A narrow photoluminescence linewidth of 19.2 meV at 1.35 mu m from In0.5Ga0.5As/GaAs quantum island structure grown by molecular beam epitaxy

A self-organized In0.5Ga0.5As/GaAs quantum island structure emitting at 1.35 mum at room temperature has been successfully fabricated by molecular beam epitaxy via cycled (InAs)(1)/GaAs)(1)monolayer deposition method. The photoluminescence measurement shows that a very narrow linewidth of 19.2 meV at 300 K has been reached for the first time, indicating effective suppression of inhomogeneous broadening of optical emission from the In0.5Ga0.5As island structure due to indium segregation reduction by introducing an AlAs layer and the strain reduction by inserting an In0.2Ga0.8As layer overgrown on the top of islands. The mound-like morphology of the islands elongated along the [1 (1) over bar0] azimuth are observed by the atomic force microscopy measurement, which reveals the fact that strain in the islands is partially relaxed along the [1 (1) over bar0] direction. Our results present important information for the fabrication of 1.3 mum wavelength quantum dot devices.

~(19)F+~(27)Al耗散反应产物激发函数的长程关联

在中国原子能科学研究院的HI-13串列静电加速器上完成了19F+27Al耗散反应产物的激发函数测量。束流19F的入射能量从110.25MeV到118.75MeV,步长250keV,测量了实验室系+57°,+31°,-15°和-29°出射的类弹产物B,C,N,O,F和Ne的激发函数。观测到激发函数具有耗散反应的特征涨落结构,分析了激发函数之间的长程角度关联以及强烈的电荷数关联。

~(19)F+~(27)Al耗散反应中双核系统的转动与形变

测量了19F+27Al耗散反应产物B,C,N,O,F和Ne的激发函数,入射束流的能量从110．25MeV 到118．75MeV,能量步长为250keV．从产物的能量自关联函数中提取了反应中所形成的中间双核系统的转动惯量,与相粘模型计算的刚体转动惯量相比较,结果表明形成的双核系统有大的形变．

~(19)F+~(27)Al耗散反应产物截面测量中的不重复性

在中国原子能科学研究院的HI-13串列静电加速器上完成了114MeV和118．75MeV的19F+27Al 耗散反应产物B,C,N,O,F,Ne,Na和Mg的微分截面测量．条形27Al同位素靶的大小尺寸为 10mm×50mm,平均厚度约67μg／cm2．固定入射束流19F的能量,通过移动靶位,先后轰击了靶上20个不同的位置．实验结果表明,在弹靶系统、入射能量以及探测系统都相同的多次独立的微分截面测量中,截面的涨落不呈现高斯型几率分布．截面测量的这种不重复现象难以用有限计数率的统计性质来解释．

(19)~F+(27)~Al耗散反应中双核系统的转动与衰变

测量了19F+27Al耗散反应产物B,C,N,O,F和Ne的激发函数,入射束流的能量从110.25MeV 到118.75MeV,能量步长为250keV.用能量自关联函数方法从激发函数中提取了各反应产物的平均衰变宽度,利用同时考虑反应中所形成的中间双核系统的转动特性和衰变特性而发展了的Ericson核反应统计理论,讨论了19F+27Al耗散反应中双核系统随时间的演化过程.

~(19)F+~(27)Al反应产物的角分布、角分散与耗散机制

完成了114MeV19F+27Al深部非弹性碰撞产物的角分布测量.分析了反应产物B,C,N,O,F,Ne,Na,Mg和Al的实验室系角分布,讨论了反应形成的中间双核系统随时间演化过程中角分布所表现出的耗散特点.从实验上提取了反应产物各元素的角分散参数并作了角分散参数的理论拟合,讨论了角分散参数的物理意义以及角分散参数与耗散反应产物的电荷数Z之间的依赖关系.