperature of the sample was varied in the range between 5 and 300 K. A maximum green upconversion intensity was attained around 120 K and a steady decreasing behavior for higher temperatures up to 300 K was observed. A model based upon conventional rate equations was used to model the observed temperature evolution of the upconversion luminescence. (C) 2002 Elsevier B.V. B.V. All rights reserved.

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A simulation of erbium-doped glass systems, which provides population density for the excited states involved in the 1.5 mu m and also for 2.7 mu m emissions when pumped around 980 nm, is presented. To describe the diode pump laser processes, a theoretical model based in a coupled system of differential rate equations was developed. The approach used and the obtained spectroscopic parameters are discussed. The materials under study are two oxide glasses, lead fluoroborate (PbO-PbF2-B2O3), and heavy metal oxide (Bi2O3 PbO-Ga2O3) and a fluoride glass (ZrF4-BaF2-LaF3-AlF3-NaF), all of them doped with Er3+. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

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Erbium activated SiO2 -HfO2 planar waveguides, doped with Er3+ concentrations ranging from 0.01 to 4 mol%, were prepared by sol-gel method. The films were deposited on v-SiO2 and silica-on-silicon substrates using dip-coating technique. The waveguides show high densification degree, effective intermingling of the two film components, and uniform surface morphology. The waveguide deposited on silica-on-silicon substrates shows one single propagation mode at 1.5μm, with a confinement coefficient of 0.81 and an attenuation coefficient of 0.8 dB/cm at 632.8nm. Emission in the C-telecommunication band was observed at room temperature for all the samples upon continuouswave excitation at 980 nm or 514.5 nm. The shape of the emission band corresponding to the 4I13/2 → 4I15/2 transition is found to be almost independent both on erbium content and excitation wavelength, with a FWHM between 44 and 48 nm. The 4I13/2 level decay curves presented a single-exponential profile, with a lifetime ranging between 1.1 - 6.6 ms, depending on the erbium concentration. Infrared to visible upconversion luminescence upon continuous-wave excitation at 980 nm was observed for all the samples. Channel waveguide in rib configuration was obtained by etching the active film in order to have a well confined mode at 1.5 μm.

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The purpose of this study is to assess clinical and microbiologic effects of the non-surgical treatment of peri-implantitis lesions using either an erbium-doped:yttrium, aluminum, and garnet (Er:YAG) laser or an air-abrasive subgingival polishing method.

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We report on the demonstration of an all-fiber femtosecond erbium doped fiber laser passively mode-locked using a 45º tilted fiber grating as an in-fiber polarizer in the laser cavity. The laser generates 600 fs pulses with output pulse energies ~1 nJ. Since the 45° tilted grating has a broad polarization response, the laser output has shown a tunabilty in wavelength from 1548 nm to 1562 nm by simply adjusting the polarization controllers in the cavity.

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The first demonstration of a hollow core photonic bandgap fiber suitable for high-rate data transmission at 2µm is presented. Using a custom built Thulium doped fiber amplifier, error-free 8Gbit/s transmission in an optically amplified data channel at 2008nm is reported for the first time.

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A nonlinear polarization rotation based all-fiber passively mode-locked Tm3+-doped fiber laser is demonstrated by using a 45° tilted fiber grating (TFG) as an in-line polarizer. Stable soliton pulses centered at 1992.7 nm with 2.02 nm FWHM bandwidth were produced at a repetition rate of 1.902 MHz with pulse duration of 2.2 ps and pulse energy of 74.6 pJ. With the increased pump power, the laser also can operate at noise-like regime with 18.1 nm FWHM bandwidth and pulse energy of up to 250.1 nJ. Using the same 45° TFG, both stable soliton and noise-like mode-locking centered at ∼1970 nm and ∼2050 nm, were also achieved by shortening and extending the length of Tm3+-doped fiber, respectively, exhibiting advantages of broadband and low insertion loss at 2 μm band.

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We report an all-fiber mode-locked erbium-doped fiber laser (EDFL) employing carbon nanotube (CNT) polymer composite film. By using only standard telecom grade components, without any complex polarization control elements in the laser cavity, we have demonstrated polarization locked vector solitons generation with duration of ~583fs , average power of ~3 mW (pulse energy of 118pJ ) at the repetition rate of ~25.7 MHz.

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We present the results of comparative numerical study of energy deposition in single shot femtosecond laser inscription for fundamental and second harmonic of Yb-doped fiber laser. We have found that second harmonic is more efficient in absorbing energy which leads to lower inscription threshold. Hence this regime is more attractive for applications in femtosecond laser microfabrication.

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Multiwavelength fiber laser is a perfect light source for future wavelength-division-multiplexing optical communication systems. A multiwavelength fiber laser based on nonlinear polarization rotation with up to 18 wavelengths has been proposed and demonstrated. The intensity- and wavelength-dependent loss induced by nonlinear polarization rotation effect is used to alleviate the mode competition in the homogeneous broadening gain medium of erbium-doped fiber. Instead of traditional filters, a polarization-maintaining fiber is inserted into the laser cavity, with which the polarization-dependent isolator composes an equivalent Lyot birefringent fiber filter. The in-line birefringence fiber filter is used to simplify the laser configuration, which benefits systematic integration. The effect of the 980 nm pump power on the multiwavelength generation is investigated. It is shown that the pump power contributes a lot to the evenness of the multiwavelength spectra due to the intensity dependence of nonlinear polarization rotation effect.

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We report on a polarimetry of harmonic mode-locked erbium-doped fiber laser with carbon nanotubes saturable absorber. We find new types of vector solitons with locked, switching and precessing states of polarization. The underlying physics presents interplay between birefringence of a laser cavity created by polarization controller along with light induced anisotropy caused by polarization hole burning. © 2014 Optical Society of America.

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We present the results of comparative numerical study of energy deposition in single shot femtosecond laser inscription for fundamental and second harmonic of Yb-doped fiber laser. We have found that second harmonic is more efficient in absorbing energy which leads to lower inscription threshold. Hence this regime is more attractive for applications in femtosecond laser microfabrication.