Pigments based on Cr and Sb doped TiO2 prepared by microemulsion-mediated solvothermal synthesis for inkjet printing on ceramics

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

The SB-index and the HSB-index: efficient indices for spatial data warehouses

Spatial data warehouses (SDWs) allow for spatial analysis together with analytical multidimensional queries over huge volumes of data. The challenge is to retrieve data related to ad hoc spatial query windows according to spatial predicates, avoiding the high cost of joining large tables. Therefore, mechanisms to provide efficient query processing over SDWs are essential. In this paper, we propose two efficient indices for SDW: the SB-index and the HSB-index. The proposed indices share the following characteristics. They enable multidimensional queries with spatial predicate for SDW and also support predefined spatial hierarchies. Furthermore, they compute the spatial predicate and transform it into a conventional one, which can be evaluated together with other conventional predicates by accessing a star-join Bitmap index. While the SB-index has a sequential data structure, the HSB-index uses a hierarchical data structure to enable spatial objects clustering and a specialized buffer-pool to decrease the number of disk accesses. The advantages of the SB-index and the HSB-index over the DBMS resources for SDW indexing (i.e. star-join computation and materialized views) were investigated through performance tests, which issued roll-up operations extended with containment and intersection range queries. The performance results showed that improvements ranged from 68% up to 99% over both the star-join computation and the materialized view. Furthermore, the proposed indices proved to be very compact, adding only less than 1% to the storage requirements. Therefore, both the SB-index and the HSB-index are excellent choices for SDW indexing. Choosing between the SB-index and the HSB-index mainly depends on the query selectivity of spatial predicates. While low query selectivity benefits the HSB-index, the SB-index provides better performance for higher query selectivity.

Phasengleichgewichte, Kristallstrukturen und elektrische Eigenschaften der Verbindungen in ternären Systemen M-M’-{Sn, Sb, Bi}

In dieser Arbeit wurden isotherme Schnitte der ternären Systeme Ti-Fe-Sb, Zr-Fe-Sb und Nb-Fe-Sb bei 800 bzw. 600 °C untersucht. Die Bildung von vier von den Binärbereichen getrennten ternären Verbindungen im System Ti-Fe-Sb, drei im System Zr-Fe-Sb und einer Verbindung im System Nb-Fe-Sb wurde festgestellt bzw. bestätigt. In den ersten zwei Systemen ist die Bildung von festen Lösungen auf der Basis von binären sowie ternären Phasen stark ausgeprägt. Es wurde die Abhängigkeit des Strukturtyps der Laves-Phasen M(Fe???Sb?)??? (M = Ti, Zr, Nb) von der Elektronenkonzentration und den Atomradien der Komponenten gezeigt. 18 isotype Verbindungen M?Me’???X??? (M = Zr, Hf; M’ = Fe, Co, Ni; X = Sn, Sb, Bi) des geordneten Fe?P-Strukturtyps wurden synthetisiert. Die Untersuchungen der Transporteigenschaften dieser Verbindungen belegen deren metallischen Charakter. Es wurde die Bildung der neuen equiatomen Verbindungen in den Systemen Zr-Cu-Sn und Hf-Cu-Sn der Strukturtypen TiNiSi bzw. LiGaGe und der Verbindung HfFe???Sb des TiNiSi-Strukturtyps festgestellt. Die Transporteigenschaften der Reihe von festen Lösungen V???Ti?FeSb wurden untersucht. Es wurde gezeigt, dass die größte Erhöhung des Seebeck-Koeffizienten bei der kleinen Konzentration der vierten Komponente erreicht wird. Der höchste Wert des Seebeck-Koeffizienten (370 ?V/K bei 380 K) wurde für die Zusammensetzung V????Ti????FeSb festgestellt. Die Serie der quaternären Phasen Sc???Nb???NiSn, ZrNiIn???Sb???, HfNiIn???Sb???, ZrCo???Cu???Sn und HfCo???Cu???Sn. zeigt die Möglichkeit der Phasenbildung der Strukturtypen AlLiSi, LiGaGe bzw. TiNiSi auch im Fall der Abwesenheit einer oder beider ternärer Randverbindungen. Für die Verbindung Sc???Nb???NiSn wurden Halbleitereigenschaften festgestellt. Insgesamt wurde die Kristallstruktur der 25 neuen, zum ersten Mal synthetisierten ternären und quaternären Verbindungen bestimmt. Schlüsselwörter: Phasendiagramm, Phasengleichgewicht, Kristallstruktur, intermetallische Verbindungen, Halb-Heusler-Verbindungen, thermoelektrische Materialien, elektrischer Widerstand, Seebeck-Koeffizient.

Geochemical parameters of sediments and water of the Black Sea, data of Cruise 8 of R/V Vityaz-2

The book presents results of comprehensive geological investigations carried out during Cruise 8 of R/V "Vityaz-2" to the western part of the Black Sea in 1984. Systematic studies in the Black Sea during about hundred years have not weakened interest in the sea. Lithological and geochemical studies of sediments in estuarine areas of the Danube and the Kyzyl-Irmak rivers, as well as in adjacent parts of the deep sea and some other areas were the main aims of the cruise. Data on morphological structures of river fans, lithologic and chemical compositions of sediments in the fans and their areal distribution, forms of occurrence of chemical elements, role of organic matter and gases in sedimentation and diagenesis are given and discussed in the book.

Description and 238U, 234U, 232Th and 230Th measurements of the manganese nodule analysed from station SO79_63KG, R/V SONNE

Thorium and uranium isotopes were measured in a diagenetic manganese nodule from the Peru basin applying alpha- and thermal ionization mass spectrometry (TIMS). Alpha-counting of 62 samples was carried out with a depth resolution of 0.4 mm to gain a high-resolution Th-230(excess) profile. In addition, 17 samples were measured with TIMS to obtain precise isotope concentrations and isotope ratios. We got values of 0.06-0.59 ppb (Th-230), 0.43-1.40 ppm (Th-232), 0.09-0.49 ppb (U-234) and 1.66-8.24 ppm (U-238). The uranium activity ratio in the uppermost samples (1-6 mm) and in two further sections in the nodule at 12.5+/-1.0 mm and 27.3-33.5 mm comes close to the present ocean wa ter value of 1.144+/-0.004. In two other sections of the nodule, this ratio is significantly higher, probably reflecting incorporation of diagenetic uranium. The upper 25 mm section of the Mn nodule shows a relatively smooth exponential decrease in the Th-230(excess) concentration (TIMS). The slope of the best fit yields a growth rate of 110 mm/Ma up to 24.5 mm depth. The section from 25 to 30.3 mm depth shows constant Th-230(excess) concentrations probably due to growth rates even faster than those in the top section of the nodule. From 33 to 50 mm depth, the growth rate is approximately 60 mm/Ma. Two layers in the nodule with distinct laminations (11-15 and 28-33 mm depth) probably formed during the transition from isotopic stage 8 to 7 and in stage 5e, respectively. The Mn/Fe ratio shows higher values during interglacials 5 and 7, and lower ones during glacials 4 and 6. A comparison of our data with data from adjacent sediment cores suggests (a) a variable sb supply of hydrothermal Mn to sediments and Mn nodules of the Peru basin or (b) suboxic conditions at the water sediment interface during periods with lower Mn/Fe ratios.

Projeto SB Brasil 2010 - pesquisa nacional de saúde bucal revela importante redução da cárie dentária no país

O Projeto SB Brasil 2010, planejado e executado por órgãos do SUS, nos âmbitos federal, estadual e municipal, e de universidades brasileiras, por meio de Centros Colaboradores do Ministério da Saúde se constitui em recurso de valor estratégico para aprofundar os conhecimentos sobre os agravos bucais no país, e dá contribuição inestimável para orientar os rumos da PNSB e avançar na construção de um modelo de atenção pautado na Vigilância à Saúde

Projeto SB Brasil 2010 - pesquisa nacional de saúde bucal revela importante redução da cárie dentária no país

O Projeto SB Brasil 2010, planejado e executado por órgãos do SUS, nos âmbitos federal, estadual e municipal, e de universidades brasileiras, por meio de Centros Colaboradores do Ministério da Saúde se constitui em recurso de valor estratégico para aprofundar os conhecimentos sobre os agravos bucais no país, e dá contribuição inestimável para orientar os rumos da PNSB e avançar na construção de um modelo de atenção pautado na Vigilância à Saúde

Projeto SB Brasil 2010: elemento estratégico na construção de um modelo de vigilância em saúde bucal

O projeto começou a ser pensado no âmbito do Comitê Técnico Assessor (CTA) em Vigilância em Saúde Bucal do Ministério da Saúde desde abril de 2009. Foi submetido à consulta pública durante o mês de junho de 2009, resultando em uma participação significativa de diversos setores em seu processo de construção. Desde então, foi formado um Grupo Gestor que, por intermédio de oito Centros Colaboradores localizados nas diversas regiões do país, tem conduzido o projeto a partir de oficinas de trabalho nos estados e treinamento das equipes de campo.

Projeto SB Brasil 2010: elemento estratégico na construção de um modelo de vigilância em saúde bucal

O projeto começou a ser pensado no âmbito do Comitê Técnico Assessor (CTA) em Vigilância em Saúde Bucal do Ministério da Saúde desde abril de 2009. Foi submetido à consulta pública durante o mês de junho de 2009, resultando em uma participação significativa de diversos setores em seu processo de construção. Desde então, foi formado um Grupo Gestor que, por intermédio de oito Centros Colaboradores localizados nas diversas regiões do país, tem conduzido o projeto a partir de oficinas de trabalho nos estados e treinamento das equipes de campo.

Comprendre et maîtriser le passage de type I à type II de puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur substrat de GaSb

Les antimoniures sont des semi-conducteurs III-V prometteurs pour le développement de dispositifs optoélectroniques puisqu'ils ont une grande mobilité d'électrons, une large gamme spectrale d'émission ou de détection et offrent la possibilité de former des hétérostructures confinées dont la recombinaison est de type I, II ou III. Bien qu'il existe plusieurs publications sur la fabrication de dispositifs utilisant un alliage d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) qui émet ou détecte à une certaine longueur d'onde, les détails, à savoir comment sont déterminés les compositions et surtout les alignements de bande, sont rarement explicites. Très peu d'études fondamentales sur l'incorporation d'indium et d'arsenic sous forme de tétramères lors de l'épitaxie par jets moléculaires existent, et les méthodes afin de déterminer l'alignement des bandes des binaires qui composent ces alliages donnent des résultats variables. Un modèle a été construit et a permis de prédire l'alignement des bandes énergétiques des alliages d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) avec celles du GaSb pour l'ensemble des compositions possibles. Ce modèle tient compte des effets thermiques, des contraintes élastiques et peut aussi inclure le confinement pour des puits quantiques. De cette manière, il est possible de prédire la transition de type de recombinaison en fonction de la composition. Il est aussi montré que l'indium ségrègue en surface lors de la croissance par épitaxie par jets moléculaires d'In(x)Ga(1-x)Sb sur GaSb, ce qui avait déjà été observé pour ce type de matériau. Il est possible d'éliminer le gradient de composition à cette interface en mouillant la surface d'indium avant la croissance de l'alliage. L'épaisseur d'indium en surface dépend de la température et peut être évaluée par un modèle simple simulant la ségrégation. Dans le cas d'un puits quantique, il y aura une seconde interface GaSb sur In(x)Ga(1-x)Sb où l'indium de surface ira s'incorporer. La croissance de quelques monocouches de GaSb à basse température immédiatement après la croissance de l'alliage permet d'incorporer rapidement ces atomes d'indium et de garder la seconde interface abrupte. Lorsque la composition d'indium ne change plus dans la couche, cette composition correspond au rapport de flux d'atomes d'indium sur celui des éléments III. L'arsenic, dont la source fournit principalement des tétramères, ne s'incorpore pas de la même manière. Les tétramères occupent deux sites en surface et doivent interagir par paire afin de créer des dimères d'arsenic. Ces derniers pourront alors être incorporés dans l'alliage. Un modèle de cinétique de surface a été élaboré afin de rendre compte de la diminution d'incorporation d'arsenic en augmentant le rapport V/III pour une composition nominale d'arsenic fixe dans l'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y). Ce résultat s'explique par le fait que les réactions de deuxième ordre dans la décomposition des tétramères d'arsenic ralentissent considérablement la réaction d'incorporation et permettent à l'antimoine d'occuper majoritairement la surface. Cette observation montre qu'il est préférable d'utiliser une source de dimères d'arsenic, plutôt que de tétramères, afin de mieux contrôler la composition d'arsenic dans la couche. Des puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur GaSb ont été fabriqués et caractérisés optiquement afin d'observer le passage de recombinaison de type I à type II. Cependant, celui-ci n'a pas pu être observé puisque les spectres étaient dominés par un niveau énergétique dans le GaSb dont la source n'a pu être identifiée. Un problème dans la source de gallium pourrait être à l'origine de ce défaut et la résolution de ce problème est essentielle à la continuité de ces travaux.

The development of planar high-K/III-V p-channel MOSFETs for post-silicon CMOS

Conventional Si complementary-metal-oxide-semiconductor (CMOS) scaling is fast approaching its limits. The extension of the logic device roadmap for future enhancements in transistor performance requires non-Si materials and new device architectures. III-V materials, due to their superior electron transport properties, are well poised to replace Si as the channel material beyond the 10nm technology node to mitigate the performance loss of Si transistors from further reductions in supply voltage to minimise power dissipation in logic circuits. However several key challenges, including a high quality dielectric/III-V gate stack, a low-resistance source/drain (S/D) technology, heterointegration onto a Si platform and a viable III-V p-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (MOSFET), need to be addressed before III-Vs can be employed in CMOS. This Thesis specifically addressed the development and demonstration of planar III-V p-MOSFETs, to complement the n-MOSFET, thereby enabling an all III-V CMOS technology to be realised. This work explored the application of InGaAs and InGaSb material systems as the channel, in conjunction with Al2O3/metal gate stacks, for p-MOSFET development based on the buried-channel flatband device architecture. The body of work undertaken comprised material development, process module development and integration into a robust fabrication flow for the demonstration of p-channel devices. The parameter space in the design of the device layer structure, based around the III-V channel/barrier material options of In_x≥0.53Ga_1-xAs/In_0.52Al_0.48As and In_x≥0.1Ga_1-xSb/AlSb, was systematically examined to improve hole channel transport. A mobility of 433 cm²/Vs, the highest room temperature hole mobility of any InGaAs quantum-well channel reported to date, was obtained for the In_0.85Ga_0.15As (2.1% strain) structure. S/D ohmic contacts were developed based on thermally annealed Au/Zn/Au metallisation and validated using transmission line model test structures. The effects of metallisation thickness, diffusion barriers and de-oxidation conditions were examined. Contacts to InGaSb-channel structures were found to be sensitive to de-oxidation conditions. A fabrication process, based on a lithographically-aligned double ohmic patterning approach, was realised for deep submicron gate-to-source/drain gap (L_side) scaling to minimise the access resistance, thereby mitigating the effects of parasitic S/D series resistance on transistor performance. The developed process yielded gaps as small as 20nm. For high-k integration on GaSb, ex-situ ammonium sulphide ((NH₄)₂S) treatments, in the range 1%-22%, for 10min at 295K were systematically explored for improving the electrical properties of the Al₂O₃/GaSb interface. Electrical and physical characterisation indicated the 1% treatment to be most effective with interface trap densities in the range of 4 - 10×10¹²cm^-2eV^-1 in the lower half of the bandgap. An extended study, comprising additional immersion times at each sulphide concentration, was further undertaken to determine the surface roughness and the etching nature of the treatments on GaSb. A number of p-MOSFETs based on III-V-channels with the most promising hole transport and integration of the developed process modules were successfully demonstrated in this work. Although the non-inverted InGaAs-channel devices showed good current modulation and switch-off characteristics, several aspects of performance were non-ideal; depletion-mode operation, modest drive current (I_d,sat=1.14mA/mm), double peaked transconductance (g_m=1.06mS/mm), high subthreshold swing (SS=301mV/dec) and high on-resistance (R_on=845kΩ.μm). Despite demonstrating substantial improvement in the on-state metrics of I_d,sat (11×), g_m (5.5×) and R_on (5.6×), inverted devices did not switch-off. Scaling gate-to-source/drain gap (L_side) from 1μm down to 70nm improved I_d,sat (72.4mA/mm) by a factor of 3.6 and gm (25.8mS/mm) by a factor of 4.1 in inverted InGaAs-channel devices. Well-controlled current modulation and good saturation behaviour was observed for InGaSb-channel devices. In the on-state In_0.3Ga_0.7Sb-channel (I_d,sat=49.4mA/mm, g_m=12.3mS/mm, R_on=31.7kΩ.μm) and In_0.4Ga_0.6Sb-channel (I_d,sat=38mA/mm, g_m=11.9mS/mm, R_on=73.5kΩ.μm) devices outperformed the InGaAs-channel devices. However the devices could not be switched off. These findings indicate that III-V p-MOSFETs based on InGaSb as opposed to InGaAs channels are more suited as the p-channel option for post-Si CMOS.

Comprendre et maîtriser le passage de type I à type II de puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur substrat de GaSb

Les antimoniures sont des semi-conducteurs III-V prometteurs pour le développement de dispositifs optoélectroniques puisqu'ils ont une grande mobilité d'électrons, une large gamme spectrale d'émission ou de détection et offrent la possibilité de former des hétérostructures confinées dont la recombinaison est de type I, II ou III. Bien qu'il existe plusieurs publications sur la fabrication de dispositifs utilisant un alliage d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) qui émet ou détecte à une certaine longueur d'onde, les détails, à savoir comment sont déterminés les compositions et surtout les alignements de bande, sont rarement explicites. Très peu d'études fondamentales sur l'incorporation d'indium et d'arsenic sous forme de tétramères lors de l'épitaxie par jets moléculaires existent, et les méthodes afin de déterminer l'alignement des bandes des binaires qui composent ces alliages donnent des résultats variables. Un modèle a été construit et a permis de prédire l'alignement des bandes énergétiques des alliages d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) avec celles du GaSb pour l'ensemble des compositions possibles. Ce modèle tient compte des effets thermiques, des contraintes élastiques et peut aussi inclure le confinement pour des puits quantiques. De cette manière, il est possible de prédire la transition de type de recombinaison en fonction de la composition. Il est aussi montré que l'indium ségrègue en surface lors de la croissance par épitaxie par jets moléculaires d'In(x)Ga(1-x)Sb sur GaSb, ce qui avait déjà été observé pour ce type de matériau. Il est possible d'éliminer le gradient de composition à cette interface en mouillant la surface d'indium avant la croissance de l'alliage. L'épaisseur d'indium en surface dépend de la température et peut être évaluée par un modèle simple simulant la ségrégation. Dans le cas d'un puits quantique, il y aura une seconde interface GaSb sur In(x)Ga(1-x)Sb où l'indium de surface ira s'incorporer. La croissance de quelques monocouches de GaSb à basse température immédiatement après la croissance de l'alliage permet d'incorporer rapidement ces atomes d'indium et de garder la seconde interface abrupte. Lorsque la composition d'indium ne change plus dans la couche, cette composition correspond au rapport de flux d'atomes d'indium sur celui des éléments III. L'arsenic, dont la source fournit principalement des tétramères, ne s'incorpore pas de la même manière. Les tétramères occupent deux sites en surface et doivent interagir par paire afin de créer des dimères d'arsenic. Ces derniers pourront alors être incorporés dans l'alliage. Un modèle de cinétique de surface a été élaboré afin de rendre compte de la diminution d'incorporation d'arsenic en augmentant le rapport V/III pour une composition nominale d'arsenic fixe dans l'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y). Ce résultat s'explique par le fait que les réactions de deuxième ordre dans la décomposition des tétramères d'arsenic ralentissent considérablement la réaction d'incorporation et permettent à l'antimoine d'occuper majoritairement la surface. Cette observation montre qu'il est préférable d'utiliser une source de dimères d'arsenic, plutôt que de tétramères, afin de mieux contrôler la composition d'arsenic dans la couche. Des puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur GaSb ont été fabriqués et caractérisés optiquement afin d'observer le passage de recombinaison de type I à type II. Cependant, celui-ci n'a pas pu être observé puisque les spectres étaient dominés par un niveau énergétique dans le GaSb dont la source n'a pu être identifiée. Un problème dans la source de gallium pourrait être à l'origine de ce défaut et la résolution de ce problème est essentielle à la continuité de ces travaux.

The mutable nature of particle-core excitations with spin in the one-valence-proton nucleus Sb-133

The gamma-ray decay of excited states of the one-valence-proton nucleus Sb-133 has been studied using cold-neutron induced fission of U-235 and Pu-241 targets, during the EXILL campaign at the ILL reactor in Grenoble. By using a highly efficient HPGe array, coincidences between gamma-rays prompt with the fission event and those delayed up to several tens of microseconds were investigated, allowing to observe, for the first time, high-spin excited states above the 16.6 mu s isomer. Lifetimes analysis, performed by fast-timing techniques with LaBr3(Ce) scintillators, revealed a difference of almost two orders of magnitude in B(M1) strength for transitions between positive-parity medium-spin yrast states. The data are interpreted by a newly developed microscopic model which takes into account couplings between core excitations (both collective and non-collective) of the doubly magic nucleus Sn-132 and the valence proton, using Skyrme effective interaction in a consistent way. The results point to a fast change in the nature of particle-core excitations with increasing spin. (C) 2016 The Authors. Published by Elsevier B.V. This is an open access article under the CC BY license.

Statutory protections from forfeiture of a leasehold estate following Apriaden Pty Ltd v Seacrest Pty Ltd

In Apriaden Pty Ltd v Seacrest Pty Ltd the Victorian Court of Appeal decided that termination of a lease under common law contractual principles following repudiation is an alternative to reliance upon an express forfeiture provision in the lease and that it is outside the sphere of statutory protections given against the enforcing of a forfeiture. The balance of authority supports the first aspect of the decision. This article focuses on the second aspect of it, which is a significant development in the law of leases. The article considers the implications of this decision for essential terms of clauses in leases, argues that common law termination for breach of essential terms should be subject to compliance with these statutory requirements and, as an alternative, suggests a way forward through appropriate law reform, considering whether the recent Victorian reform goes far enough.

Raman spectroscopic study of the antimonate mineral brandholzite Mg[Sb(OH)12].6H2O

Raman spectra of brandholzite Mg[Sb(OH)6].6H2O were studied, complemented with infrared spectra, and related to the structure of the mineral. An intense Raman sharp band at 618 cm-1 is attributed to the SbO symmetric stretching mode. The low intensity band at 730 cm-1 is ascribed to the SbO antisymmetric stretching vibration. Low intensity Raman bands were found at 503, 526 and 578 cm-1. Corresponding infrared bands were observed at 527, 600, 637, 693, 741 and 788 cm-1. Four Raman bands observed at 1043, 1092, 1160 and 1189 cm-1 and eight infrared bands at 963, 1027, 1055, 1075, 1108, 1128, 1156 and 1196 cm-1 are assigned to δ SbOH deformation modes. A complex pattern resulting from the overlapping band of the water and hydroxyl units is observed. Raman bands are observed at 3240, 3383, 3466, 3483 and 3552 cm-1, infrared bands at 3248, 3434 and 3565 cm-1. The first two Raman bands and the first infrared band are assigned to water stretching vibrations. The two higher wavenumber Raman bands observed at 3466 and 3552 cm-1 and two infrared bands at 3434 and 3565 cm-1 are assigned to the stretching vibrations of the hydroxyl units. Observed Raman and infrared bands are connected with O-H…O hydrogen bonds and their lengths 2.72, 2.79, 2.86, 2.88 and 3.0 Å (Raman) and 2.73, 2.83 and 3.07 Å (infrared).