Discurso legal por la Religion de San Juan de Jerusalen, y Fray D. Silverio Doz, y Naval, Comendador de Torrente, contra ... Don Joseph Martin Gil sobre que se declare que una casa alqueria con su almazara, y corral, con diez cahizadas y media de tierra, sito todo en el termino de Torrente ... estan sujetas al dominio mayor y directo de dicha Encomienda ... con los derechos de luismo, y fadiga, y demas enfiteusis

Precede al tít. : "Jesus, Maria, Joseph, San Joaquin, y Santa Ana"

Alegación que presenta para el juicio de revista D. Manuel María Montserrat, marqués de Cruillas, barón de Planes y ... de Patraix ... con los electos del comun de vecinos de la Baronía de Planes ... sobre que se confirme con costas la sentencia de vista, pronunciada por esta Real Audiencia en 20 de enero del año 1807

Precede al tít.: "Jesus, María, Josef, y Nuestra Señora del Carmen"

Sentimientos y bien sentidas quexas, con que Dios se está quexando de todos los pecadores, por la mala correspondencia que todos tnemos a los muchos beneficios, que estamos recibiendo de su Magestad, con los cargos que hace a cada uno de la vida que vive

Sign.: []2

El nuevo reto de relación con los clientes: Social CRM

La evolución de Internet al modelo Web 2.0, ha creado el nuevo sistema denominado Social Media, donde han proliferado un número ingente de redes sociales, que han cambiado las formas de relación y colaboración entre los usuarios, así como la relaciones de éstos y las empresas. En respuesta a estos dramáticos cambios sociales y tecnológicos, que actualmente están dando forma a las relaciones negocio-empresa, las empresas están descubriendo que es necesario modificar la estrategia de utilización del CRM (Customer Relationship Management) con sus clientes y desarrollar nuevas capacidades que permitan la creación de valor con los clientes. Y es aquí donde aparece el concepto de Social CRM, entendido como una estrategia centrada en entender, anticiparse y responder mejor a las necesidades de los clientes existentes o potenciales, aprovechando los datos sociales, para crear unas fuertes relaciones beneficiosas para ambas partes. En este trabajo se describe un modelo de adopción de Social CRM, aplicando un método de análisis “Top-Down”, y basado en el modelo de Gartner denominado “The Eight Building Blocks of CRM” [1]. El presente trabajo descompone el modelo de adopción descrito por Gartner, en los siguientes puntos. - Una decisión estratégica de la compañía - Asomarse a la realidad social - Analizar las redes sociales. - Metodología de adopción. - Despliegue y extensión en todos los departamentos de la compañía y la adaptación de los recursos humanos. - Selección e integración con las plataformas tradicionales de CRM - Análisis de herramientas de monitorización de Social CRM El modelo propuesto tiene dos objetivos, por un lado pretende proporcionar la visión de cómo CRM puede influir en los resultados empresariales en la era del cliente social, y por otro, proporcionar a los administradores cómo las inversiones y los recursos existentes de CRM puede ser integrados con las nuevas tecnologías y procesos para formar capacidades que pueden mejorar el rendimiento del negocio. ABSTRACT. “The Internet evolution to Web 2.0 model has created a new system called Social Media, where have proliferated a huge number of social networks which have changed the relationship and collaboration forms user-to-user and user-to-company. In response to these dramatic social and technological changes that are currently shaping the business-business relationships, companies are finding it necessary to modify the strategy for use of CRM (Customer Relationship Management) with customers and develop new capabilities to creating value with customers. And here is where the concept of Social CRM appears, understood as a focus on understanding, anticipating and responding to the needs of existing and potential customers strategy, leveraging social data to create a strong mutually beneficial relationships. In this paper describes an adoption model of Social CRM, using a "Top-Down" analysis method and based on the model of Gartner called "The Eight Building Blocks of CRM" [1]. This paper decomposes the adoption model described by Gartner in the following points. - A company strategic decision. - Look at social reality. - Analyze social networks. - Methodology adoption. - Deployment and extension in all departments of the company and the adaptation of human resources. - Selection and integration with traditional CRM platforms. - Analysis of monitoring tools for Social CRM. The proposed model has two objectives, firstly aims to provide insight into how CRM can influence business outcomes in the era of the social customer, and secondly, to provide administrators how investments and existing resources can be integrated CRM with new technologies and processes for developing capabilities that can increase business performance”.

Con los pies desnudos. Casa en Comporta de Aires Mateus

Presentación de la obra de Aires Mateus para la Biennale Architettura 2010.

Nueua relacion, y curioso romance, en que se declara el modo com se passaron a nuestra santa ley doce mil setecientos y cinquenta turcos, con su rey, en una batalla que tuvieron con los malteses, siendo de los estados del Gran Sultan ... : como los religiosos de ... San Francisco, que estan en ... el dia 5 de mayo de este presente año de 1757 ... : primera [-segunda] parte

En subtit. se han sustituido los [.] por [:]

Human-robot interaction for telemanipulation in large workspaces

Independientemente de la existencia de técnicas altamente sofisticadas y capacidades de cómputo cada vez más elevadas, los problemas asociados a los robots que interactúan con entornos no estructurados siguen siendo un desafío abierto en robótica. A pesar de los grandes avances de los sistemas robóticos autónomos, hay algunas situaciones en las que una persona en el bucle sigue siendo necesaria. Ejemplos de esto son, tareas en entornos de fusión nuclear, misiones espaciales, operaciones submarinas y cirugía robótica. Esta necesidad se debe a que las tecnologías actuales no pueden realizar de forma fiable y autónoma cualquier tipo de tarea. Esta tesis presenta métodos para la teleoperación de robots abarcando distintos niveles de abstracción que van desde el control supervisado, en el que un operador da instrucciones de alto nivel en la forma de acciones, hasta el control bilateral, donde los comandos toman la forma de señales de control de bajo nivel. En primer lugar, se presenta un enfoque para llevar a cabo la teleoperación supervisada de robots humanoides. El objetivo es controlar robots terrestres capaces de ejecutar tareas complejas en entornos de búsqueda y rescate utilizando enlaces de comunicación limitados. Esta propuesta incorpora comportamientos autónomos que el operador puede utilizar para realizar tareas de navegación y manipulación mientras se permite cubrir grandes áreas de entornos remotos diseñados para el acceso de personas. Los resultados experimentales demuestran la eficacia de los métodos propuestos. En segundo lugar, se investiga el uso de dispositivos rentables para telemanipulación guiada. Se presenta una aplicación que involucra un robot humanoide bimanual y un traje de captura de movimiento basado en sensores inerciales. En esta aplicación, se estudian las capacidades de adaptación introducidas por el factor humano y cómo estas pueden compensar la falta de sistemas robóticos de alta precisión. Este trabajo es el resultado de una colaboración entre investigadores del Biorobotics Laboratory de la Universidad de Harvard y el Centro de Automática y Robótica UPM-CSIC. En tercer lugar, se presenta un nuevo controlador háptico que combina velocidad y posición. Este controlador bilateral híbrido hace frente a los problemas relacionados con la teleoperación de un robot esclavo con un gran espacio de trabajo usando un dispositivo háptico pequeño como maestro. Se pueden cubrir amplias áreas de trabajo al cambiar automáticamente entre los modos de control de velocidad y posición. Este controlador háptico es ideal para sistemas maestro-esclavo con cinemáticas diferentes, donde los comandos se transmiten en el espacio de la tarea del entorno remoto. El método es validado para realizar telemanipulación hábil de objetos con un robot industrial. Por último, se introducen dos contribuciones en el campo de la manipulación robótica. Por un lado, se presenta un nuevo algoritmo de cinemática inversa, llamado método iterativo de desacoplamiento cinemático. Este método se ha desarrollado para resolver el problema cinemático inverso de un tipo de robot de seis grados de libertad donde una solución cerrada no está disponible. La eficacia del método se compara con métodos numéricos convencionales. Además, se ha diseñado una taxonomía robusta de agarres que permite controlar diferentes manos robóticas utilizando una correspondencia, basada en gestos, entre los espacios de trabajo de la mano humana y de la mano robótica. El gesto de la mano humana se identifica mediante la lectura de los movimientos relativos del índice, el pulgar y el dedo medio del usuario durante las primeras etapas del agarre. ABSTRACT Regardless of the availability of highly sophisticated techniques and ever increasing computing capabilities, the problems associated with robots interacting with unstructured environments remains an open challenge. Despite great advances in autonomous robotics, there are some situations where a humanin- the-loop is still required, such as, nuclear, space, subsea and robotic surgery operations. This is because the current technologies cannot reliably perform all kinds of task autonomously. This thesis presents methods for robot teleoperation strategies at different levels of abstraction ranging from supervisory control, where the operator gives high-level task actions, to bilateral teleoperation, where the commands take the form of low-level control inputs. These strategies contribute to improve the current human-robot interfaces specially in the case of slave robots deployed at large workspaces. First, an approach to perform supervisory teleoperation of humanoid robots is presented. The goal is to control ground robots capable of executing complex tasks in disaster relief environments under constrained communication links. This proposal incorporates autonomous behaviors that the operator can use to perform navigation and manipulation tasks which allow covering large human engineered areas of the remote environment. The experimental results demonstrate the efficiency of the proposed methods. Second, the use of cost-effective devices for guided telemanipulation is investigated. A case study involving a bimanual humanoid robot and an Inertial Measurement Unit (IMU) Motion Capture (MoCap) suit is introduced. Herein, it is corroborated how the adaptation capabilities offered by the human-in-the-loop factor can compensate for the lack of high-precision robotic systems. This work is the result of collaboration between researchers from the Harvard Biorobotics Laboratory and the Centre for Automation and Robotics UPM-CSIC. Thirdly, a new haptic rate-position controller is presented. This hybrid bilateral controller copes with the problems related to the teleoperation of a slave robot with large workspace using a small haptic device as master. Large workspaces can be covered by automatically switching between rate and position control modes. This haptic controller is ideal to couple kinematic dissimilar master-slave systems where the commands are transmitted in the task space of the remote environment. The method is validated to perform dexterous telemanipulation of objects with a robotic manipulator. Finally, two contributions for robotic manipulation are introduced. First, a new algorithm, the Iterative Kinematic Decoupling method, is presented. It is a numeric method developed to solve the Inverse Kinematics (IK) problem of a type of six-DoF robotic arms where a close-form solution is not available. The effectiveness of this IK method is compared against conventional numerical methods. Second, a robust grasp mapping has been conceived. It allows to control a wide range of different robotic hands using a gesture based correspondence between the human hand space and the robotic hand space. The human hand gesture is identified by reading the relative movements of the index, thumb and middle fingers of the user during the early stages of grasping.

Certamen literario, en el qual el seminario de Nobles de San Ignacio de la Compañia Jesus, con los alumnos de las escuelas ...

Fecha tomada de colofón

Por el ... Cabildo eclesiastico de esta Santa Metropolitana Iglesia, como Colector, y Administrador ... de la Gracia, y Contribucion del Subsidio correspondiente à todo el Clero de este Arzobispado, con los Cabildos de las Colegiales de San Felipe, Gandia, y ... otros particulares Contribuyentes à dicha Gracia; sobre el nueuo ... repartimiento de lo que ... deva satisfacerse por cada contribuyente ... [Texto impreso]

Precede al tít.: "Jesus, Maria y Joseph"

Alegacion en derecho por... Don Juan Pablo de Azlor, Duque de Villahermosa, Conde de Luna y Guara... en el pleyto que... sigue con los herederos de Joseph Nebot y D. Jaime Grau [Texto impreso] : sobre que se mejore la sentencia de vista...

Precede al tít. : "Jesus, Maria, Joseph y San Vicente Ferrer"

MOVPE growth of III-V semiconductors on silicon for third generation solar cells

Esta Tesis trata sobre el desarrollo y crecimiento -mediante tecnología MOVPE (del inglés: MetalOrganic Vapor Phase Epitaxy)- de células solares híbridas de semiconductores III-V sobre substratos de silicio. Esta integración pretende ofrecer una alternativa a las células actuales de III-V, que, si bien ostentan el récord de eficiencia en dispositivos fotovoltaicos, su coste es, a día de hoy, demasiado elevado para ser económicamente competitivo frente a las células convencionales de silicio. De este modo, este proyecto trata de conjugar el potencial de alta eficiencia ya demostrado por los semiconductores III-V en arquitecturas de células fotovoltaicas multiunión con el bajo coste, la disponibilidad y la abundancia del silicio. La integración de semiconductores III-V sobre substratos de silicio puede afrontarse a través de diferentes aproximaciones. En esta Tesis se ha optado por el desarrollo de células solares metamórficas de doble unión de GaAsP/Si. Mediante esta técnica, la transición entre los parámetros de red de ambos materiales se consigue por medio de la formación de defectos cristalográficos (mayoritariamente dislocaciones). La idea es confinar estos defectos durante el crecimiento de sucesivas capas graduales en composición para que la superficie final tenga, por un lado, una buena calidad estructural, y por otro, un parámetro de red adecuado. Numerosos grupos de investigación han dirigido sus esfuerzos en los últimos años en desarrollar una estructura similar a la que aquí proponemos. La mayoría de éstos se han centrado en entender los retos asociados al crecimiento de materiales III-V, con el fin de conseguir un material de alta calidad cristalográfica. Sin embargo, prácticamente ninguno de estos grupos ha prestado especial atención al desarrollo y optimización de la célula inferior de silicio, cuyo papel va a ser de gran relevancia en el funcionamiento de la célula completa. De esta forma, y con el fin de completar el trabajo hecho hasta el momento en el desarrollo de células de III-V sobre silicio, la presente Tesis se centra, fundamentalmente, en el diseño y optimización de la célula inferior de silicio, para extraer su máximo potencial. Este trabajo se ha estructurado en seis capítulos, ordenados de acuerdo al desarrollo natural de la célula inferior. Tras un capítulo de introducción al crecimiento de semiconductores III-V sobre Si, en el que se describen las diferentes alternativas para su integración; nos ocupamos de la parte experimental, comenzando con una extensa descripción y caracterización de los substratos de silicio. De este modo, en el Capítulo 2 se analizan con exhaustividad los diferentes tratamientos (tanto químicos como térmicos) que deben seguir éstos para garantizar una superficie óptima sobre la que crecer epitaxialmente el resto de la estructura. Ya centrados en el diseño de la célula inferior, el Capítulo 3 aborda la formación de la unión p-n. En primer lugar se analiza qué configuración de emisor (en términos de dopaje y espesor) es la más adecuada para sacar el máximo rendimiento de la célula inferior. En este primer estudio se compara entre las diferentes alternativas existentes para la creación del emisor, evaluando las ventajas e inconvenientes que cada aproximación ofrece frente al resto. Tras ello, se presenta un modelo teórico capaz de simular el proceso de difusión de fosforo en silicio en un entorno MOVPE por medio del software Silvaco. Mediante este modelo teórico podemos determinar qué condiciones experimentales son necesarias para conseguir un emisor con el diseño seleccionado. Finalmente, estos modelos serán validados y constatados experimentalmente mediante la caracterización por técnicas analíticas (i.e. ECV o SIMS) de uniones p-n con emisores difundidos. Uno de los principales problemas asociados a la formación del emisor por difusión de fósforo, es la degradación superficial del substrato como consecuencia de su exposición a grandes concentraciones de fosfina (fuente de fósforo). En efecto, la rugosidad del silicio debe ser minuciosamente controlada, puesto que éste servirá de base para el posterior crecimiento epitaxial y por tanto debe presentar una superficie prístina para evitar una degradación morfológica y cristalográfica de las capas superiores. En este sentido, el Capítulo 4 incluye un análisis exhaustivo sobre la degradación morfológica de los substratos de silicio durante la formación del emisor. Además, se proponen diferentes alternativas para la recuperación de la superficie con el fin de conseguir rugosidades sub-nanométricas, que no comprometan la calidad del crecimiento epitaxial. Finalmente, a través de desarrollos teóricos, se establecerá una correlación entre la degradación morfológica (observada experimentalmente) con el perfil de difusión del fósforo en el silicio y por tanto, con las características del emisor. Una vez concluida la formación de la unión p-n propiamente dicha, se abordan los problemas relacionados con el crecimiento de la capa de nucleación de GaP. Por un lado, esta capa será la encargada de pasivar la subcélula de silicio, por lo que su crecimiento debe ser regular y homogéneo para que la superficie de silicio quede totalmente pasivada, de tal forma que la velocidad de recombinación superficial en la interfaz GaP/Si sea mínima. Por otro lado, su crecimiento debe ser tal que minimice la aparición de los defectos típicos de una heteroepitaxia de una capa polar sobre un substrato no polar -denominados dominios de antifase-. En el Capítulo 5 se exploran diferentes rutinas de nucleación, dentro del gran abanico de posibilidades existentes, para conseguir una capa de GaP con una buena calidad morfológica y estructural, que será analizada mediante diversas técnicas de caracterización microscópicas. La última parte de esta Tesis está dedicada al estudio de las propiedades fotovoltaicas de la célula inferior. En ella se analiza la evolución de los tiempos de vida de portadores minoritarios de la base durante dos etapas claves en el desarrollo de la estructura Ill-V/Si: la formación de la célula inferior y el crecimiento de las capas III-V. Este estudio se ha llevado a cabo en colaboración con la Universidad de Ohio, que cuentan con una gran experiencia en el crecimiento de materiales III-V sobre silicio. Esta tesis concluye destacando las conclusiones globales del trabajo realizado y proponiendo diversas líneas de trabajo a emprender en el futuro. ABSTRACT This thesis pursues the development and growth of hybrid solar cells -through Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE)- formed by III-V semiconductors on silicon substrates. This integration aims to provide an alternative to current III-V cells, which, despite hold the efficiency record for photovoltaic devices, their cost is, today, too high to be economically competitive to conventional silicon cells. Accordingly, the target of this project is to link the already demonstrated efficiency potential of III-V semiconductor multijunction solar cell architectures with the low cost and unconstrained availability of silicon substrates. Within the existing alternatives for the integration of III-V semiconductors on silicon substrates, this thesis is based on the metamorphic approach for the development of GaAsP/Si dual-junction solar cells. In this approach, the accommodation of the lattice mismatch is handle through the appearance of crystallographic defects (namely dislocations), which will be confined through the incorporation of a graded buffer layer. The resulting surface will have, on the one hand a good structural quality; and on the other hand the desired lattice parameter. Different research groups have been working in the last years in a structure similar to the one here described, being most of their efforts directed towards the optimization of the heteroepitaxial growth of III-V compounds on Si, with the primary goal of minimizing the appearance of crystal defects. However, none of these groups has paid much attention to the development and optimization of the bottom silicon cell, which, indeed, will play an important role on the overall solar cell performance. In this respect, the idea of this thesis is to complete the work done so far in this field by focusing on the design and optimization of the bottom silicon cell, to harness its efficiency. This work is divided into six chapters, organized according to the natural progress of the bottom cell development. After a brief introduction to the growth of III-V semiconductors on Si substrates, pointing out the different alternatives for their integration; we move to the experimental part, which is initiated by an extensive description and characterization of silicon substrates -the base of the III-V structure-. In this chapter, a comprehensive analysis of the different treatments (chemical and thermal) required for preparing silicon surfaces for subsequent epitaxial growth is presented. Next step on the development of the bottom cell is the formation of the p-n junction itself, which is faced in Chapter 3. Firstly, the optimization of the emitter configuration (in terms of doping and thickness) is handling by analytic models. This study includes a comparison between the different alternatives for the emitter formation, evaluating the advantages and disadvantages of each approach. After the theoretical design of the emitter, it is defined (through the modeling of the P-in-Si diffusion process) a practical parameter space for the experimental implementation of this emitter configuration. The characterization of these emitters through different analytical tools (i.e. ECV or SIMS) will validate and provide experimental support for the theoretical models. A side effect of the formation of the emitter by P diffusion is the roughening of the Si surface. Accordingly, once the p-n junction is formed, it is necessary to ensure that the Si surface is smooth enough and clean for subsequent phases. Indeed, the roughness of the Si must be carefully controlled since it will be the basis for the epitaxial growth. Accordingly, after quantifying (experimentally and by theoretical models) the impact of the phosphorus on the silicon surface morphology, different alternatives for the recovery of the surface are proposed in order to achieve a sub-nanometer roughness which does not endanger the quality of the incoming III-V layers. Moving a step further in the development of the Ill-V/Si structure implies to address the challenges associated to the GaP on Si nucleation. On the one hand, this layer will provide surface passivation to the emitter. In this sense, the growth of the III-V layer must be homogeneous and continuous so the Si emitter gets fully passivated, providing a minimal surface recombination velocity at the interface. On the other hand, the growth should be such that the appearance of typical defects related to the growth of a polar layer on a non-polar substrate is minimized. Chapter 5 includes an exhaustive study of the GaP on Si nucleation process, exploring different nucleation routines for achieving a high morphological and structural quality, which will be characterized by means of different microscopy techniques. Finally, an extensive study of the photovoltaic properties of the bottom cell and its evolution during key phases in the fabrication of a MOCVD-grown III-V-on-Si epitaxial structure (i.e. the formation of the bottom cell; and the growth of III-V layers) will be presented in the last part of this thesis. This study was conducted in collaboration with The Ohio State University, who has extensive experience in the growth of III-V materials on silicon. This thesis concludes by highlighting the overall conclusions of the presented work and proposing different lines of work to be undertaken in the future.

Por el reuerendo clero de la Iglesia parroquial de Santa Cruz de la presente ciudad, con los administradores de la administracion que dexò el dotor Nicolas Ferrer, y Isabel Montagut, conyuges [Texto impreso]

La última fecha que cita el texto es 1667 y Benito Macè murió en 1677

Loos, Gínzburg y Teige: monumentalidad y modernidad

Durante el exilio norteamericano de 1943, el historiador Sigfried Giedion junto con el arquitecto Josep Lluís Sert y el pintor Fernand Léger escribieron los Nueve Puntos sobre Monumentalidad. El manifiesto fue el antecedente de un texto que el mismo Giedion presentó al año siguiente denominado La Necesidad de una Nueva Monumentalidad. En ese contexto, el interés por discutir el asunto de la monumentalidad buscaba señalar una virtual dirección para la arquitectura venidera en el escenario de la posguerra. Según el historiador, la condición monumental completaba el último paso en una progresión inevitable que tras el establecimiento del paradigma moderno -ocupado inicialmente en resolver temas técnicos, funcionales, simplificados e higienistas- habría de atender los problemas relacionados con la expresión simbólica, conmemorativa, emocional y artística de la nueva arquitectura. En ese sentido nos preguntamos, ¿es la monumentalidad una cuestión abiertamente contradictoria con los principios modernos y por lo tanto excluida durante este periodo?. El crítico norteamericano Lewis Mumford acuñó al respecto una sentencia contundente: "La noción de un monumento moderno implica, en verdad, una contradicción de sus términos: si es un monumento no es moderno, y si es moderno no puede ser un monumento". Con el fin de estructurar un posicionamiento crítico que permita contrastar el amplio espectro conformado entre lo dicho y lo hecho, se toma como referencia la obra escrita de tres personajes fundamentales dentro del desarrollo de la modernidad en la Europa de entreguerras -Adolf Loos en la Viena de transición del fin de siècle, Moisei Gínzburg en los márgenes del constructivismo soviético y Karel Teige en el contexto de la vanguardia Checa- para indagar sobre cuándo y cómo se encuentran o rechazan las nociones de modernidad y monumentalidad en ese período crítico. Dado que es objeto de interés establecer los posibles límites en la reflexión que entreteje desde los posicionamientos conscientes a las complicidades involuntarias del aparente enfrentamiento. En el proceso de mutación entre el proyecto y la obra construida, entre la palabra escrita y la arquitectura, las aportaciones de estos tres críticos figuran como relevantes en un ejercicio que busca comprobar posteriormente la trascendencia del asunto en algunos de los ejemplos canónicos de la arquitectura de los primeros años del siglo XX. A la distancia, la importancia del tema recae en un interés vigente en el que los aspectos de representación, memoria, significado o legitimidad, siguen siendo motivo de debate en el panorama de la producción arquitectónica actual.

Alegacion en derecho por Iuan Bautista Sauli y Vicente Sauli ..., en la causa de nobleza que siguen con los tres sindicos y procurador patrimonial de la Ciudad de Valencia [Texto impreso]

Precede al tít.: "Iesus, Maria, Ioseph"

Apuntamiento iuridico, sobre el estado presente de los pleytos de la villa de Elche, y otros lugares, con los ilustres Duques de Maqueda, y coadjuvacion del Real Fisco à la pretension de la villa, para la reduccion á la Real Corona [Texto impreso]

Texto fechado en Madrid, 1680