864 resultados para AIN
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The age-strengthening 2024 aluminum alloy was modified by a combination of plasma-based ion implantation (PBII) and solution-aging treatments. The depth profiles of the implanted layer were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The structure was studied by glancing angle X-ray diffraction (GXRD). The variation of microhardness with the indenting depth was measured by a nanoindenter. The wear test was carried on with a pin-on-disk wear tester. The results revealed that when the aluminum alloys were implanted with nitrogen at the solution temperature, then quenched in the vacuum chamber followed by an artificial aging treatment for an appropriate time, the amount of AIN precipitates by the combined treatment were more than that of the specimen implanted at ambient temperature. Optimum surface mechanical properties were obtained. The surface hardness was increased and the weight loss in a wear test decreased too.
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Segundo Rubens Borba de Moraes, tratam-se de relatos acerca do Rio de Janeiro, Pernambuco, Maranhão, Sergipe, Espírito Santo, São Paulo, Santa Catarina, Rio Grande do Sul, Minas Gerais, Mato Grosso, Goyas, Bahia, Rio Grande do Norte, Pará e outras províncias. Contém excertos de autores renomados como Southey, Beauchamp, Herrera, Barleus, Piso, Marcgraf, Hans Staden, d'Abeville, Vaz de Caminha, Léry, Cazal, Barrow, Lindley, Macartney, Mawe, Koster, Wied-Neuwied e outros. Grande parte das gravuras são reproduções, mas excelentes. O texto não é apenas uma mera compilação. Os seis volumes absolutamente completos, com todas as ilustrações, são raríssimos.
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A partir da leitura do livro Mínimos, Múltiplos e Comuns de João Gilberto Noll, este trabalho busca empreender um estudo sobre as relações entre a escrita do artista e tempo na figura dos instantes ficcionais, observando a questão do microrrelato e da exigência fragmentária (cf.P. Lacoue-Labarthe e Jean-Luc Nancy), na perspectiva do inacabado/unidade, o que projeta uma hipótese de conjunto constelar para a escrita de João Gilberto Noll. Inicialmente realiza-se uma reflexão de alguns temas importantes na fortuna crítica sobre o escritor, com a intenção de saber como estes reverberam na sua escrita para, em seguida, tratar do fragmento e suas perspectivas estéticas de inacabamento e de totalidade, com relação ao tempo e como dessas questões surge a metáfora crítica do instante ficcional. As leituras críticas usadas como operadores nortearam-se a partir das noções de fragmento (romântico), e de Acontecimento, relacionadas ao par conceitual Cronos/Aiôn deleuziano
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Em órgãos potencialmente importantes na resposta imune, como o baço, alternativas como o autoimplante de segmentos esplênicos, quando a esplenectomia total torna-se necessária, e a utilização de nutrientes com funcionalidade imunomoduladora vêm sendo estudadas, objetivando minimizar o efeito pró-inflamatório persistente da sepse abdominal. O objetivo deste trabalho foi avaliar o efeito do consumo de óleo de peixe na modulação da resposta inflamatória em animais submetidos a esplenectomia total isolada ou combinada com autoimplante esplênico e à indução de sepse abdominal, verificando a possível otimização na resposta pró-inflamatória e a regeneração funcional do autoimplante. Utilizamos 64 ratos machos da linhagem Wistar, com peso variando entre 140-200 g, aleatoriamente distribuídos em oito grupos: quatro grupos-controle (100% óleo de soja) e quatro grupos-intervenção (35% de óleo de peixe), cada um com oito animais. Os dos grupos-controle (animais alimentados com ração purificada, segundo AIN-93, com conteúdo lipídico constituído por 100% óleo de soja) foram: I sem intervenção cirúrgica e, 16 semanas após, submetidos à indução de sepse abdominal; II esplenectomia total isolada e, 16 semanas após, submetidos à indução de sepse abdominal; III esplenectomia total combinada com autoimplante esplênico e, 16 semanas após, submetidos à indução de sepse abdominal; e IV esplenectomia total combinada com autoimplante esplênico e, oito semanas após, submetidos à indução de sepse abdominal. Os dos grupos-intervenção (V a VIII) foram submetidos a procedimentos similares aos executados nos grupos I a IV, respectivamente, sendo a única modificação fundamentada na substituição de 35% do conteúdo lipídico da alimentação dos animais por óleo de peixe. Todos os animais foram submetidos a sepse induzida por ligadura e perfuração cecal (CLP). Coletamos amostras sanguíneas de todos os animais antes da indução da sepse (período 1) e 2 e 4 horas (períodos 2 e 3) após a indução da sepse abdominal. Verificou-se, a cada três dias, massa corporal (MC) e ingestão alimentar (IA). Analisamos as citocinas INF-γ, IL-6 e IL-10 por meio da tecnologia Luminex. Utilizamos o teste T de Student para análise estatística, considerando significativo com p≤0,05. Os dos grupos V, VI e VIII apresentaram maior consumo alimentar que seus controles. Os do grupo V apresentaram menores concentrações de IFN-γ em todos os períodos e maior IL-10 nos períodos 2 e 3. Os do grupo VI apresentaram menores concentrações de todas as citocinas: IFN-γ nos períodos 2 e 3; IL-6 nos períodos 1 e 2; e maior IL-10 nos períodos 1 e 2. Os do grupo VIII apresentaram menor IFN-γ no período 3, IL-6 no período 2, e maior IL-10 no período 1. Não observou-se diferenças nos do grupo VII em nenhuma das citocinas estudadas. Este estudo demonstrou que a utilização do óleo de peixe em pequena dose, consumido cronicamente, como parte do teor lipídico total da dieta e não de forma suplementar, é capaz de manter a massa corporal adequada e reduzir a resposta inflamatória à sepse abdominal induzida por CLP, aumentando a IL-10 plasmática em ratos que não sofreram intervenção cirúrgica, e parece favorecer a regeneração funcional precoce do autoimplante esplênico.
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Adolescentes apresentam rápido crescimento e intensas mudanças corporais que os tornam vulneráveis em termos nutricionais. A prática de restrições alimentares, bastante comum entre adolescentes, pode levar a inadequações nutricionais que parecem ser o primeiro sinal para o início de uma desordem alimentar (DA). A participação feminina no esporte e o número de casos de DA em adolescentes atletas de modalidades que exigem exposição do corpo, agilidade e leveza dos movimentos, como o tênis, têm aumentado nos últimos anos. As DA podem levar a complicações de saúde como irregularidades menstruais (IM) e baixa densidade mineral óssea (DMO), caracterizando a Tríade da Mulher Atleta (TMA). Desta forma, acredita-se que alguns componentes dietéticos podem ter associação com DA e seus agravos. O objetivo do presente estudo foi avaliar a associação de componentes dietéticos com desordens alimentares, irregularidades menstruais e composição corporal em adolescentes atletas tenistas e não atletas do sexo feminino. Trata-se de estudo do tipo transversal. Foram realizadas avaliações do desenvolvimento puberal pela auto-aplicação dos critérios de Tanner; da composição corporal pela absortometria radiológica de dupla energia (DXA); dos parâmetros dietéticos por registro alimentar de três dias alternados; das DA pela aplicação de três questionários validados (Eating Attitudes Test - EAT-26, Bulimic Investigatory Test, Edinburgh- BITE e o Body Shape Questionnaire - BSQ); do ciclo menstrual por questionário validado e da DMO também pelo DXA. A Tríade da Mulher Atleta (TMA) foi estabelecida pela presença concomitante de DA e/ou baixa disponibilidade de energia (BDE), IM e baixa DMO. Foram realizadas associações por meio de correlações de Spearman entre as variáveis numéricas de componentes dietéticos com DA e composição corporal. Também foram realizadas associações por meio do teste qui-quadrado, teste exato de Fisher ou prova binomial para as variáveis categóricas de adequação dos componentes dietéticos com DA e seus agravos. Participaram do estudo 75 adolescentes (25 tenistas, 50 não atletas) apresentando desenvolvimento puberal similar. Atletas obtiveram melhor perfil da composição corporal quanto ao tecido adiposo. Quanto à ingestão de macronutrientes, os carboidratos merecem destaque. Em ambos os grupos, a maioria das participantes apresentaram baixa ingestão de carboidratos, sendo este percentual de inadequação significativamente maior para as atletas. Os micronutrientes que obtiveram maior percentual de inadequação foram folato e cálcio em ambos os grupos. Verificou-se que 92%, 32% e 24% das atletas e 72%, 8% e 30% das não atletas preencheram critérios para DA e/ou BDE, IM e baixa massa óssea, respectivamente. Apesar de adolescentes atletas tenistas e não atletas apresentarem prevalência de DA similares, as não atletas apresentaram maior insatisfação com a imagem corporal pelo teste BSQ. No entanto, as atletas parecem estar em situação mais grave uma vez que apresentaram maior prevalência de BDE e de IM. A DMO e a prevalência de TMA foram similares entre os grupos. Foi verificada associação inversa e significativa entre alguns componentes dietéticos (principalmente energia e carboidratos) e os escores do teste BSQ. Foi possível concluir que a baixa ingestão de alguns componentes dietéticos, principalmente energia e carboidratos, podem funcionar como marcadores para desordens alimentares em ambos os grupos a fim de previnir posteriores consequências à saúde
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The Aquaculture for Income and Nutrition (AIN) project implemented by World Fish and funded by USAID, aims at increasing aquaculture production in 20 districts of Southern Bangladesh (Greater Khulna, Greater Barisal, Greater Jessore and Greater Faridpur) to reduce poverty and enhance nutritional status. As part of its initial scoping activities World Fish commissioned this value chain assessment on the market chains of carp fish seed (spawn, fry and fingerlings) in the southern region of Bangladesh. The purpose of this study is to obtain a clearer understanding of the volumes of fish produced and consumed in Southern Bangladesh and their origin (by system and location), their destination (by type of market, type of consumer and location), and to gain a clearer understanding of potential market based solutions to farmer’s problems, which the project could implement.
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On the metalorganic chemical vapour deposition growth of AlN, by adjusting H-2+N-2 mixture gas components, we can gradually control island dimension. During the Volmer - Weber growth, the 2-dimensional coalescence of the islands induces an intrinsic tensile stress. Then, this process can control the in-plane stress: with the N-2 content increasing from 0 to 3 slm, the in-plane stress gradually changes from 1.5 GPa tensile stress to - 1.2GPa compressive stress. Especially, with the 0.5 slm N-2 + 2.5 slm H-2 mixture gas, the in-plane stress is only 0.1 GPa, which is close to the complete relaxation state. Under this condition, this sample has good crystal and optical qualities.
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The strain state of 570nm AlXGa1-xN layers grown on 600nm GaN template by metal organic chemical vapor deposition was studied using Rutherford backscattering (RBS)/channeling and triple-axis X-ray diffraction measurements. The results showed that the degree of relaxation (R) of AlxGa1-xN layers increased almost linearly when x less than or equal to 0.42 and reached to 70% when x = 0.42. Above 0.42, the value of R varied slowly and AI(x)Ga(1-x)N layers almost full relaxed when x = 1 (AIN). In this work the underlying GaN layer was in compressive strain, which resulted in the reduction of lattice misfit between GaN and AlxGa1-xN, and a 570nm AlxGa1-xN layer with the composition of about 0.16 might be grown on GaN coherently from the extrapolation. The different shape of (0004) diffraction peak was discussed to be related to the relaxation. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
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We have studied the influence of the growth temperature of the high-temperature (HT) AIN buffer layer on the properties of the GaN epilayer which was grown on Si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). It was found that the crystal quality of the GaN epilayer strongly depends on the growth temperature of the HT-AIN buffer. The growth temperature of the AIN buffer to obtain high-quality GaN epilayers lies in a narrow window of several tens of degrees. When the temperature is lower than a certain temperature range, the appearance of AIN polycrystals results in the deterioration of the crystal quality of the AIN buffer layer, which is greatly disadvantageous to the coalescence of the GaN epilayer. Although the AIN buffer's crystal quality is improved as the growth temperature increases, the Si outdiffusion from the substrate is also enhanced when the temperature is higher than a certain temperature range, which will demolish the subsequent growth of the GaN epilayer. Therefore, there exists an optimum growth temperature range of the AIN buffer around 1080degreesC for the growth of high-quality GaN epilayers. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.
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We have investigated the effect of the thickness and layer number of the low-temperature A1N interlayer (LT-A1N IL) on the stress relaxation and the crystal quality of GaN epilayers grown on Si (111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition. It is found that the stress decreases with the increase of the LT-AIN IL thickness, but the crystal quality of the GaN epilayer goes worse quickly when the LT-AIN IL thickness is larger than 16 nm. This is because the increase of the LT-AIN IL thickness will increase the coalescence thickness of its upper GaN layer, which sensitively affects the crystal quality of the epilayer. Using multiple LT-AIN ILs is an effective method not only to reduce the stress, but also to improve the crystal quality of the GaN epilayer. With the increase of the interlayer number, the probability that dislocations are blocked increases and the probability that dislocations are produced at interfaces decreases. Thus, dislocations in the most upper part of GaN are reduced, resulting in the improvement of the crystal quality. Finally, it is suggested that when the total thickness of the epilayer is fixed, both the thickness and the number of the LT-AIN IL should be carefully designed to reduce the stress and improve the crystal quality of the epilayer simultaneously. (c) 2004 Elsevier B.V.. All rights reserved.
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In this paper, recent progresses in optical analysis of dislocation-related physical properties in GaN-based epilayers are surveyed with a brief review. The influence of dislocations on both near-band edge emission and yellow luminescence (YL) is examined either in a statistical way as a function of dislocation density or focused on individual dislocation lines with a high spatial resolution. Threading dislocations may introduce non-radiative recombination centers and enhance YL, but their effects are affected by the structural and chemical environment. The minority carrier diffusion length may be dependent on either dislocation density or impurity doping as confirmed by the result of photovoltaic spectra. The in situ optical monitoring of the strain evolution process is employed during GaN heteroepitaxy using an AIN interlayer. A typical transition of strain from compression to tension is observed and its correlation with the reduction and inclination of threading dislocation lines is revealed. (c) 2007 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
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The V/III ratio in the initial growth stage of metalorganic chemical vapor deposition has an important influence on the quality of a GaN epilayer grown on a low-temperature AIN buffer layer and c-plane sapphire substrate. A weaker yellow luminescence, a narrower half-width of the X-ray diffraction peak, and a higher electron mobility result when a lower V/III ratio is taken. The intensity of in situ optical reflectivity measurements indicates that the film surface is rougher at the beginning of GaN growth, and a longer time is needed for the islands to coalesce and for a quasi-two dimensional mode growth to start. A comparison of front- and back-illuminated photoluminescence spectra confirms that many threading dislocations are bent during the initial stage, leading to a better structural quality of the GaN layer. (C) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.
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To fabricate nitride-based ultraviolet optoelectronic devices, a deposition process for high-Al-composition AlGaN (Al content > 50%) films with reduced dislocation densities must be developed. This paper describes the growth of high-Al-composition AlGaN film on (0001) sapphire via a LT AIN nucleation layer by low pressure metalorganic chemical vapor deposition (LPMOCVD). The influence of the low temperature AIN buffer layer thickness on the high-Al-content AlGaN epilayer is investigated by triple-axis X-ray diffraction (TAXRD), scanning electron microscopy (SEM), and optical transmittance. The results show that the buffer thickness is a key parameter that affects the quality of the AlGaN epilayer. An appropriate thickness results in the best structural properties and surface morphology. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
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Al0.38Ga0.62N/AIN/GaN HEMT structures have been grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) on 2-inch sapphire substrates. Samples with AIN growth time of 0s (without AIN interlayer), 12, 15, 18 and 24s are characterized and compared. The electrical properties of two-dimensional electron gas (2DEG) are improved by introducing AIN interlayers. The AIN growth time in the range of 12-18s, corresponding to the AIN thickness of 1-1.5 nm, is appropriate for the design of Al0.38Ga0.62N/AIN/GaN HEMT structures. The lowest sheet resistance of 277 Omega sq(-1) and highest room temperature 2DEG mobility of 1460 cm(2)V(-1) s(-1) are obtained on structure with AIN growth time of 12s. The structure with AIN growth time of 15s exhibits the highest 2DEG concentration of 1.59 x 10(13) cm(-2) and the smallest RMS surface roughness of 0.2 nm. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
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We report the transmission-electron microscopy study of the defects in wurtzitic GaN films grown on Si(111) substrates with AIN buffer layers by the metal-organic chemical vapour deposition method. The In0.1Ga0.9N/GaN multiple quantum well (MQW) reduced the dislocation density by obstructing the mixed and screw dislocations passing through the MQW. No evident reduction of the edge dislocations density by the MQW was observed. It was found that dislocations with screw component can be located at the boundaries of sub-grains slightly in-plane misoriented.