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Low-temperature (≤600 °C) semi-insulating oxygen-
doped
silicon films by the PECVD technique for large-area power applications
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Low temperature (≤ 600°C) semi-insulating oxygen-
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silicon films by the PECVD technique for large area power applications
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Anomalies in the scattering of gamma-rays from single crystals of HF-
doped
ice-Ih around 100 K
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Enhanced electron field emission in B-
doped
carbon nanotubes
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Seebeck measurements of N-
doped
diamond thin film
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