965 resultados para Sb-262470
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"8 September 1983."
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"October 1965."
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"15 June 1990."
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"April 1970."
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"October 1965."
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"July 1977."
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O Projeto SB Brasil 2010, planejado e executado por órgãos do SUS, nos âmbitos federal, estadual e municipal, e de universidades brasileiras, por meio de Centros Colaboradores do Ministério da Saúde se constitui em recurso de valor estratégico para aprofundar os conhecimentos sobre os agravos bucais no país, e dá contribuição inestimável para orientar os rumos da PNSB e avançar na construção de um modelo de atenção pautado na Vigilância à Saúde
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O Projeto SB Brasil 2010, planejado e executado por órgãos do SUS, nos âmbitos federal, estadual e municipal, e de universidades brasileiras, por meio de Centros Colaboradores do Ministério da Saúde se constitui em recurso de valor estratégico para aprofundar os conhecimentos sobre os agravos bucais no país, e dá contribuição inestimável para orientar os rumos da PNSB e avançar na construção de um modelo de atenção pautado na Vigilância à Saúde
Projeto SB Brasil 2010: elemento estratégico na construção de um modelo de vigilância em saúde bucal
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O projeto começou a ser pensado no âmbito do Comitê Técnico Assessor (CTA) em Vigilância em Saúde Bucal do Ministério da Saúde desde abril de 2009. Foi submetido à consulta pública durante o mês de junho de 2009, resultando em uma participação significativa de diversos setores em seu processo de construção. Desde então, foi formado um Grupo Gestor que, por intermédio de oito Centros Colaboradores localizados nas diversas regiões do país, tem conduzido o projeto a partir de oficinas de trabalho nos estados e treinamento das equipes de campo.
Projeto SB Brasil 2010: elemento estratégico na construção de um modelo de vigilância em saúde bucal
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O projeto começou a ser pensado no âmbito do Comitê Técnico Assessor (CTA) em Vigilância em Saúde Bucal do Ministério da Saúde desde abril de 2009. Foi submetido à consulta pública durante o mês de junho de 2009, resultando em uma participação significativa de diversos setores em seu processo de construção. Desde então, foi formado um Grupo Gestor que, por intermédio de oito Centros Colaboradores localizados nas diversas regiões do país, tem conduzido o projeto a partir de oficinas de trabalho nos estados e treinamento das equipes de campo.
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Les antimoniures sont des semi-conducteurs III-V prometteurs pour le développement de dispositifs optoélectroniques puisqu'ils ont une grande mobilité d'électrons, une large gamme spectrale d'émission ou de détection et offrent la possibilité de former des hétérostructures confinées dont la recombinaison est de type I, II ou III. Bien qu'il existe plusieurs publications sur la fabrication de dispositifs utilisant un alliage d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) qui émet ou détecte à une certaine longueur d'onde, les détails, à savoir comment sont déterminés les compositions et surtout les alignements de bande, sont rarement explicites. Très peu d'études fondamentales sur l'incorporation d'indium et d'arsenic sous forme de tétramères lors de l'épitaxie par jets moléculaires existent, et les méthodes afin de déterminer l'alignement des bandes des binaires qui composent ces alliages donnent des résultats variables. Un modèle a été construit et a permis de prédire l'alignement des bandes énergétiques des alliages d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) avec celles du GaSb pour l'ensemble des compositions possibles. Ce modèle tient compte des effets thermiques, des contraintes élastiques et peut aussi inclure le confinement pour des puits quantiques. De cette manière, il est possible de prédire la transition de type de recombinaison en fonction de la composition. Il est aussi montré que l'indium ségrègue en surface lors de la croissance par épitaxie par jets moléculaires d'In(x)Ga(1-x)Sb sur GaSb, ce qui avait déjà été observé pour ce type de matériau. Il est possible d'éliminer le gradient de composition à cette interface en mouillant la surface d'indium avant la croissance de l'alliage. L'épaisseur d'indium en surface dépend de la température et peut être évaluée par un modèle simple simulant la ségrégation. Dans le cas d'un puits quantique, il y aura une seconde interface GaSb sur In(x)Ga(1-x)Sb où l'indium de surface ira s'incorporer. La croissance de quelques monocouches de GaSb à basse température immédiatement après la croissance de l'alliage permet d'incorporer rapidement ces atomes d'indium et de garder la seconde interface abrupte. Lorsque la composition d'indium ne change plus dans la couche, cette composition correspond au rapport de flux d'atomes d'indium sur celui des éléments III. L'arsenic, dont la source fournit principalement des tétramères, ne s'incorpore pas de la même manière. Les tétramères occupent deux sites en surface et doivent interagir par paire afin de créer des dimères d'arsenic. Ces derniers pourront alors être incorporés dans l'alliage. Un modèle de cinétique de surface a été élaboré afin de rendre compte de la diminution d'incorporation d'arsenic en augmentant le rapport V/III pour une composition nominale d'arsenic fixe dans l'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y). Ce résultat s'explique par le fait que les réactions de deuxième ordre dans la décomposition des tétramères d'arsenic ralentissent considérablement la réaction d'incorporation et permettent à l'antimoine d'occuper majoritairement la surface. Cette observation montre qu'il est préférable d'utiliser une source de dimères d'arsenic, plutôt que de tétramères, afin de mieux contrôler la composition d'arsenic dans la couche. Des puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur GaSb ont été fabriqués et caractérisés optiquement afin d'observer le passage de recombinaison de type I à type II. Cependant, celui-ci n'a pas pu être observé puisque les spectres étaient dominés par un niveau énergétique dans le GaSb dont la source n'a pu être identifiée. Un problème dans la source de gallium pourrait être à l'origine de ce défaut et la résolution de ce problème est essentielle à la continuité de ces travaux.
