997 resultados para PERTURBACIÓN DEL ORDEN PÚBLICO
Resumo:
En el cinturón hortícola platense áun conjunto de instituciones del sector público y privado, establecen redes de diálogo, en la que los sujetos interaccionan, en el marco de procesos de desarrollo regional. El trabajo tiene como objetivo, conocer yá analizar las redes de diálogo que contribuyen al desarrollo regional. Se utilizó una metodología de tipo cualitativa. Los resultados muestran la mayor densidad en las relaciones que se establecen desde distintas instituciones del sector público, para la ejecución de políticas. Asimismo, se visualiza el protagonismo e influencia que desde el sector privado, tienen los vendedores de insumos.
Resumo:
El objetivo general del presente artículo fue el de analizar la reconfiguración del nuevo orden económico internacional en el marco de la globalización a inicios del siglo XXI. Para tal fin, se examino el orden económico internacional a partir de la segunda guerra mundial. Se caracterizo las instituciones internacionales tomando en cuenta su estructura y los principales actores. Se estudió las diferentes etapas del orden económico internacional de la posguerra. La metodología aplicada fue el método hipotético deductivo y caracterizó por realizar una revisión documental –teórica y crítica. El tipo de investigación es descriptivo y su diseño no experimental transeccional. El resultado obtenido se concluye que después de la segunda guerra mundial la expansión del capitalista originó cambios en el sistema mundial con tendencia entre los dos milenios con el de proceso de globalización va ha a caracterizar el orden económico internacional en la primera parte del siglo XXI.
Resumo:
El comercio ha sido históricamente un elemento constitutivo primordial del espacio público. Desde el ágora griega y el foro romano hasta la ciudad decimonónica y moderna la función comercial se asocia indisolublemente a los espacios públicos más representativos, los que concentran la mayor densidad de vida urbana, de funciones representativas y simbólicas de la colectividad. En los países de Europa meridional surgen las primeras grandes superficies -hipermercados primero, centros comerciales integrados después- a comienzos de los años setenta. Los conceptos de proximidad, fácil accesibilidad peatonal, óptima comunicación a través de los medios de transporte colectivo, carácter público y multifuncional del soporte urbano (calles, avenidas, etc.) se alteran entonces profundamente para dar prioridad absoluta al automóvil y a la gestión privada del espacio y la organización comercial. En este contexto se ha realizado un análisis empírico sobre la localización y características de la estructura comercial de la ciudad incluyendo tanto las formas tradicionales (centro clásico, subcentro interiores, ejes comerciales de distrito, ejes o zonas de barrio) como las nuevas formas comerciales (nuevos subcentros periféricos a nivel ciudad o distrito, existentes o proyectados). Asimismo se hace un resumen comparativo de siete implantaciones comerciales representativas junto a una evaluación de los riesgos de polarización de la estructura comercial conjunta hacia las nuevas modalidades comerciales.
Resumo:
Con el presente trabajo no se pretende resolver la forma de colocar a esta típica industria forestal en el lugar que le corresponde por su importancia nacional; es necesario para esto una experimentación continua y paralela de campo y laboratorio, para la que no puede fijarse limitación de tiempo. Es un filón sin explotar, que en los comienzos no dará sino trabajo, pero que una vez en marcha lo devolverá convertido en riqueza. Aventurado es dar soluciones a problemas sin tener con ellos el tiempo de contacto que reclama la más elemental prudencia; por ésto al hacer la critica de los métodos seguidos hasta el día, tanto forestal como industrialmente, no debe de entenderse que se pretende poner cátedra en asunto en que, hasta el momento, tan poco se ha hecho. Leáse, en cuantas líneas pueda creerse esto, el deseo de que el progreso abra brecha en las murallas que parece que rodean a la industria espartera, en tantos de sus aspectos. Sirva esto de explicación para cuantas veces en estas páginas hablemos de modificaciones o transformaciones en lo que hemos visto en nuestras visitas a atochares y talleres, en los días de nuestra corta estancia en Cieza. Debe señalarse la extrañeza producida al ver que por algunos se cita como producción de una hectárea de atochar la cantidad de ¡500 a 1000 kilogramos de esparto seco!. Podemos asegurar que al menos en la zona por nosotros visitada, que es la más importante de España, no se llega a cifras ni aproximadas a ésas, como se verá más adelante. Se ha estudiado no sólo el atochar del monte público, número 48 del Catálogo, “Solana y Umbría del Cabezo del Asno”, señalado por la Comisión de Residencias de la Escuela Especial de Ingenieros de Montes, sino todos los que por estar en lugar accesible no suponían un sacrificio grande, del escaso tiempo de que se disponía: atochares de las Herradas de la Sierra del Oro, Puerto de la Mala Mujer, carretera de Jumilla, Sierra de Ascoy, Sierra de las Cabras, etc. etc. con un total de mas de 250 kilómetros recorridos por carreteras y caminos de montes.
Resumo:
1 Los niveles de subnormales, débil y medio, son los mas beneficiados de la educación directa por medio del movimiento. 2 Los débiles profundos, son difícilmente abordables por medio del movimiento, de manera directa. 3 En los débiles profundos, el primer paso es equilibrar el impulso del niño y ordenar en alguna manera, el movimiento. 4 La musicoterapia, parece el medio mas fácil e idóneo para conseguir en el débil profundo, la ordenación del impulso individual 5 La musicoterapia, debe ser solo el principio del abordaje de la educación del débil profundo, para continuar enlazando y en conjunto con la educación por el movimiento. 6 Hay que comenzar esta educación lo mas precozmente posible. 7 En el deficiente profundo, la musicoterapia ha de ser en principio sesiones individuales, adaptada a cada caso particular. 9- El profesor de Educación Física puede realizar esta labor, si posee conocimientos básicos de música, del orden de métrica, melodía y armonía. 10 Los conocimientos generales, que el profesor de Educación Física, posee, n cuanto a : pedagogía, psicología, etc .., le capacitan para colaborar en la educación del subnormal, dentro del equipo pedagógico (médico, psicólogo, etc.,)
Resumo:
Esta memoria está basada en el crecimiento y caracterización de heteroestructuras Al(Ga)N/GaN y nanocolumnas ordenadas de GaN, y su aplicación en sensores químicos. El método de crecimiento ha sido la epitaxia de haces moleculares asistida por plasma (PAMBE). En el caso de las heteroestructuras Al(Ga)N/GaN, se han crecido barreras de distinto espesor y composición, desde AlN de 5 nm, hasta AlGaN de 35 nm. Además de una caracterización morfológica, estructural y eléctrica básica de las capas, también se han fabricado a partir de ellas dispositivos tipo HEMTs. La caracterización eléctrica de dichos dispositivos (carga y movilidad de en el canal bidimensional) indica que las mejores heteroestructuras son aquellas con un espesor de barrera intermedio (alrededor de 20 nm). Sin embargo, un objetivo importante de esta Tesis ha sido verificar las ventajas que podían tener los sensores basados en heteroestructuras AlN/GaN (frente a los típicos basados en AlGaN/GaN), con espesores de barrera muy finos (alrededor de 5 nm), ya que el canal de conducción que se modula por efecto de cambios químicos está más cerca de la superficie en donde ocurren dichos cambios químicos. De esta manera, se han utilizado los dispositivos tipo HEMTs como sensores químicos de pH (ISFETs), y se ha comprobado la mayor sensibilidad (variación de corriente frente a cambios de pH, Ids/pH) en los sensores basados en AlN/GaN frente a los basados en AlGaN/GaN. La mayor sensibilidad es incluso más patente en aplicaciones en las que no se utiliza un electrodo de referencia. Se han fabricado y caracterizado dispositivos ISFET similares utilizando capas compactas de InN. Estos sensores presentan peor estabilidad que los basados en Al(Ga)N/GaN, aunque la sensibilidad superficial al pH era la misma (Vgs/pH), y su sensibilidad en terminos de corriente de canal (Ids/pH) arroja valores intermedios entre los ISFET basados en AlN/GaN y los valores de los basados en AlGaN/GaN. Para continuar con la comparación entre dispositivos basados en Al(Ga)N/GaN, se fabricaron ISFETs con el área sensible más pequeña (35 x 35 m2), de tamaño similar a los dispositivos destinados a las medidas de actividad celular. Sometiendo los dispositivos a pulsos de voltaje en su área sensible, la respuesta de los dispositivos de AlN presentaron menor ruido que los basados en AlGaN. El ruido en la corriente para dispositivos de AlN, donde el encapsulado no ha sido optimizado, fue tan bajo como 8.9 nA (valor rms), y el ruido equivalente en el potencial superficial 38.7 V. Estos valores son más bajos que los encontrados en los dispositivos típicos para la detección de actividad celular (basados en Si), y del orden de los mejores resultados encontrados en la literatura sobre AlGaN/GaN. Desde el punto de vista de la caracterización electro-química de las superficies de GaN e InN, se ha determinado su punto isoeléctrico. Dicho valor no había sido reportado en la literatura hasta el momento. El valor, determinado por medidas de “streaming potential”, es de 4.4 y 4 respectivamente. Este valor es una importante característica a tener en cuenta en sensores, en inmovilización electrostática o en la litografía coloidal. Esta última técnica se discute en esta memoria, y se aplica en el último bloque de investigación de esta Tesis (i.e. crecimiento ordenado). El último apartado de resultados experimentales de esta Tesis analiza el crecimiento selectivo de nanocolumnas ordenadas de GaN por MBE, utilizando mascaras de Ti con nanoagujeros. Se ha estudiado como los distintos parámetros de crecimiento (i.e. flujos de los elementos Ga y N, temperatura de crecimiento y diseño de la máscara) afectan a la selectividad y a la morfología de las nanocolumnas. Se ha conseguido con éxito el crecimiento selectivo sobre pseudosustratos de GaN con distinta orientación cristalina o polaridad; templates de GaN(0001)/zafiro, GaN(0001)/AlN/Si, GaN(000-1)/Si y GaN(11-20)/zafiro. Se ha verificado experimentalmente la alta calidad cristalina de las nanocolumnas ordenadas, y su mayor estabilidad térmica comparada con las capas compactas del mismo material. Las nanocolumnas ordenadas de nitruros del grupo III tienen una clara aplicación en el campo de la optoelectrónica, principalmente para nanoemisores de luz blanca. Sin embargo, en esta Tesis se proponen como alternativa a la utilización de capas compactas o nanocolumnas auto-ensambladas en sensores. Las nanocolumnas auto-ensambladas de GaN, debido a su alta razón superficie/volumen, son muy prometedoras en el campo de los sensores, pero su amplia dispersión en dimensiones (altura y diámetro) supone un problema para el procesado y funcionamiento de dispositivos reales. En ese aspecto, las nanocolumnas ordenadas son más robustas y homogéneas, manteniendo una alta relación superficie/volumen. Como primer experimento en el ámbito de los sensores, se ha estudiado como se ve afectada la emisión de fotoluminiscencia de las NCs ordenadas al estar expuestas al aire o al vacio. Se observa una fuerte caída en la intensidad de la fotoluminiscencia cuando las nanocolumnas están expuestas al aire (probablemente por la foto-adsorción de oxigeno en la superficie), como ya había sido documentado anteriormente en nanocolumnas auto-ensambladas. Este experimento abre el camino para futuros sensores basados en nanocolumnas ordenadas. Abstract This manuscript deals with the growth and characterization of Al(Ga)N/GaN heterostructures and GaN ordered nanocolumns, and their application in chemical sensors. The growth technique has been the plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE). In the case of Al(Ga)N/GaN heterostructures, barriers of different thickness and composition, from AlN (5 nm) to AlGaN (35 nm) have been grown. Besides the basic morphological, structural and electrical characterization of the layers, HEMT devices have been fabricated based on these layers. The best electrical characteristics (larger carriers concentration and mobility in the two dimensional electron gas) are those in AlGaN/GaN heterostructures with a medium thickness (around 20 nm). However, one of the goals of this Thesis has been to verify the advantages that sensors based on AlN/GaN (thickness around 7 nm) have compared to standard AlGaN/GaN, because the conduction channel to be modulated by chemical changes is closer to the sensitive area. In this way, HEMT devices have been used as chemical pH sensors (ISFETs), and the higher sensitivity (conductance change related to pH changes, Ids/pH) of AlN/GaN based sensors has been proved. The higher sensibility is even more obvious in application without reference electrode. Similar ISFETs devices have been fabricated based on InN compact layers. These devices show a poor stability, but its surface sensitivity to pH (Vgs/pH) and its sensibility (Ids/pH) yield values between the corresponding ones of AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures. In order to a further comparison between Al(Ga)N/GaN based devices, ISFETs with smaller sensitive area (35 x 35 m2), similar to the ones used in cellular activity record, were fabricated and characterized. When the devices are subjected to a voltage pulse through the sensitive area, the response of AlN based devices shows lower noise than the ones based on AlGaN. The noise in the current of such a AlN based device, where the encapsulation has not been optimized, is as low as 8.9 nA (rms value), and the equivalent noise to the surface potential is 38.7 V. These values are lower than the found in typical devices used for cellular activity recording (based on Si), and in the range of the best published results on AlGaN/GaN. From the point of view of the electrochemical characterization of GaN and InN surfaces, their isoelectric point has been experimentally determined. Such a value is the first time reported for GaN and InN surfaces. These values are determined by “streaming potential”, being pH 4.4 and 4, respectively. Isoelectric point value is an important characteristic in sensors, electrostatic immobilization or in colloidal lithography. In particular, colloidal lithography has been optimized in this Thesis for GaN surfaces, and applied in the last part of experimental results (i.e. ordered growth). The last block of this Thesis is focused on the selective area growth of GaN nanocolumns by MBE, using Ti masks decorated with nanoholes. The effect of the different growth parameters (Ga and N fluxes, growth temperature and mask design) is studied, in particular their impact in the selectivity and in the morphology of the nanocolumns. Selective area growth has been successful performed on GaN templates with different orientation or polarity; GaN(0001)/sapphire, GaN(0001)/AlN/Si, GaN(000- 1)/Si and GaN(11-20)/sapphire. Ordered nanocolumns exhibit a high crystal quality, and a higher thermal stability (lower thermal decomposition) than the compact layers of the same material. Ordered nanocolumns based on III nitrides have a clear application in optoelectronics, mainly for white light nanoemitters. However, this Thesis proposes them as an alternative to compact layers and self-assembled nanocolumns in sensor applications. Self-assembled GaN nanocolumns are very appealing for sensor applications, due to their large surface/volume ratio. However, their large dispersion in heights and diameters are a problem in terms of processing and operation of real devices. In this aspect, ordered nanocolumns are more robust and homogeneous, keeping the large surface/volume ratio. As first experimental evidence of their sensor capabilities, ordered nanocolumns have been studied regarding their photoluminiscence on air and vacuum ambient. A big drop in the intensity is observed when the nanocolumns are exposed to air (probably because of the oxygen photo-adsortion), as was already reported in the case of self-assembled nanocolumns. This opens the way to future sensors based on ordered III nitrides nanocolumns.
Resumo:
A lo largo del siglo XIX, y coincidiendo con la disminución de su valor estratégico militar, el litoral resurge como fuente de recursos económicos y productivos y como elemento de ocio y disfrute personal. Es también por estas fechas cuando vuelve a recuperarse el concepto de dominio público marítimo terrestre ya recogido por el derecho romano y las Partidas del Rey Alfonso X ?el Sabio?. La Ley de Aguas de 1866, que regula tanto las aguas terrestres como las marinas, incluye dentro del dominio público marítimo las costas, o fronteras marítimas, el mar litoral y las playas. Desde ese momento y hasta el día de hoy la costa queda integrada dentro del dominio público marítimo terrestre, cuya definición y delimitación se va perfilando hasta la redacción y aprobación del texto legislativo vigente en la actualidad: la Ley 22/1988, de 28 de julio, de Costas. Sin embargo, el concepto de dominio público está vinculado al Interés General que es interpretado según las necesidades socioeconómicas y políticas de cada momento. La identificación en exclusividad entre Interés General y desarrollo económico en algunos periodos de la historia reciente es una de las principales causas de la degradación actual del litoral: construcción masiva de puertos sin tener en cuenta su ubicación con respecto al funcionamiento físico de la costa, reconocimiento de los derechos privados en la Ley de Puertos de 1880 que autorizó la construcción de viviendas y hoteles dentro de terrenos ganados al mar, la subvención a la desecación de marismas a través de la aplicación de la llamada Ley Cambó, el fomento del turismo de masas desde la política pública (Ley 197/1963, de 28 de diciembre, sobre Centros y Zonas de Interés Turístico Nacional), etc. En este sentido, la explotación del litoral como recurso económico ha llegado a poner en juego el propio equilibrio del sistema físico y natural, con la consecuente afección sobre las actividades económicas y los usos que en él se desarrollan. Con objeto de evitar los riesgos que provoca dicha desestabilización sobre el sistema físico, las políticas en costas han ido encaminadas en su mayoría a la construcción de obras públicas que no son capaces de detener la inercia del sistema ni, por tanto, el riesgo sobre lo que se pretende proteger. El reparto competencial sobre la franja litoral que limita la gestión estatal al DPMT y reconoce la soberanía de las Comunidades Autónomas y Ayuntamientos en las zonas de servidumbre, no ha ayudado a la diversificación de herramientas para la ordenación y gestión del litoral, lo que ha provocado visiones y formas de hacer encontradas dentro de un mismo territorio continuo, como si las decisiones que se toman en la franja de 500 metros mar adentro no influyesen en el estado del DPMT A través de la evolución del concepto de DPMT y espacio litoral en el marco legal, la presente ponencia trata de hacer una aproximación histórica sobre la construcción del espacio urbano en el litoral, evaluando la adecuación de las herramientas urbanísticas para la intervención dentro de dicho espacio dentro del contexto de los nuevos retos de dicho espacio, con especial atención a la gestión integrada de las zonas costeras y a los nuevos riesgos derivados del cambio climático.