991 resultados para superluminescent diodes
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Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
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Pós-graduação em Engenharia Elétrica - FEIS
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Neste trabalho reportamos a investigação teórica da solvatação dos isômeros do tris- (8-idroxiquinolinolato) de alumínio III – Alq3, as propriedades eletroluminescentes na solvatação de Alq3 em líquidos orgânicos como metanol, etanol, dimetilformamida (DMF) e acetonitrila, a fim de se entender a dependência na variação de ambientes do sistema, aperfeiçoando o funcionamento de filmes transportadores em dispositivos eletroluminescentes do tipo OLED (Organic Light-Emitting Diodes) e por fim investigamos o mecanismo do transporte eletrônico no Alq3 aplicando uma baixa corrente elétrica na molécula e evidenciando as curvas corrente-voltagem característica do dispositivo. A simulação consiste na aplicação do método sequencial Monte Carlo / Mecânica quântica (S-MC/MQ), que parte de um tratamento inicial estocástico para separação das estruturas mais prováveis de menor energia e posteriormente com um tratamento quântico para plotar os espectros eletrônicos das camadas de solvatação separadas através do método ZINDOS/S. Nas propriedades elétricas do transporte utilizamos o método da função de Green de não equilíbrio acoplado a teoria do funcional densidade (DFT) inferindo que as ramificações mais externas correspondentes aos anéis no Alq3 seriam terminais para o translado eletrônico. Nossos resultados mostraram que a média dos espectros de absorção para solvatação do Alq3 em soluções sofre um desvio mínimo com a mudança de ambiente, estando em ótimo acordo com os resultados experimentais da literatura; e as curvas I-V confirmaram o comportamento diodo do dispositivo, corroborando com os sentidos mais pertinentes quanto aos terminais no Alq3 para se ter um transporte eletrônico satisfatório.
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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
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Apresentamos neste trabalho um estudo teórico sobre polímeros orgânicos conjugados. É conhecido que estes sistemas, em geral semicondutores ou isolantes, sob dopagem química podem vir a adquirir propriedades elétricas de material condutor. E ainda, sob ação de campo elétrico, pequenos oligômeros podem apresentar comportamento equivalente ao de dispositivos usuais, mas com inúmeras vantagens como, por exemplo, tamanho extremamente reduzido (alguns nanômetros). Dessa forma no primeiro capítulo faremos uma breve introdução sobre polímeros orgânicos conjugados mostrando alguns resultados experimentais obtidos para o polímero 4-dicianometileno-4,4-ciclopenta [2,1-b: 3,4b’] ditiofeno – CDM, que é o objeto central de estudo desta dissertação. O capítulo 2 trata dos métodos quânticos utilizados. Citaremos a Teoria de Hartre-Fock (HF) e suas derivações semi-empíricas. A técnica de Interação de configuração (CI) e a Teoria do Funcional da Densidade (DFT) também serão tratadas neste capítulo. O capítulo 3 é dedicado a descrever as características de alguns dispositivos usuais como diodos e transistores. Aqui o fundamental é entender a composição, o funcionamento e principalmente, como se comportam suas curvas características corrente versus voltagem (IxV). Citaremos ainda alguns dispositivos eletrônicos extremamente pequenos. No capítulo 4 começa nossos resultados e discussões referentes a análise da transição isolante-metal em CDM sob ação de dopagem. Primeiramente a nível semiempírico, obtivemos a caracterização ótica de oligômeros de CDM neutro e na presença de defeitos conformacionais do tipo bipólarons negativo e positivo. Partindo de geometrias otimizadas via métodos AM1 e PM3 obtivemos o espectro de absorção para sistemas com e sem carga. A nível Hartree-Fock calculamos a Estrutura de Bandas e a Densidade de Estados (DOS) para o PCDM no estado neutro e dopado. O cálculo da DOS e da Dispersão foram realizados através de programas computacionais desenvolvidos aqui no Grupo de Física de Materiais da Amazônia (GFMA). Apresentamos ainda neste capítulo o espectro de absorção teórico para oligômeros de CDM com diversas configurações com geometrias totalmente otimizadas pelo DFT. No capítulo 5 temos os resultados relativos à análise de nanodispositivos baseados em tetrâmeros de CDM com e sem carga. As curvas do deslocamento de carga versus voltagem apresentam características de curvas de dispositivos usuais. Analisamos também o espectro de absorção teórico dos nanodispositivos para valores de tensão nula e em pontos de saturação de corrente nas regiões direta e reversa.
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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
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Pós-graduação em Química - IQ
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Pós-graduação em Engenharia Mecânica - FEG
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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
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The spin injector part of spintronic FET and diodes suffers from fatigue due to rising heat on the depletion layer. In this study the stiffness of Ga1-xMnxAs spin injector in terms of storage modulus with respect to a varying temperature, 45 degrees C <= T <= 70 degrees C was determined. It was observed that the storage modulus for MDLs (Manganese Doping Levels) of 0%, 1% and 10% decreased with increase in temperature while that with MDLs of 20% and 50% increase with increase in temperature. MDLs of 20% and 50% appear not to allow for damping but MDLs <= 20% allow damping at temperature range of 45 degrees C <= T <= 70 degrees C. The magnitude of storage moduli of GaAs is smaller than that for ferromagnetic Ga1-xMnxAs systems. The loss moduli for GaAs were found to reduce with increase in temperature. Its magnitude of reducing gradient is smaller than Ga1-xMnxAs systems. The two temperature extremes show a general reduction in loss moduli for different MDLs at the study temperature range. From damping factor analysis, damping factors for ferromagnetic Ga1-xMnxAs was found to increase with decrease in MDLs contrary to GaAs which recorded the largest damping factor at 45 degrees C <= T <= 70 degrees C Hence, MDL of 20% shows little damping followed by 50% while MDL of 0% has the most damping in an increasing trend with temperature. (C) 2013 Elsevier Ltd. All rights reserved.
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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
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This work deals with a red phosphor. Y3BO6:Eu3+, and its corresponding poly(N-vinylpyrrolidone) (PVP)/Y3BO6:Eu3+ luminescent composite film suitable for applications in the next generation of Hg-free lamps based on near ultraviolet (UV) light emitting diodes (LEDs). Well crystallized samples of Y3BO6 powders with the Eu3+ content up to 20 mol% were prepared by the Pechini method. After structural, morphological and optical characterization, the best doping rate of Eu3+ in the matrix was determined to be 15 mol%. This optimal powder, which is highly friable, was easily ground into fine particles and homogeneously dispersed into a PVP polymer solution to give rise to a polymer phosphor composite. Structural and optical features of the composite film have been studied and compared to those of a pristine PVP film and Y3BO6:Eu3+ powder. All the characterization (XRD, SAXS, luminescence...) proved that the red phosphor particles are well incorporated into the polymer composite film which exhibited the characteristic red emission of Eu3+ under UV light excitation. Furthermore, photostability of the polymer/phosphor composite film under UV-LED irradiation was evaluated from exposure to accelerated artificial photoageing at wavelengths above 300 nm.
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During the twentieth century the inorganic electronics was largely developed being present in various industrial equipment or household use. However, at the end of that century were verified electronic properties in organic compounds, giving rise to the field of organic electronics. Since then, the physical properties of elementary devices such as diodes and organic transistors have been studied. In this work was studied the properties of diode devices fabricated with a semiconductor polymer, the poly-o-methoxyaniline (POMA). Devices containing electrodes of Au and Al were fabricated with semiconductor polymer of different doping levels. We found that the rectifying behavior for the heterojunctions metal/polimer are reached only for high doping level (with conductivity greater than 1,77. 10-9 S / cm), which gives the devices characteristic of a Schottky diode. The rectifying behavior was observed for electric fields of low magnitude, below the operating field (~ 600 V/cm), while for electric field greater than 600 V/cm the a linear behavior I vs.V was obtained. We determined that this Ohmic behavior arises from the charge transport over the volume of the semiconductor material after the lowering of the metal/semiconductor barrier. In devices with weakly doped semiconductor, the electrical resistance of the volume becomes high and the process of charge transportation is dominated by the volume, for any intensity of the applied electric field
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Photodynamic Therapy (PDT) is a technique used to treat several types of lesions, such as cancer, microbial control, and esthetic dentistry cases. The performance of PDT involves the use of a photosensitizer (PS), which mainly will be located in cancer cells and is irradiated with visible light. This process, when it occurs in the presence of oxygen triggers the formation of reactive oxygen species that are cytotoxic to cells. These species cause cell death and subsequent tumor necrosis. The use of white light as a light source for multispectral Photodynamic Therapy and its consequences to the photodynamic effect is not yet completely established, and therefore there is interest in studying the parameters involved for analyzing the best conditions for applying treatment. The wavelength is crucial to improve the therapeutic effect, since both the optical properties of the biological tissue as the PS depend on these parameters. For FS studied in this work (Photogem®) are most often used wavelengths in the red region, due to their larger penetration depth in biological tissue. Thus, the light source becomes a fundamental aspect, their choice depends on the specific application and is based on the tumor location, light dose to be delivered and FS chosen. Despite all the advantages presented by lasers, the fact of having an emission spectrum essentially monochrome makes only one possible transition possible for the absorption of FS is used. Therefore, more extensive light sources such as light emitting diodes (LED), could be better used in some cases the laser, with the additional advantage of a reduced cost. Therefore, the choice of the white LED comes from an emission spectrum that still wider LED colors defined by allowing greater use of the several absorption bands and with varying depths of operation, according to the wavelength... (Complete abstract click electronic access below)