996 resultados para Q-BITS


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在用半导体激光器抽运的单包层掺Yb调Q光纤激光器中观察到了清晰稳定的自锁模脉冲序列。脉冲包络形状为调Q脉冲。每个锁模脉冲的幅值由其在调Q脉冲中的相应位置决定。经过分析,认为自相位调制是调Q光纤激光器中产生锁模的主要原因。自相位调制的存在使得光脉冲的频谱被展宽,当这种展宽和腔的模式间隔相差不多时,腔内的模式便能相互作用,直到它们之间产生一个固定的相位关系。也即形成锁模。在此基础上。去掉声光晶体,并用两个光栅作为腔镜,实现了全光纤法布里-珀罗(F-P)腔锁模光纤激光器。改变腔结构,分别采用光栅和光纤反射圈作为

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采用面泵浦的CAMIL结构,我们研究了970 nm泵浦的Yb:YAG/YAG复合陶瓷薄片激光器,获得了连续和调Q的激光输出。在连续运转情况下,获得了最高1.05 W的激光输出,中心波长为1031 nm,后腔输出镜透射率为2%。我们同时获得了声光调Q的脉冲输出,重复频率从1 kHz到30 kHz,脉宽分别从166 ns到700 ns。

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报道了半导体激光器端面抽运不同结构的声光调Q的双包层光纤激光器的脉冲输出特性.对前向、后向不同抽运方式的掺镱调Q双包层光纤激光器在输出平均功率,调Q脉冲宽度及脉冲稳定性进行了对比及讨论;其中后向抽运的光纤激光器,在10kHz重复频率调制下,获得了斜效率为60%的平均功率输出,其脉冲宽度为52ns,单脉冲能量为0·3mJ.最后利用不同抽运方式下的速率方程,理论分析调Q脉冲的特性,分析结果与实验相符.

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为定量分析放大自发辐射(ASE)对调Q激光器性能的影响,在调Q激光速率方程中引入放大自发辐射项。并在合理的近似下求解,给出了激光二极管(LD)端面抽运电光调Q运转的固体激光器反转粒子数的建立过程,分析了放大自发辐射对激光上能级储能效率的影响及考虑放大自发辐射时调Q激光器输出脉冲宽度和脉冲能量随抽运功率的变化关系。结果表明,由于放大自发辐射的存在,上能级储能效率降低,且在一定的抽运功率下,调Q输出脉冲宽度变宽,脉冲能量下降。用LGS(La3Ga5SiO14)晶体作电光调Q元件,在激光二极管抽运的Nd:YVO

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报道了全固态激光器连续抽运高重复率电光调Q的实验和理论分析结果。用LGS(La3Ga5SiO14)晶体作电光调Q元件,在激光二极管(LD)端面抽运Nd:YVO4激光器中实现了较高重复率的电光调Q输出。实验中在10^4Hz重复率下,抽运功率为28w时,平均功率超过5W,脉冲宽度为7ns,峰值功率为70kW,并对不同重复率时的脉冲输出进行了比较,在低重复率下,脉宽〈6.5ns,峰值功率超过100kW。在理论上,通过对连续抽运时的电光调Q速率方程进行修正,并考虑放大自发辐射(ASE)的影响,对调Q激光器的储能过

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研究了激光二极管(LD)侧向抽运的Nd:YAG陶瓷电光调Q激光器的激光输出特性。该激光器采用九组激光二极管线阵列(LDA)侧面紧密环绕均匀排布的抽运结构,并用微通道热汇冷却技术冷却。在电光调Q方式下,重复频率为100Hz,抽运单脉冲能量为416mJ时,用尺寸为庐5mm×75mm,掺杂原子数分数为1%的Nd:YAG陶瓷棒,获得50mJ的1064nm激光输出,脉冲宽度为12ns,斜率效率达24%。并实验测量和分析了偏振片,KD^*P晶体,四分之一波片等调Q器件的插入损耗。测量了输出激光时间波形和光斑的光强空间