Scattering of the laser writing beam in photonic crystal fibre

Point-by-point fibre grating fabrication by femtosecond laser pulses requires tight focusing of the pulses into the core of the fibre. This condition is not easily satisfied in photonic crystal fibres (PCFs) due to the pulse scattering by the holes. In this letter, we present a numerical model of propagation of tightly focused laser beam through PCF in a typical experimental setup. We investigate impact of the numerical aperture of the beam and hole refractive index on the beam scattering and identify optimal conditions for relating the findings to the requirements of grating fabrication. The results explain and quantify recent experimental grating inscription techniques and are indicative of birefringence observed in long-period gratings written by femtosecond laser pulses. © 2010 Elsevier Ltd. All rights reserved.

Numerical study of neutron beam divergence in a beam-fusion scenario employing laser driven ions

The most established route to create a laser-based neutron source is by employing laser accelerated, low atomic-number ions in fusion reactions. In addition to the high reaction cross-sections at moderate energies of the projectile ions, the anisotropy in neutron emission is another important feature of beam-fusion reactions. Using a simple numerical model based on neutron generation in a pitcher–catcher scenario, anisotropy in neutron emission was studied for the deuterium–deuterium fusion reaction. Simulation results are consistent with the narrow-divergence ( ∼ 70 ° full width at half maximum) neutron beam recently served in an experiment employing multi-MeV deuteron beams of narrow divergence (up to 30° FWHM, depending on the ion energy) accelerated by a sub-petawatt laser pulse from thin deuterated plastic foils via the Target Normal Sheath Acceleration mechanism. By varying the input ion beam parameters, simulations show that a further improvement in the neutron beam directionality (i.e. reduction in the beam divergence) can be obtained by increasing the projectile ion beam temperature and cut-off energy, as expected from interactions employing higher power lasers at upcoming facilities.

Metastable BrO(2+) and NBr(2+) molecules in the gas phase

The doubly positively charged gas-phase molecules BrO(2+) and NBr(2+) have been produced by prolonged high-current energetic oxygen (17 keV (16)O(-)) ion surface bombardment (ion beam sputtering) of rubidium bromide (RbBr) and of ammonium bromide (NH(4)Br) powdered ionic salt samples, respectively, pressed into indium foil. These novel species were observed at half-integer m/z values in positive ion mass spectra for ion flight times of roughly similar to 12 mu s through a magnetic-sector secondary ion mass spectrometer. Here we present these experimental results and combine them with a detailed theoretical investigation using high level ab initio calculations of the ground states of BrO(2+) and NBr(2+), and a manifold of excited electronic states. NBr(2+) and BrO(2+), in their ground states, are long-lived metastable gas-phase molecules with well depths of 2.73 x 10(4) cm(-1) (3.38 eV) and 1.62 x 10(4) cm(-1) (2.01 eV); their fragmentation channels into two monocations lie 2.31 x 10(3) cm(-1) (0.29 eV) and 2.14 x 10(4) cm(-1) (2.65 eV) below the ground state minimum. The calculated lifetimes for NBr(2+) (v '' < 35) and BrO(2+) (v '' < 18) are large enough to be considered stable against tunneling. For NBr(2+), we predicted R(e) = 3.051 a(0) and omega(e) = 984 cm(-1); for BrO(2+), we obtained 3.033 a(0) and 916 cm(-1), respectively. The adiabatic double ionization energies of BrO and NBr to form metastable BrO(2+) and NBr(2+) are calculated to be 30.73 and 29.08 eV, respectively. The effect of spin-orbit interactions on the low-lying (Lambda + S) states is also discussed. (C) 2011 American Institute of Physics. [doi:10.1063/1.3562121]

Implications of specimen preparation and of surface contamination for the measurement of the grain boundary carbon concentration of steels using x-ray microanalysis in an UHVFESTEM

The purpose of the present investigation was to gain an understanding of the nature of the carbon contamination on the surface of standard steel transmission electron spectroscopy (TEM) specimens, the effect of exposure of a clean specimen to normal laboratory air, and the efficacy of plasma-cleaning treatments. This knowledge is a necessary prerequisite to the development of appropriate specimen preparation and/or specimen cleaning methods. X-ray photoelectron spectroscopy in combination with argon ion beam profiling was used to characterize the specimen surfaces of X65 steel and 316 stainless steel. The only clean carbon-free surface obtained was that during argon etching of the sample in the surface analysis chamber. Any exposure of a previously cleaned sample to laboratory air resulted in a rapid carbon (hydrocarbon) contamination of the sample surface and the development of surface oxidation, Plasma cleaning with subsequent exposure of the specimen to the laboratory air also resulted in a carbon-contaminated surface. This suggests that procedures of preparation of TEM specimens of steels outside an ultrahigh vacuum chamber are unlikely to result in the lowering of contamination rates on specimens to levels where measurements for carbon in the grain boundaries are possible. What is needed is a cleaning system as an integral part of the specimen insertion system into the field-emission scanning transmission electron microscope. This cleaning could be carried out by argon ion etching. Copyright (C) 2000 John Wiley & Sons, Ltd.

Electron exchange coupling for single-donor solid-state spin qubits

Intervalley interference between degenerate conduction band minima has been shown to lead to oscillations in the exchange energy between neighboring phosphorus donor electron states in silicon [B. Koiller, X. Hu, and S. Das Sarma, Phys. Rev. Lett. 88, 027903 (2002); Phys. Rev. B 66, 115201 (2002)]. These same effects lead to an extreme sensitivity of the exchange energy on the relative orientation of the donor atoms, an issue of crucial importance in the construction of silicon-based spin quantum computers. In this article we calculate the donor electron exchange coupling as a function of donor position incorporating the full Bloch structure of the Kohn-Luttinger electron wave functions. It is found that due to the rapidly oscillating nature of the terms they produce, the periodic part of the Bloch functions can be safely ignored in the Heitler-London integrals as was done by Koiller, Hu, and Das Sarma, significantly reducing the complexity of calculations. We address issues of fabrication and calculate the expected exchange coupling between neighboring donors that have been implanted into the silicon substrate using an 15 keV ion beam in the so-called top down fabrication scheme for a Kane solid-state quantum computer. In addition, we calculate the exchange coupling as a function of the voltage bias on control gates used to manipulate the electron wave functions and implement quantum logic operations in the Kane proposal, and find that these gate biases can be used to both increase and decrease the magnitude of the exchange coupling between neighboring donor electrons. The zero-bias results reconfirm those previously obtained by Koiller, Hu, and Das Sarma.

Reactive electron scattering from biomolecules and technologically relevant molecules

The role of a set of gases relevant within the context of biomolecules and technologically relevant molecules under the interaction of low-energy electrons was studied in an effort to contribute to the understanding of the underlying processes yielding negative ion formation. The results are relevant within the context of damage to living material exposed to energetic radiation, to the role of dopants in the ion-molecule chemistry processes, to Electron Beam Induced Deposition (EBID) and Ion Beam Induced Deposition (IBID) techniques. The research described in this thesis addresses dissociative electron attachment (DEA) and electron transfer studies involving experimental setups from the University of Innsbruck, Austria and Universidade Nova de Lisboa, Portugal, respectively. This thesis presents DEA studies, obtained by a double focusing mass spectrometer, of dimethyl disulphide (C2H6S2), two isomers, enflurane and isoflurane (C3F5Cl5) and two chlorinated ethanes, pentachloroethane (C2HCl5) and hexachloroethane (C2Cl6), along with quantum chemical calculations providing information on the molecular orbitals as well as thermochemical thresholds of anion formation for enflurane, isoflurane, pentachloroethane and hexachloroethane. The experiments represent the most accurate DEA studies to these molecules, with significant differences from previous work reported in the literature. As far as electron transfer studies are concerned, negative ion formation in collisions of neutral potassium atoms with N1 and N3 methylated pyrimidine molecules were obtained by time-of-flight mass spectrometry (TOF). The results obtained allowed to propose concerted mechanisms for site and bond selective excision of bonds.

Electron driven reactions in sulphur containing biological prototypes

The interaction of ionising radiation with living tissues may direct or indirectly generate several secondary species with relevant genotoxic potential. Due to recent findings that electrons with energies below the ionisation threshold can effectively damage DNA, radiation-induced damage to biological systems has increasingly come under scrutiny. The exact physico-chemical processes that occur in the first stages of electron induced damage remain to be explained. However, it is also known that free electrons have a short lifetime in the physiological medium. Hence, electron transfer processes studies represent an alternative approach through which the role of "bound" electrons as a source of damage to biological tissues can be further explored. The thesis work consists of studying dissociative electron attachment (DEA) and electron transfer to taurine and thiaproline. DEA measurements were executed in Siedlce University with Prof. Janina Kopyra under COST action MP1002 (Nanoscale insights in ion beam cancer therapy). The electron transfer experiments were conducted in a crossed atom(potassium)-molecule beam arrangement. In these studies the anionic fragmentation patterns were obtained. The results of both mechanisms are shown to be significantly different, unveiling that the damaging potential of secondary electrons can be underestimated. In addition, sulphur atoms appear to strongly influence the dissociation process, demonstrating that certain reactions can be controlled by substitution of sulphur at specific molecular sites.

Evolution of the surface plasmon resonance of Au:TiO2 nanocomposite thin films with annealing temperature

This paper reports on the changes in the structural and morphological features occurring in a particular type of nanocomposite thin-film system, composed of Au nanoparticles (NPs) dispersed in a host TiO2 dielectric matrix. The structural and morphological changes, promoted by in-vacuum annealing experiments of the as-deposited thin films at different temperatures (ranging from 200 to 800 C), resulted in a well-known localized surface plasmon resonance (LSPR) phenomenon, which gave rise to a set of different optical responses that can be tailored for a wide number of applications, including those for optical-based sensors. The results show that the annealing experiments enabled a gradual increase of the mean grain size of the Au NPs (from 2 to 23 nm), and changes in their distributions and separations within the dielectric matrix. For higher annealing temperatures of the as-deposited films, a broad size distribution of Au NPs was found (sizes up to 100 nm). The structural conditions necessary to produce LSPR activity were found to occur for annealing experiments above 300 C, which corresponded to the crystallization of the gold NPs, with an average size strongly dependent on the annealing temperature itself. The main factor for the promotion of LSPR was the growth of gold NPs and their redistribution throughout the host matrix. On the other hand, the host matrix started to crystallize at an annealing temperature of about 500 C, which is an important parameter to explain the shift of the LSPR peak position to longer wavelengths, i.e. a red-shift.

Enhanced resistive switching and multilevel behavior in bilayered HfAlO/HfAlOx structures for non-volatile memory applications

In this work, hafnium aluminum oxide (HfAlO) thin films were deposited by ion beam sputtering deposition technique on Si substrate. The presence of oxygen vacancies in the HfAlOx layer deposited in oxygen deficient environment is evidenced from the photoluminescence spectra. Furthermore, HfAlO(oxygen rich)/HfAlOx(oxygen poor) bilayer structures exhibit multilevel resistive switching (RS), and the switching ratio becomes more prominent with increasing the HfAlO layer thickness. The bilayer structure with HfAlO/HfAlOx thickness of 30/40 nm displays the enhanced multilevel resistive switching characteristics, where the high resistance state/ intermediate resistance state (IRS) and IRS/low resistance state resistance ratios are 102 and 5 105 , respectively. The switching mechanisms in the bilayer structures were investigated by the temperature dependence of the three resistance states. This study revealed that the multilevel RS is attributed to the coupling of ionic conduction and the metallic conduction, being the first associated to the formation and rupture of conductive filaments related to oxygen vacancies and the second with the formation of a metallic filament. Moreover, the bilayer structures exhibit good endurance and stability in time.

Model for the emission of Si+ ions during oxygen bombardment of Si(100) surfaces

The variation in the emission of Si+ ions from ion-beam-induced oxidized silicon surfaces has been studied. The stoichiometry and the electronic structure of the altered layer has been characterized using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The XPS analysis of the Si 2p core level indicates the strong presence of suboxide chemical states when bombarding at angles of incidence larger than 30 °. Since the surface stoichiometry or degree of oxidation varies with the angle of incidence, the corresponding valence-band structures also differ among each other. A comparison between experimental measurements and theoretically calculated Si and SiO2 valence bands indicates that the valence bands for the altered layers are formed by a combination of those two. Since Si-Si bonds are present in the suboxide molecules, the top of the respective new valence bands are formed by the corresponding 3p-3p Si-like subbands, which extend up to the Si Fermi level. The changes in stoichiometry and electronic structure have been correlated with the emission of Si+ ions from these surfaces. From the results a general model for the Si+ ion emission is proposed combining the resonant tunneling and local-bond-breaking models.

COMPARAÇÃO E CONSTRUÇÃO DE REATORES DE "MILD" E "HARD ANODISATION" PARA FABRICAÇÃO DE ALUMINA ANÓDICA POROSA

The mild anodization (MA) reactor is exemplified for its operational simplicity and its excellent control over the experimental parameters that are involved in the anodization process. This method provides porous anodic alumina films with a regular cell-arrangement structure. This offers a better cost-benefit ratio than the other equipment configurations that are used to fabricate nanoporous structures (i.e., ion beam lithography). Conversely, the hard anodization (HA) reactor produces oxides at a rate that is 25 to 35 times faster than the MA reactor. The produced oxides also have greater layer thicknesses and interpore distance, and with a uniform nanopore spatial order (> 1000). In contrast to MA reactors, the construction of an HA reactor requires special components to maintain anodisation at a high potential regime. Herein, we describe and compare both reactors from a technical viewpoint.

An experimental investigation of dechanneling in copper single crystals

This investigation comprises a comparison of experimental and theoretical dechanneling of MeV protons in copper single crystals. Dechanneling results when an ion's transverse energy increases to the value where the ion can undergo small impact parameter collisions with individual atoms. Depth dependent dechanneling rates were determined as functions of lattice temperature, ion beam energy and crystal axis orientation. Ion beam energies were IMeV and 2MeV,temperatures ranged from 35 K to 280 K and the experiment was carried out along both the (lOa) and <110) axes. Experimental data took the form of aligned and random Rutherford backscattered energy spectra. Dechanneling rates were extracted from these spectra using a single scattering theory that took explicit account of the different stopping powers experienced by channeled and dechanneled ions and also included a correction factor to take into account multiple scattering effects along the ion's trajectory. The assumption of statistical equilibrium and small angle scattering of the channeled ions allows a description of dechanneling in terms of the solution of a diffusion like equation which contains a so called diffusion function. The diffusion function is shown to be related to the increase in average transverse energy. Theoretical treatments of increase in average transverse energy due to collisions of projectiles with channel electrons and thermal perturbations in the lattice potential are reviewed. Using the diffusion equation and the electron density in the channel centre as a fitting parameter dechanneling rates are extracted. Excellent agreement between theory and experiment has been demonstrated. Electron densities determined in the fitting procedure appear to be realistic. The surface parameters show themselves to be good indicators of the quality of the crystal.

L’étude de l’InP et du GaP suite à l’implantation ionique de Mn et à un recuit thermique

Cette thèse est dédiée à l’étude des matériaux InMnP et GaMnP fabriqués par implantation ionique et recuit thermique. Plus précisément nous avons investigué la possibilité de former par implantation ionique des matériaux homogènes (alliages) de InMnP et GaMnP contenant de 1 à 5 % atomiques de Mn qui seraient en état ferromagnétique, pour des possibles applications dans la spintronique. Dans un premier chapitre introductif nous donnons les motivations de cette recherche et faisons une revue de la littérature sur ce sujet. Le deuxième chapitre décrit les principes de l’implantation ionique, qui est la technique utilisée pour la fabrication des échantillons. Les effets de l’énergie, fluence et direction du faisceau ionique sur le profil d’implantation et la formation des dommages seront mis en évidence. Aussi dans ce chapitre nous allons trouver des informations sur les substrats utilisés pour l’implantation. Les techniques expérimentales utilisées pour la caractérisation structurale, chimique et magnétique des échantillons, ainsi que leurs limitations sont présentées dans le troisième chapitre. Quelques principes théoriques du magnétisme nécessaires pour la compréhension des mesures magnétiques se retrouvent dans le chapitre 4. Le cinquième chapitre est dédié à l’étude de la morphologie et des propriétés magnétiques des substrats utilisés pour implantation et le sixième chapitre, à l’étude des échantillons implantés au Mn sans avoir subi un recuit thermique. Notamment nous allons voir dans ce chapitre que l’implantation de Mn à plus que 1016 ions/cm2 amorphise la partie implantée du matériau et le Mn implanté se dispose en profondeur sur un profil gaussien. De point de vue magnétique les atomes implantés se trouvent dans un état paramagnétique entre 5 et 300 K ayant le spin 5/2. Dans le chapitre 7 nous présentons les propriétés des échantillons recuits à basses températures. Nous allons voir que dans ces échantillons la couche implantée est polycristalline et les atomes de Mn sont toujours dans un état paramagnétique. Dans les chapitres 8 et 9, qui sont les plus volumineux, nous présentons les résultats des mesures sur les échantillons recuits à hautes températures : il s’agit d’InP et du GaP implantés au Mn, dans le chapitre 8 et d’InP co-implanté au Mn et au P, dans le chapitre 9. D’abord, dans le chapitre 8 nous allons voir que le recuit à hautes températures mène à une recristallisation épitaxiale du InMnP et du GaMnP; aussi la majorité des atomes de Mn se déplacent vers la surface à cause d’un effet de ségrégation. Dans les régions de la surface, concentrés en Mn, les mesures XRD et TEM identifient la formation de MnP et d’In cristallin. Les mesures magnétiques identifient aussi la présence de MnP ferromagnétique. De plus dans ces mesures on trouve qu’environ 60 % du Mn implanté est en état paramagnétique avec la valeur du spin réduite par rapport à celle trouvée dans les échantillons non-recuits. Dans les échantillons InP co-implantés au Mn et au P la recristallisation est seulement partielle mais l’effet de ségrégation du Mn à la surface est beaucoup réduit. Dans ce cas plus que 50 % du Mn forme des particules MnP et le restant est en état paramagnétique au spin 5/2, dilué dans la matrice de l’InP. Finalement dans le dernier chapitre, 10, nous présentons les conclusions principales auxquels nous sommes arrivés et discutons les résultats et leurs implications.

Mécanismes de déformation de nanoparticules d’Au par irradiation ionique

Résumé Dans la présente thèse, nous avons étudié la déformation anisotrope par bombardement ionique de nanoparticules d'or intégrées dans une matrice de silice amorphe ou d'arséniure d’aluminium cristallin. On s’est intéressé à la compréhension du mécanisme responsable de cette déformation pour lever toute ambigüité quant à l’explication de ce phénomène et pour avoir une interprétation consistante et unique. Un procédé hybride combinant la pulvérisation et le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma a été utilisé pour la fabrication de couches nanocomposites Au/SiO2 sur des substrats de silice fondue. Des structures à couches simples et multiples ont été obtenues. Le chauffage pendant ou après le dépôt active l’agglomération des atomes d’Au et par conséquent favorise la croissance des nanoparticules. Les nanocomposites Au/AlAs ont été obtenus par implantation ionique de couches d’AlAs suivie de recuit thermique rapide. Les échantillons des deux nanocomposites refroidis avec de l’azote liquide ont été irradiés avec des faisceaux de Cu, de Si, d’Au ou d’In d’énergie allant de 2 à 40 MeV, aux fluences s'étendant de 1×1013 à 4×1015 ions/cm2, en utilisant le Tandem ou le Tandetron. Les propriétés structurales et morphologiques du nanocomposite Au/SiO2 sont extraites en utilisant des techniques optiques car la fréquence et la largeur de la résonance plasmon de surface dépendent de la forme et de la taille des nanoparticules, de leur concentration et de la distance qui les séparent ainsi que des propriétés diélectriques du matériau dans lequel les particules sont intégrées. La cristallinité de l’arséniure d’aluminium est étudiée par deux techniques: spectroscopie Raman et spectrométrie de rétrodiffusion Rutherford en mode canalisation (RBS/canalisation). La quantité d’Au dans les couches nanocomposites est déduite des résultats RBS. La distribution de taille et l’étude de la transformation de forme des nanoparticules métalliques dans les deux nanocomposites sont déterminées par microscopie électronique en transmission. Les résultats obtenus dans le cadre de ce travail ont fait l’objet de trois articles de revue. La première publication montre la possibilité de manipuler la position spectrale et la largeur de la bande d’absorption des nanoparticules d’or dans les nanocomposites Au/SiO2 en modifiant leur structure (forme, taille et distance entre particules). Les nanoparticules d’Au obtenues sont presque sphériques. La bande d’absorption plasmon de surface (PS) correspondante aux particules distantes est située à 520 nm. Lorsque la distance entre les particules est réduite, l’interaction dipolaire augmente ce qui élargit la bande de PS et la déplace vers le rouge (602 nm). Après irradiation ionique, les nanoparticules sphériques se transforment en ellipsoïdes alignés suivant la direction du faisceau. La bande d’absorption se divise en deux bandes : transversale et longitudinale. La bande correspondante au petit axe (transversale) est décalée vers le bleu et celle correspondante au grand axe (longitudinale) est décalée vers le rouge indiquant l’élongation des particules d’Au dans la direction du faisceau. Le deuxième article est consacré au rôle crucial de la déformation plastique de la matrice et à l’importance de la mobilité des atomes métalliques dans la déformation anisotrope des nanoparticules d’Au dans les nanocomposites Au/SiO2. Nos mesures montrent qu'une valeur seuil de 2 keV/nm (dans le pouvoir d'arrêt électronique) est nécessaire pour la déformation des nanoparticules d'or. Cette valeur est proche de celle requise pour la déformation de la silice. La mobilité des atomes d’Au lors du passage d’ions est confirmée par le calcul de la température dans les traces ioniques. Le troisième papier traite la tentative de formation et de déformation des nanoparticules d’Au dans une matrice d’arséniure d’aluminium cristallin connue pour sa haute résistance à l’amorphisation et à la déformation sous bombardement ionique. Le résultat principal de ce dernier article confirme le rôle essentiel de la matrice. Il s'avère que la déformation anisotrope du matériau environnant est indispensable pour la déformation des nanoparticules d’or. Les résultats expérimentaux mentionnés ci-haut et les calculs de températures dans les traces ioniques nous ont permis de proposer le scénario de déformation anisotrope des nanoparticules d’Au dans le nanocomposite Au/SiO2 suivant: - Chaque ion traversant la silice fait fondre brièvement un cylindre étroit autour de sa trajectoire formant ainsi une trace latente. Ceci a été confirmé par la valeur seuil du pouvoir d’arrêt électronique. - L’effet cumulatif des impacts de plusieurs ions conduit à la croissance anisotrope de la silice qui se contracte dans la direction du faisceau et s’allonge dans la direction perpendiculaire. Le modèle de chevauchement des traces ioniques (overlap en anglais) a été utilisé pour valider ce phénomène. - La déformation de la silice génère des contraintes qui agissent sur les nanoparticules dans les plans perpendiculaires à la trajectoire de l’ion. Afin d’accommoder ces contraintes les nanoparticules d’Au se déforment dans la direction du faisceau. - La déformation de l’or se produit lorsqu’il est traversé par un ion induisant la fusion d’un cylindre autour de sa trajectoire. La mobilité des atomes d’or a été confirmée par le calcul de la température équivalente à l’énergie déposée dans le matériau par les ions incidents. Le scénario ci-haut est compatible avec nos données expérimentales obtenues dans le cas du nanocomposite Au/SiO2. Il est appuyé par le fait que les nanoparticules d’Au ne se déforment pas lorsqu’elles sont intégrées dans l’AlAs résistant à la déformation.

Préparation d'échantillons pour l'étude par GISAXS des mécanismes de déformation des matériaux par faisceaux d'ions lourds de haute énergie.

Le mécanisme menant à des déformations structurales suivant le bombardement d'échantillons de a-Si d'un faisceau d'ions lourds et rapides est sujet de controverses. Nous nous sommes penchés sur l'hypothèse de la formation d'une zone liquide causée par la déposition d'énergie des ions incidents dans le contexte de la théorie du pic thermique. Des échantillons de silicium amorphe furent préparés dans le but d'observer les indices d'une transition de phase l-Si/a-Si suivant la déposition locale d'énergie sur le parcours d'un ion lourd énergétique dans le a-Si. Les échantillons furent implantés d'impuretés de Cu ou d'Ag avant d'être exposés à un faisceau d'ions Ag12+ de 70 MeV. L'utilisation de l'analyse GISAXS est projetée afin d'observer une concentration locale d'impuretés suivant leur ségrégation sur la trace de l'ion. Des masques d'implantation nanométriques d'oxide d'aluminium ont été fabriqués afin d'augmenter la sensibilité de l'analyse GISAXS et une méthode d'alignement de ces masques selon la direction du faisceau fut développée. Le bombardement d'échantillons au travers de ces masques a donné lieu à un réseau de sites d'impacts isolés presque équidistants.