Impact du genre et du modèle sur les mécanismes d’épileptogénèse dans le cerveau immature

Les modèles kainate et pentylènetétrazole représentent deux modèles d’épilepsie du lobe temporal dont les conséquences à long terme sont différentes. Le premier est un modèle classique d’épileptogénèse avec crises récurrentes spontanées tandis que le second se limite aux crises aigües. Nous avons d’abord caractérisé les différents changements survenant dans les circuits excitateurs et inhibiteurs de l’hippocampe adulte de rats ayant subi des crises à l’âge immature. Ensuite, ayant observé dans le modèle fébrile une différence du pronostic lié au genre, nous avons voulu savoir si cette différence était aussi présente dans des modèles utilisant des neurotoxines. L’étude électrophysiologique a démontré que les rats KA et PTZ, mâles comme femelles, présentaient une hyperactivité des récepteurs NMDA au niveau des cellules pyramidales du CA1, CA3 et DG. Les modifications anatomiques sous-tendant cette hyperexcitabilité ont été étudiées et les résultats ont montré une perte sélective des interneurones GABAergiques contenant la parvalbumine dans les couches O/A du CA1 des mâles KA et PTZ. Chez les femelles, seul le DG était légèrement affecté pour les PTZ tandis que les KA présentaient, en plus du DG, des pertes importantes au niveau de la couche O/A. Les évaluations cognitives ont démontré que seuls les rats PTZ accusaient un déficit spatial puisque les rats KA présentaient un apprentissage comparable aux rats normaux. Cependant, encore une fois, cette différence n’était présente que chez les mâles. Ainsi, nos résultats confirment qu’il y a des différences liées au genre dans les conséquences des convulsions lorsqu’elles surviennent chez l’animal immature.

Le développement de l'intérêt pour la politique chez les adolescents

Cette thèse étudie certains des facteurs liés au développement de l'intérêt pour la politique chez les adolescents à l'aide de trois articles. J'utilise des données provenant d'une enquête par questionnaires, conduite durant trois ans auprès de jeunes Montréalais étudiant au secondaire. Le premier article examine le rôle du réseau social (parents, amis et enseignants) dans le développement de l'intérêt. Je démontre que les parents qui discutent souvent de politique sont plus susceptibles d'avoir des enfants intéressés par la politique et dont l'intérêt se développera. Cependant, le rôle des autres agents de socialisation ne devrait pas être sous-estimé. Les amis ont souvent un effet similaire aux parents lorsqu'il s'agit du changement dans l'intérêt, et les résultats suggèrent que les enseignants, à travers certains cours comme ceux d'histoire, peuvent jouer un rôle civique important. Le deuxième article aborde la question de la causalité entre l'intérêt politique et trois attitudes: le cynisme, l'attachement partisan et le sens du devoir. Il s'agit de voir quel effet la présence de ces attitudes chez les adolescents a sur le développement de leur intérêt politique, et inversement, si l'intérêt a un effet sur le changement dans ces attitudes. Je démontre qu'il existe une relation de réciprocité entre l'intérêt et le cynisme, de même qu'entre l'intérêt et le sens du devoir. Cependant, dans le cas de l'attachement partisan, l'effet est unidirectionnel: le fait d'aimer un parti n'est pas lié à la présence d'intérêt ou de désintérêt politique, alors que cette attitude influence le développement de l'intérêt pour la politique. Le troisième article aborde la question du développement de l'intérêt à l'aide d'entrevues. Treize jeunes ayant répondu aux trois vagues de l'enquête par questionnaires ont été rencontrés et leurs commentaires permettent de répondre à trois questions de recherche: les jeunes ont-ils une image négative de la politique? Les jeunes fuient-ils la controverse? Leurs amis occupent-ils une place prépondérante dans le développement de leur intérêt? Ces jeunes expriment une opinion très nuancée de la politique, de même qu'un goût pour les débats et autres images concrètes de la politique. Par contre, leur intérêt ne se reflète pas dans un engagement soutenu. Enfin, leurs parents sont plus importants que leurs amis lorsqu'il s'agit du développement de leur intérêt pour la politique.

Élaboration d’un simulateur de gravure par plasma de haute densité basé sur une approche cellulaire pour l’étude de profils dans divers matériaux

La réalisation de dispositifs à des dimensions sous-micrométriques et nanométriques demande une maîtrise parfaite des procédés de fabrication, notamment ceux de gravure. La réalisation des ces dispositifs est complexe et les exigences en termes de qualité et de géométrie des profils de gravure imposent de choisir les conditions opératoires les mieux adaptées. Les simulations de l'évolution spatio-temporelle des profils de gravure que nous proposons dans cette thèse s'inscrivent parfaitement dans ce contexte. Le simulateur que nous avons réalisé offre la possibilité de mieux comprendre les processus qui entrent en jeu lors de la gravure par plasma de profils dans divers matériaux. Il permet de tester l'influence des paramètres du plasma sur la forme du profil et donc de déterminer les conditions opératoires optimales. La mise au point de ce simulateur s'appuie sur les concepts fondamentaux qui gouvernent la gravure par plasma. À partir de l'état des lieux des différentes approches numériques pouvant être utilisées, nous avons élaboré un algorithme stable et adaptable permettant de mettre en évidence l'importance de certains paramètres clés pour la réalisation de profils de gravure par un plasma à haute densité et à basse pression. Les capacités de cet algorithme ont été testées en étudiant d'une part la pulvérisation de Si dans un plasma d'argon et d'autre part, la gravure chimique assistée par les ions de SiO2/Si dans un plasma de chlore. Grâce aux comparaisons entre profils simulés et expérimentaux, nous avons montré l'importance du choix de certains paramètres, comme la nature du gaz utilisé et la pression du plasma, la forme initiale du masque, la sélectivité masque/matériau, le rapport de flux neutre/ion, etc. Nous avons aussi lié ces paramètres à la formation de défauts dans les profils, par exemple celle de facettes sur le masque, de parois concaves, et de micro-tranchées. Enfin, nous avons montré que le phénomène de redépôt des atomes pulvérisés entre en compétition avec la charge électrique de surface pour expliquer la formation de profils en V dans le Pt pulvérisé par un plasma d'argon.