764 resultados para DIVARICATA(DIV).
Resumo:
Resumo:
本书适应于从事油气田开发、采油、钻井等专业的科研人员与工程技术人员阅读,亦可以供相关专业的大学教师研究生阅读。
目录
第一节 概述
第二节 围压与温度对岩石特性的影响
第三节 岩石孔隙中的流体效应
第四节 岩石的破裂
第二章 线弹性理论简述
第一节 广义Hook定律
第二节 正交各向异性线弹性体
第三节 横观各向同性线弹性体
第四节 各向同性线弹性体
第三章 经典塑性理论简述
第一节 屈服准则
第二节 加载和卸载准则
第三节 硬化规律
第四节 塑性公设
第五节 流动规则
第六节 塑性形变理论与塑性增量理论
第四章 套管的变形与损坏形态
第一节 套损问题的严重性
第二节 套损的形态
第五章 钻井完毕后的固结过程分析
第一节 流-固偶合过程基本方程
第二节 流-固偶合过程方程的解
第六章 断层附近注采井套变影响因素的研究
第一节 地应力
第二节 断裂活动与地应力
第三节 油井围岩中的应力场
第四节 断裂扩展对油井影响的实验模拟和数值分析
第五节 断层滑移引起应力场对套损影响的数值模拟
第七章 油藏开采地面下沉对套损的影响
第一节 油田开采引起地面沉降的力学模型
第二节 油藏开采地面下沉引起油井套管变形损伤的有限元分析
第八章 注水开采引起地层回弹对套损的影响
第一节 注水引起岩石特性的变化
第二节 水在断层中的作用
第三节 注水引起地层回弹对套损的影响
第九章 油井出砂对套损的影响
第一节 油井套管周围砂岩的应力及破坏分析
第二节 影响油井出砂的参量研究
第三节 油井出砂后形成空洞是如何引起套管破坏的
第十章 膨胀岩吸水后对油水井套管的挤压分析
第一节 膨胀岩的膨胀机理和影响岩石膨胀的主要因素
第二节 膨胀岩的本构关系
第三节 膨胀岩-油井套管相互作用的数值分析
第十一章 围岩蠕变对油水井套管变形损伤的影响
第一节 油井周围岩石的蠕变、膨胀及压缩
第二节 水平井段周围岩石的蠕变、膨胀及压缩
第三节 围岩蠕变对套管变形损伤影响的数值分析
第十二章 油井套管变形损坏的防范措施
第一节 油井套管的合理设计
第二节 提高完井固井质量
第三节 采取正确措施保持合理的开采运行
结束语
Resumo:
Resumo:
本书介绍了采用差分方法求解流体力学方程、数值模拟各种绕流流场的工作及不同类型的分离流流场的计算结果.
目录
Resumo:
目录
- 1.1 化合物的生成焓,反应焓及燃烧热
- 1.2 热化学定律
- 1.3 热力学平衡与自由能,化学平衡与反应自由能
- 1.4 质量作用定律及可逆反应的平衡常数
- 1.5 平衡常数和标准反应自由能的关系
- 1.6 温度和压力对平衡常数的影响
- 1.7 绝热火焰温度计算
- 1.8 化学动力学中采用的几个基本概念和定义
- 1.9 反应的分类
- 1.10 阿累尼乌斯(Arrhenius)定律
- 1.11 双分子反应碰撞理论
- 1.12 反应分子数及反应级数
- 1.13 影响化学反应的因素
- 1.14 链锁反应
- 5.1 燃烧波的两种形式――缓燃(或火焰正常传播)及爆震
- 5.3 马兰特和利-恰及利耶的简化分析法
- 5.4 层流火焰传播速度的无量纲分析法
- 5.5 泽尔多维奇和弗朗克-卡门涅茨基的分区近似解
- 5.6 分区近似解的改进
- 5.7 精确解
- 5.8 物理化学参数对S1的影响及对火焰厚度的影响
- 5.9 火焰传播界限
- 5.10 用层流火焰传播速度计算化学动力参数的方法
- 5.11 火焰的基本性质及火焰的几何学
- 5.12 本生灯火焰稳定的条件
- 5.13 层流火焰传播速度的实验测定
- 5.14 单组元燃料滴燃烧
Resumo:
Resumo:
Resumo:
The spring session of ACFM gave advice for a number of stocks in the North Atlantic, North Sea and Baltic. The situation is given here for stocks of higher importance for the German fishery. These are: Blue Whiting: A short term upwards trend is observed, which, however, will not last very long, due to too intense fishing. Cod in Kattegat: Stock is outside safe biological limits. No immediate recovery in sight. Cod in Sub. Div. 22– 24 (Baltic): Stock is outside safe biological limits. Due to weak recruitment not immediate recovery in prospect. Greenland Halibut: Stock outside safe biological limits and still in downward trend. Herring (atlanto-scandian, Norw. spring spawner): Stock inside safe biological limits, weak recruitment of the past 5 years will, however, lead to a reduction of the biomass. Redfish: Generally decreasing tendency observed, a reduction of the fishery is recommended.
Resumo:
《高等断裂力学》系统论述断裂力学的基本概念、理论基础、力学原理、分析方法以及断裂力学的实验测定和工程应用。深入阐明了断裂力学各个重要发展阶段的新颖学术思想和原创性工作,同时融会贯通地介绍了国内学者在作者熟悉的若干领域内的创造性贡献。 《高等断裂力学》共14章。第1章介绍断裂力学的历史背景和发展脉络;第2~5章介绍线弹性断裂力学;第6~8章论述弹塑性断裂力学;第9及第10章分别介绍疲劳裂纹扩展和界面裂纹;第11~14章阐述裂纹体弹性动力学和裂纹动态扩展。 《高等断裂力学》适合从事断裂力学研究和应用的科技工作者及工程师使用和参考,也可供力学专业的高年级本科生和研究生阅读参考.
目录
Resumo:
A via de sinalização da cinase regulada por fatores extracelulares, da família das proteínas cinases ativadas por mitógenos (MAPK/ERK) é importante tanto para a sobrevivência como para a progressão da diferenciação de oligodendrócitos. Neste trabalho, a via da MAPK/ERK foi avaliada na oligodendroglia in vitro com a utilização de inibidores da MEK. A morfologia celular, assim como a distribuição de proteínas foram analisadas em diferentes estágios de maturação da oligodendroglia. Culturas primárias de oligodendrócitos foram tratadas com os inibidores da MEK PD98059 ou U0126, aos 5 ou 11dias in vitro (div), por 30min, 24 ou 48h. A oligodendroglia foi distinguida com marcadores estágio-específicos: A2B5, 23nucleotídeo cíclico 3 fosfodiesterase (CNPase) e proteína básica de mielina (MBP), e classificada de acordo com sua morfologia em diferentes estágios de desenvolvimento. O tratamento aumentou significativamente o número de células com morfologia mais imatura e diminuiu o número de células maduras. Além disso, aumentou o número de células redondas e sem prolongamentos as quais não puderam ser classificadas em nenhum dos estágios de desenvolvimento da oligodendroglia. Os efeitos mais evidentes foram observados logo após o menor tempo de tratamento. Células redondas eram positivas para CNPase e MBP, porém não foram marcadas com A2B5 ou com NG2, indicando que seriam células maduras incapazes de estender ou manter seus prolongamentos. De fato, estas mudanças foram acompanhadas por alterações na distribuição de proteínas de oligodendrócitos como a MBP e a CNPase, assim como alterações em proteínas de citoesqueleto, como actina, tubulina e na cinase de adesão focal (FAK). A MBP foi observada nas células tratadas em um padrão de distribuição desorganizado e disperso, oposto ao padrão contínuo que é observado nas células das culturas controle. Além disso, o tratamento causou uma desorganização na distribuição da CNPase, actina e tubulina. Nas células das culturas controle, estas proteínas apresentam um padrão organizado compondo as estruturas de citoqueleto semelhantes a nervuras. Após um pequeno período de tratamento (30min), actina e tubulina apresentaram o mesmo padrão de marcação puntiforme que a CNPase apresentou. O tratamento também reduziu os pontos de adesão focal demonstrados pela FAK. Com o decorrer do tratamento, após 24 e 48h, actina e tubulina aparentavam estar se reorganizando em um padrão filamentar. Estes resultados indicam um efeito importante da via da MAPK/ERK na ramificação e alongamento dos prolongamentos dos oligodendrócitos, com possíveis consequências para a formação da bainha de mielina.
Resumo:
被子植物中,花对称性进化的一个重要方面就是从两侧对称向次生辐射对称的演化。唇形目是被子植物中以两侧对称花为主的类群,次生辐射对称花频繁发生。然而在分子发育水平上,除了模式植物金鱼草(Antirrhinum majus)和少数其他种外,从两侧对称花向次生辐射对称花演化的机制仍然是一个巨大的未被探索的领域。 在金鱼草和柳川鱼(Linaria vulgaris)中,腹部化反常整齐花的形成各自是由于CYC和LCYC的沉默所引起,这些基因沉默分别是由于转座子插入和DNA广泛甲基化所导致。在豆科(legumes)中,辐射对称花的形成是由于legCYC基因在所有五个花瓣均有表达,这相似于金鱼草中CYC基因同源异位表达所形成的背部化辐射对称花。然而,自然界中起源于不同的两侧对称花支系的许多次生辐射对称花好像并不是因为简单的花对称性基因功能丢失或者获得。因此,以模式植物突变体表型特征的分子机制作为研究出发点,通过对自然发生的次生辐射对称花进行详细研究探讨,有可能揭示两侧对称花向次生辐射对称花转变的新的演化途径,包括花对称性发育过程中不同基因的参与以及他们的表达在时间上的变化等。 苦苣苔科(Gesneriaceae)是唇形目(Lamiales sensu lato)其他类群的姊妹群, 以较弱的两侧对称花为特征,并拥有相当数量的次生辐射对称花种类;该科所拥有的辐射对称花属在唇形目所有科中占的比例最大。在苦苣苔科中,五数苣苔(Bournea leiophylla)是次生辐射对称花类群中具有两侧对称痕迹的代表类群,其花的发育过程显示出五数苣苔花经历了由花器官发育早期的两侧对称向成熟时期辐射对称的形态转变。这种发育模式暗示着五数苣苔的花可能起源于一个两侧对称花祖先;五数苣苔中控制花背腹非对称性的CYC类基因应该是有功能的,至少在花发育的早期是这样的。由于苦苣苔科和婆婆纳科(Veronicaceae)(金鱼草属于婆婆纳科)亲缘关系较近,而且CYC类基因的基本功能之一是导致背部雄蕊退化;因此五数苣苔中辐射对称花的形成很可能既不是由于CYC类基因失去,也不是因为CYC-类基因功能获得延伸或加强所致。在五数苣苔花发育过程中,从早期的两侧对称到成熟花的辐射对称的发育转变可能牵涉到TCP和MYB基因家族成员相互调节作用在时间和空间上的改变。因此,五数苣苔是探讨被子植物中次生辐射对称花新的进化途径的一个理想的候选材料。针对解决这一问题,我们对五数苣苔花进行了以下实验研究: 1 花器官发生过程的观察 成熟的五数苣苔花是辐射对称花,但是对花发育过程中花原基电镜扫描结果表明:在花器官起始和发育的早期,五数苣苔花是显著的两侧对称;但是随着进一步发育,这种两侧对称性逐步减弱,最后形成具有微弱两侧对称性痕迹的辐射对称花。 2 花对称性基因的克隆 我们应用RACE技术克隆得到了五数苣苔花对称性同源基因:BlDIV1、BlDIV2和BlRAD的翻译区全序列及其上下游非翻译区,得到了BlCYC1的3‘端翻译区和非翻译区序列。为了确定这些基因内含子的有无和位置,我们也从DNA中得到了相应同源基因的DNA序列,并且补全了BlCYC1的5‘端序列。同时也克隆到了一个没有在mRNA中得到的CYC同源基因BlCYC2。在该实验中我们第一次在金鱼草以外的类群中克隆得到了DIV和RAD的同源基因。 3 序列比较和分子系统发育分析 运用不同的比较软件和分子系统发育分析工具对五数苣苔的花对称性基因进行了比较和分析。结果表明:五数苣苔各种类型的花对称性基因和金鱼草的花对称基因在序列上是高度同源的,在分子系统发育上是非常近缘的。暗示着五数苣苔花对称性基因和金鱼草花对称性基因功能上的同源性。 4 花对称称性基因表达模式的分析 我们第一次运用组织原位杂交和RT-PCR技术对在金鱼草以外类群中所有已知类型花对称性同源基因的表达模式进行了实验研究。结果表明:五数苣苔花对称性基因的表达模式在花发育的早期类似于金鱼草;但是早期以后,BlCYC1和BlRAD被负调节,BlDIV的表达特异地在每个花瓣侧部边缘表达;这种表达结果和花的形态发生过程有很好的吻合。 上述研究表明:和金鱼草花对称基因的表达模式相比,五数苣苔三种类型花对称性基因在花发育过程中的时间和空间表达模式发生了改变;并且这种表达模式变化和五数苣苔花对称性由发育起始时期的两侧对称向成熟时期的辐射对称的转变是相互关联的。五数苣苔具有两侧对称性痕迹的辐射对称花和其他类群辐射对称花的比较显示:在五数苣苔中发育早期的两侧对称性应该是两侧对称性的遗迹;这是由于BlCYC1和BlRAD基因早期表达的保守性造成的。我们的结果揭示了一个新的花对称性演化路径:在花发育过程中,被CYC-like基因推动的RAD和DIV同源基因之间相互调节作用在时间和空间上的变化是花对称性从两侧对称向辐射对称转变或演化的基础;我们的发现还预示着:在一个调节网络的动态变化过程中,一个预先存在的两侧对称发育程序的修饰调节可能在被子植物次生辐射对称花多样性的形成中扮演重要角色。
Resumo:
The electronic band structures and optical gains of InAs1-xNx/GaAs pyramid quantum dots (QDs) are calculated using the ten-band k . p model and the valence force field method. The optical gains are calculated using the zero-dimensional optical gain formula with taking into consideration of both homogeneous and inhomogeneous broadenings due to the size fluctuation of quantum dots which follows a normal distribution. With the variation of QD sizes and nitrogen composition, it can be shown that the nitrogen composition and the strains can significantly affect the energy levels especially the conduction band which has repulsion interaction with nitrogen resonant state due to the band anticrossing interaction. It facilitates to achieve emission of longer wavelength (1.33 or 1.55 mu m) lasers for optical fiber communication system. For QD with higher nitrogen composition, it has longer emission wavelength and less detrimental effect of higher excited state transition, but nitrogen composition can affect the maximum gain depending on the factors of transition matrix element and the Fermi-Dirac distributions for electrons in the conduction bands and holes in the valence bands respectively. For larger QD, its maximum optical gain is greater at lower carrier density, but it is slowly surpassed by smaller QD as carrier concentration increases. Larger QD can reach its saturation gain faster, but this saturation gain is smaller than that of smaller QD. So the trade-off between longer wavelength, maximum optical, saturation gain, and differential gain must be considered to select the appropriate QD size according to the specific application requirement. (C) 2009 American Institute of Physics. [DOI: 10.1063/1.3143025]
Resumo:
Tunneling magnetoresistance (TMR) in Ga(0.9)2Mn(0.08)As/Al-O/Co40Fe40B20 trilayer hybrid structure as a function of temperature from 10 to 50 K with magnetic field vertical bar H vertical bar <= 2000 Oe has been studied. TMR ratio of 1.6% at low fields at 10 K was achieved with the applied current of 1 mu A. The behavior of junction resistance was well explained by the tunneling resistance across the barrier. Strong bias dependences of magnetoresistance and junction resistance were presented. (C) 2009 American Institute of Physics. [DOI: 10.1063/1.3068418]
Resumo:
FD SOI MOSFETs with MESA and Irradiated FD SOI MOSFETs with LOCOS isolation usually show the edge effect, that is, the leakage current called hump is generated in the subthreshold region. According to different reasons for generating the edge effect, rounded corner process and BTS structure are applied to improve device performance. The results indicate that the above two methods are effective to reduce the edge effect and qualified devices are fabricated successfully.