994 resultados para Íons Ti3 e Ti4
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Resumen basado en el de la publicaci??n
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Here we describe results which teach us much about the mechanism of the reduction and oxidation of TiO2(110) by the application of scanning tunnelling microscopy imaging at high temperatures. Titania reduces at high temperature by thermal oxygen loss to leave localized (i.e. Ti3+) and delocalized electrons on the lattice Ti, and a reduced titania interstitial that diffuses into the bulk of the crystal. The interstitial titania can be recalled to the surface by treatment in very low pressures of oxygen, occurring at a significant rate even at 573 K. This re-oxidation occurs by re-growth of titania layers in a Volmer-Weber manner, by a repeating sequence in which in-growth of extra titania within the cross-linked (1 x 2) structure completes the (1 x 1) bulk termination. The next layer then initiates with the nucleation of points and strings which extend to form islands of cross-linked (1 x 2), which once again grow and fill in to reform the (1 x 1). This process continues in a cyclical manner to form many new layers of well-ordered titania. The details of the mechanism and kinetics of the process are considered.
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Several cis-dioxomolybdenum complexes of two tridentate ONS chelating ligands H2L1 and H2L2 ( obtained by condensation of S-benzyl and S-methyl dithiocarbazates with 2-hydroxyacetophenone) have been prepared and characterized. Complexes 1 and 2 are found to be of the form MoO2 (CH3OH)L-1.CH3OH and MoO2L, respectively, (where L2-=dianion of H2L1 and H2L2). The sixth coordination site of the complexes acts as a binding site for various neutral monodentate Lewis bases, B, forming complexes 3 - 10 of the type MoO2LB (where B=gamma-picoline, imidazole, thiophene, THF). The complexes were characterized by elemental analyses, various spectroscopic techniques, ( UV-Vis, IR and H-1 NMR), measurement of magnetic susceptibility at room temperature, molar conductivity in solution and by cyclic voltammetry. Two of the complexes MoO2(CH3OH)L-1.CH3OH (1) and MoO2L1(imz) (5) were structurally characterized by single crystal X-ray diffraction. Oxo abstruction reactions of 1 and 5 led to formation of oxomolybdenum(IV) complex of the MoOL type.
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The present work reports the chemistry of a few oxidovanadium(IV) and (V) complexes of the ONS chelating ligand S-benzyl-beta-N-(2-hydroxyphenylethylidine) dithiocarbazate (H2L). Major objective of this work is to arrive at some general conclusions about the influence of binding environment generated by the replacement of an O-donor center by a S-donor point in a ligand (of a similar arrangement of the other O- and N-donor points) on the redox behavior and on the structural features of comparable [VO(OEt)(ONS)] and [VO(OEt)(ONO)] complexes. Synthesis, characterization by various physicochemical techniques (UV-Vis, IR, EPR and elemental analysis), exploration of electrochemical activity of the oxidovanadium(V) complex [(VO)-O-V(OEt) L] (1), the mixed ligand complex [(VO)-O-V(N-O)L] (3) (where N-O is the mono anion of 8-hydroxyquinoline) and a binuclear complex [(VO)-O-V(OEt)L](2)(mu-4,4'-bipy) (2) are reported. Similar studies on of mixed ligand oxidovanadium(IV) complexes of the formula [(VO)-O-V(N-N)L] (4,5) (where N-N = 2,2'-bipy and o-phen) are also presented here. The [(VO)-O-V(OEt)L] complex is pentacoordinated and distorted square pyramidal, while the [V-IV(N-N)L] complexes are hexacoordinated and octahedral. Structural features of the complex 1 were compared with the corresponding aspects of the previously reported analogous complex [(VO)-O-V(OEt)(ONO)] (1').
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Usando a tcnica de Retroespalhamento Rutherford (RBS). no presente trabalho medimos a perda de energia e a flutuao estatstica da perda de energia (straggling) como funo da energia para ons de Li em alvos de silicio amorfo. Atravs do mtodo dos marcadores. com amostras produzidas por implantao inica e por epitaxia de feixe molecular,o poder de freamento foi medido em um intervalo de energia entre 250keV e 9MeV enquanto que o straggling foi determinado em um intervalo que foi de 450keV a 3MeV. Os resultados experimentais foram comparados com medidas prvias e com clculos semi-empiricos realizados por Ziegler. Biersack e Littmark e por Konac et el., sendo encontrado um razovel acordo terico-experimental. Foram tambm realizados clculos baseados nos modelos tericos de Aproximao por Convoluo Perturbativa (PCA) e Aproximao por Convoluo Unitria (UCA) propostos por Grande e Schiwielz O modelo PCA apresentou resultados aceitveis para energias acima de 6MeV enquanto que os valores apresentados pelo divergem dos valores experimentais para energias abaixo de 2MeV. As medidas de straggling quando comparados com as predies da teoria de Bohr mostraram discrepncias que foram entre 20% e 60%. Clculos feitos com a aproximao para encontros binrios (BEA) usando-se a seco de choque de Thompsom e a seco de choque proposta no trabalho de Vriens foram comparados com as medidas experimentais. Os resultados usando-se a seco de choque de Thompsom divergem por at 50%, enquanto que os valores calculados a seco de choque proposta por Vriens mostram uma concordncia razovel para energias abaixo de 1MeV.
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Esta tese trata de filmes finos de materiais dieltricos depositados por sputtering reativo e crescidos termicamente que so analisados por mtodos de feixes de ons. Como introduo aos nossos trabalhos, so abordados os princpios da deposio por sputtering com corrente contnua, com rdio-freqncias e em atmosferas reativas. Alm disso, so apresentados os princpios de crescimento trmico em fornos clssicos e em fornos de tratamento trmico rpido. Tambm so descritos em detalhe os mtodos anliticos de espectropia de retroespalhamento Rutheford e reaes nucleares ressonantes e no-ressonantes para medir as quantidades totais e os perfis de concentrao em funo da profundidade dos vrios istopos utilizados, bem como o mtodo de difrao de raios-X. No que concerne deposio por sputtering reativo de filmes finos de nitreto de silicio, nitreto de alumnio e nitreto duplo de titnio e alumnio, so estudados os processos de deposio, so caracterizados os filmes desses materiais e so estabelecidas correlaes entre caractersticas dos filmes e os parmetros de deposio. Quanto ao crescimento trmico em atmosferas reativas de filmes muito finos de xido, nitreto e oxinitreto de slicio, so apresentados modelos para o crescimento dos filmes de xido de slicio, estudada a influncia da limpeza do substrato de slicio nos mecanismos de crescimento dos filmes de xido de slicio e so elucidados aspectos dos mecanismos de nitretao trmica do slicio e de filmes de xido de slicio.
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As solues aquosas obtidas aps o tratamento final de efluentes de processos de eletrodeposio de Cd contm baixas concentraes de ons Cd2+. Neste trabalho determinaram-se as melhores condies para a utilizao de eletrodos de carbono vtreo reticulado (CVR) no polimento destas solues. A eletrodeposio do on Cd2+ sobre eletrodo de carbono vtreo reticulado de porosidades distintas, 30, 60 e 100 ppi, com e sem recobrimento com polipirrol, foi investigada em solues aquosas aeradas de cido sulfrico e sulfato de potssio em pH 4,8. Sob condies potenciostticas, uma elevada eficincia de remoo foi obtida para solues contendo 5 e 10 mg L-1 de on Cd2+, na faixa de potenciais entre 0,9 e 1,1 V para CVR e em 3,0 V para CVR recoberto com polipirrol (CVR-PPy0). Aps cada experimento de eletrodeposio, a diminuio da concentrao do on Cd2+ no eletrlito foi monitorada por voltametria de redissoluo andica. Neste experimenteo, empregando um eletrodo de gota pendente de mercrio sendo estes resultados comparados com medidas por espectrometria de emisso atmica (ICP). Para o eletrodo de CVR, neste intervalo de potenciais, -0,9 e 1,1 V, a eletrodeposio do on cdmio controlada por transporte de massa e a concentrao de ons cdmio varia exponencialmente com o tempo, seguindo uma cintica de pseudo primeira ordem. Para a concentrao 10 mg L-1 e usando eletrodo de CVR 30 ppi, as eficincias de corrente e de remoo determinadas a -1,1 V aps 30 minutos de eletrlise foram, 38 % e 97% , respectivamente. Para eletrodo de CVR 60 ppi foram encontrados 30 % e 99 %, respectivamente. Para o eletrodo de CVR-PPy0 a maior eficincia de remoo encontrada foi de 84% aps 90 minutos de eletrlise em 3,0 V, sendo a eficincia de corrente menor do que 2%. A presena de Cd metlico depositado na superfcie do eletrodo de CVR e CVR-PPy0 depois da reduo em 1,1 V e 3,0 V, respectivamente, foi confirmada por anlise de Microscopia Eeletrnica de Varredura (MEV) e espectrometria de energia dispersiva (EDS).
Dinmica estocstica de ons sujeitos a um conjunto quase-monocromtico de ondas do tipo hbrida inferior
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Neste trabalho, estudamos a interao de ons com um conjunto quase-monocromtico de ondas eletrostticas de frequncia na faixa das frequncias hbridas inferiores, propagando-se perpendicularmente a um campo magntico uniforme. Consideramos que as fases das ondas so aleatoriamente distribudas (ondas incoerentes), tratando o caso de ondas de fases coerentes (ondas coerentes) como um caso particular. Derivamos o Hamiltoniano adequado a esse sistema, e deduzimos as equaes de movimento, cujas solues so analisadas numericamente, mostrando a ocorrncia de difuso estocstica no espaoo de fase ngulo-ao, para amplitudes de onda suficientemente grandes. Tambm fazemos estimativas sobre a amplitude mnima (threshold) para o aparecimento de ilhas de primeira ordem no espao de fase. Estimamos, tambm, o limiar para as ilhas de segunda ordem e de ordens maiores, bem como o limiar de estocasticidade. A anlise mostra que para o caso de vrias ondas o comportamento estocstico ocorre antes do limiar de estocasticidade comparado com o caso de uma onda. No caso de ondas coerentes, observa-se que o limiar de estocasticidade diminui com o aumento do nmero de ondas que compoem o conjunto de ondas, proporcionalmente ao inverso da raiz quadrada deste nmero, portanto, tendendo a ser nulo no limite em que o nmero de ondas no pacote tende a infinito. No caso de ondas incoerentes, observa-se tambm uma diminuio do limiar de estocasticidade com o aumento do nmero de ondas, mas nesse caso, saturando com valor at um tero do valor do limiar de estocasticidade para o caso de uma onda. Observa-se tambm que o limite superior da regio de estocasticidade no espao de fase aumenta com o aumento do nmero de ondas. No caso de ondas coerentes, esse aumento proporcional raiz cbica do nmero de ondas que compem o conjunto de ondas. No caso de ondas incoerentes o limite superior da regio de estocasticidade tm um aumento de at o dobro em relao ao caso de uma onda. A anlise tambm mostra que o mecanismo da estocasticidade para o caso de vrias ondas diferente do mecanismo atuante no caso de uma onda. No caso de uma onda, a estocasticidade ocorre por superposio de ilhas de ordens maiores do que um, com o aumento da intensidade da onda. No caso de vrias ondas, a presenaa de ondas de frequncias prximas frequncia de ressonncia causa pequenas perturbaes na trajetria principal das partculas, causada pela onda central, espalhando-a pelo espao de fase de forma mais eficiente que o mecanismo de estocasticidade para o caso de uma onda.
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A reciclagem dos resduos provenientes de atividades da indstria da construo civil est sendo uma prtica de fundamental importncia, tanto para o meio ambiente, quanto para a sociedade em geral. O entulho de construo civil que sai dos canteiros de obras, de demolio ou de restos de construo constitudo de uma mistura heterognea de materiais com grande potencial de reciclagem. A composio dos resduos de construo e demolio constitui-se numa alternativa para eliminar a nociva deposio de entulho s margens de vias pblicas, terrenos baldios, rios, e ao mesmo tempo obter materiais de construo mais econmicos e de qualidade assegurada. Muitos estudos j foram desenvolvidos com estes materiais, sendo avaliados, na sua grande maioria, em propriedades mecnicas e viabilidade tcnica da utilizao desses resduos incorporados ao concreto. Pouco se tm estudado sobre aspectos de durabilidade de concretos produzidos com agregados reciclados. Dessa forma, este trabalho teve como objetivo fazer um estudo relacionado durabilidade de concretos confeccionados a partir de agregados reciclados, analisando o comportamento do concreto quando submetido a um ataque de agentes agressivos, neste caso, os ons cloreto. O estudo apresenta resultados dos ensaios mecnicos de resistncia compresso axial, como parmetro de controle dos concretos produzidos. Para os ensaios de durabilidade, so apresentados resultados do potencial de corroso e taxa de corroso nas armaduras dos concretos obtidos com estes agregados, submetidos a um ataque de ons cloreto. Na produo dos concretos foram consideradas trs relaes gua/cimento (0,40; 0,60; 0,80) e trs percentuais de substituio do agregado natural pelo reciclado, que foram de 0%, 50% e 100% de substituio, tanto do agregado mido reciclado (AMR) quanto do agregado grado reciclado (AGR). Os resultados comprovaram que h uma grande resistncia por parte do concreto obtido com estes agregados, em permitir que a armadura sofra a ao dos ons cloreto, principalmente com aqueles obtidos com um maior percentual de substituio do agregado mido reciclado se comparado aos concretos produzidos sem substituio de material reciclado.
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Resumo no disponvel.
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Neste trabalho estudam-se as propriedades de nanoestruturas de Ge e Sn formadas em amostras de SiO2/Si(100) atravs dos processos de implantao inica e tratamento trmico. A formao de nanocristais de Ge foi investigada em funo de tratamentos trmicos em ambiente de N2. Os resultados obtidos foram correlacionados com as propriedades de luminescncia das amostras, sendo feita uma discusso sobre os mecanismos atmicos envolvidos no processo de crescimento dos nanocristais de Ge, bem como seus efeitos na criao de centros luminescentes no interior da camada de SiO2, que so responsveis por intensas bandas de fotoluminescncia (PL) nas regies espectrais do azul-violeta ( 3,2 eV) e ultravioleta ( 4,2 eV). Alm disso, experimentos de irradiao com diferentes ons (He+, Si+, Kr++, Au+) foram realizados antes da implantao do Ge com o objetivo de estudar o efeito de memria que os danos criados pela irradiao apresentam sobre as propriedades estruturais e luminescentes das amostras de SiO2/Si(100) No estudo das amostras de SiO2/Si(100) implantadas com Sn, a sntese de nanopartculas de Sn foi estudada em funo da temperatura e do ambiente de tratamento trmico (N2 e vcuo). De maneira pioneira mostrou-se que atravs da manipulao desses parmetros possvel formar desde grandes nanocristais bi-fsicos de Sn ( 12 a 25 nm) em estruturas concntricas com ncleo de -Sn e camada externa de SnOx, at pequenas nanopartculas de Sn com dimetros de 2 nm e uniformemente distribudas ao longo da camada de SiO2. Alm disso, observou-se que a evoluo estrutural do sistema de nanopartculas de Sn influencia diretamente as caractersticas das emisses de PL azul-violeta e UV. Por fim, um outro aspecto das nanoestruturas de Sn foi estudado: a formao de um denso arranjo de ilhas epitaxiais de -Sn na regio de interface SiO2/Si. Este sistema de nano-ilhas, que cresce epitaxialmente, uniformemente distribudo sobre a superfcie do Si, apresentando uma pequena disperso em tamanho e tendncia a se auto-organizar. A criao desse sistema de nano-ilhas epitaxiais atravs da utilizao da implantao inica um processo indito, sendo discutida aqui com base nas propriedades de equilbrio do sistema Sn-Si.
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O objetivo deste estudo foi investigar o processo de corroso no ao embutido nos concretos com relao a/agl 0,40; a/agl 0,50 e a/agl 0,70, com substituio parcial do cimento por 30% de cinza da casca de arroz (CCA), 25% ou 50% de cinza volante (CV), expresso por massa de cimento, obtendo-se concretos convencionais com resistncia mecnica variando entre 17 e 51 MPa, aos 28 dias de idade. O processo de corroso foi induzido pelos ons cloreto, por exposio aos ciclos de imerso em soluo com 3,5% NaCl e secagem ao ar, durante um longo perodo de exposio (5 anos). Foram apresentados os resultados obtidos das propriedades fsicas (resistncia mecnica compresso axial, ndice de vazios e absoro de gua) e propriedades eltricas (queda hmica, resistncia e capacitncia do concreto e interfacial). Foram discutidas as tcnicas eletroqumicas usadas para avaliar o processo de corroso, tais como o monitoramento do potencial de corroso (Ecorr), resistncia de polarizao (Rp), espectroscopia de impedncia eletroqumica (EIS) e curvas de polarizao. A tcnica de interrupo de corrente foi usada para obter-se informaes sobre a queda hmica no sistema. No presente estudo foram utilizados diferentes mtodos de determinao da velocidade de corroso (icorr), tais como Rp e EIS. Ambas as tcnicas foram relativamente adequadas para a determinao do valor da icorr, quando o ao se encontrava no estado de corroso ativa. O valor da icorr obtida pela extrapolao das retas de Tafel (retas tangentes s curvas de polarizao) tendeu ser mais baixo. Observou-se que a tcnica de Rp relativamente simples, rpida e quantitativa, mas requer a determinao da compensao da queda hmica no sistema, o qual pode variar com o tempo de exposio, contedo de umidade, teor de ons cloreto e com o grau de hidratao. A tcnica EIS pode fornecer informaes precisas sobre a icorr, processo de difuso envolvido, heterogeneidade ou porosidade da matriz e interfaces do concreto. Todavia, pode criar um espectro de difcil interpretao, alm de consumir muito tempo para a aquisio dos resultados. A dificuldade na tcnica EIS ficou tambm relacionada com a obteno direta da resistncia de transferncia de carga (Rt) no diagrama de Nyquist. A evoluo do processo de corroso pode ser mais bem avaliada pelo acompanhamento da diminuio da inclinao da curva log |Z| x log no diagrama de Bode, sendo esta diretamente proporcional Rt. Para a anlise dos dados de impedncia, um circuito equivalente foi proposto, auxiliando na interpretao fsica do processo de corroso acontecendo no sistema ao-concreto sem pozolana. Os resultados obtidos tambm demonstraram que os concretos com mais baixa relao a/agl estudada e com pozolana (30% CCA, 25% CV ou 50% CV, por massa de cimento) foram mais eficientes no controle da iniciao do processo de corroso, induzida por ons cloreto, quando monitorado pela medida do Ecorr.
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Este modelo parte de um conjunto de modelos 3D produzidos pela equipe de audiovisual da SEaD/UFSCar para o jogo de realidade virtual O Laboratrio de Qumica.
