Case based reasoning as an extension of fault dictionary methods for linear electronic analog circuits diagnosis

El test de circuits és una fase del procés de producció que cada vegada pren més importància quan es desenvolupa un nou producte. Les tècniques de test i diagnosi per a circuits digitals han estat desenvolupades i automatitzades amb èxit, mentre que aquest no és encara el cas dels circuits analògics. D'entre tots els mètodes proposats per diagnosticar circuits analògics els més utilitzats són els diccionaris de falles. En aquesta tesi se'n descriuen alguns, tot analitzant-ne els seus avantatges i inconvenients. Durant aquests últims anys, les tècniques d'Intel·ligència Artificial han esdevingut un dels camps de recerca més importants per a la diagnosi de falles. Aquesta tesi desenvolupa dues d'aquestes tècniques per tal de cobrir algunes de les mancances que presenten els diccionaris de falles. La primera proposta es basa en construir un sistema fuzzy com a eina per identificar. Els resultats obtinguts son força bons, ja que s'aconsegueix localitzar la falla en un elevat tant percent dels casos. Per altra banda, el percentatge d'encerts no és prou bo quan a més a més s'intenta esbrinar la desviació. Com que els diccionaris de falles es poden veure com una aproximació simplificada al Raonament Basat en Casos (CBR), la segona proposta fa una extensió dels diccionaris de falles cap a un sistema CBR. El propòsit no és donar una solució general del problema sinó contribuir amb una nova metodologia. Aquesta consisteix en millorar la diagnosis dels diccionaris de falles mitjançant l'addició i l'adaptació dels nous casos per tal d'esdevenir un sistema de Raonament Basat en Casos. Es descriu l'estructura de la base de casos així com les tasques d'extracció, de reutilització, de revisió i de retenció, fent èmfasi al procés d'aprenentatge. En el transcurs del text s'utilitzen diversos circuits per mostrar exemples dels mètodes de test descrits, però en particular el filtre biquadràtic és l'utilitzat per provar les metodologies plantejades, ja que és un dels benchmarks proposats en el context dels circuits analògics. Les falles considerades son paramètriques, permanents, independents i simples, encara que la metodologia pot ser fàcilment extrapolable per a la diagnosi de falles múltiples i catastròfiques. El mètode es centra en el test dels components passius, encara que també es podria extendre per a falles en els actius.

Occurence of autism spectrum disorder in the hearing-impaired population: how to achieve earlier diagnosis

This paper discusses the incidence of hearing impaired children with Autism Spectrum Disorder and methods of diagnosis.

What it takes: Issues in implementing electronic portfolios

The purpose of this study was to investigate the issues in implementing electronic portfolios as a school-wide innovation, and to provide a resource guide for the future use of electronic portfolios at Central Institute for the Deaf.

Electronic structure of point defects in controlled self-doping of the TiO2 (110) surface: Combined photoemission spectroscopy and density functional theory study

Point defects in metal oxides such as TiO2 are key to their applications in numerous technologies. The investigation of thermally induced nonstoichiometry in TiO2 is complicated by the difficulties in preparing and determining a desired degree of nonstoichiometry. We study controlled self-doping of TiO2 by adsorption of 1/8 and 1/16 monolayer Ti at the (110) surface using a combination of experimental and computational approaches to unravel the details of the adsorption process and the oxidation state of Ti. Upon adsorption of Ti, x-ray and ultraviolet photoemission spectroscopy (XPS and UPS) show formation of reduced Ti. Comparison of pure density functional theory (DFT) with experiment shows that pure DFT provides an inconsistent description of the electronic structure. To surmount this difficulty, we apply DFT corrected for on-site Coulomb interaction (DFT+U) to describe reduced Ti ions. The optimal value of U is 3 eV, determined from comparison of the computed Ti 3d electronic density of states with the UPS data. DFT+U and UPS show the appearance of a Ti 3d adsorbate-induced state at 1.3 eV above the valence band and 1.0 eV below the conduction band. The computations show that the adsorbed Ti atom is oxidized to Ti2+ and a fivefold coordinated surface Ti atom is reduced to Ti3+, while the remaining electron is distributed among other surface Ti atoms. The UPS data are best fitted with reduced Ti2+ and Ti3+ ions. These results demonstrate that the complexity of doped metal oxides is best understood with a combination of experiment and appropriate computations.

Revised IR spectrum, radiative efficiency and global warming potential of nitrogen trifluoride

Nitrogen trifluoride (NF3) is an industrial gas used in the semiconductor industry as a plasma etchant and chamber cleaning gas. NF3 is an alternative to other potent greenhouse gases and its usage has increased markedly over the last decade. In recognition of its increased relevance and to aid planning of future usage we report an updated radiative efficiency and global warming potentials for NF3. Laboratory measurements give an integrated absorption cross section of 7.04 x 10(-17) cm(2) molecule(-1) cm(-1) over the spectral region 200 2000 cm(-1). The radiative efficiency is calculated to be 0.21 Wm(-2) ppbv(-1) and the 100 year GWP, relative to carbon dioxide, is 17200. These values are approximately 60% higher than previously published estimates, primarily reflecting the higher infrared absorption cross-sections reported here.