The valence band alignment at ultrathin SiO2/Si interfaces

High resolution x-ray photoelectron spectroscopy has been used to determine the valence band alignment at ultrathin SiO2/Si interfaces. In the oxide thickness range 1.6-4.4 nm the constant band-offset values of 4.49 and 4.43 eV have been obtained for the dry SiO2/Si(100) and the wet SiO2/Si(100) interfaces, respectively. The valence band alignment of dry SiO2/Si(111) (4.36 eV) is slightly smaller than the case of the dry SiO2/Si(100) interface.

Structural factors impacting carrier transport and electroluminescence from Si nanocluster-sensitized Er ions.

We present an analysis of factors influencing carrier transport and electroluminescence (EL) at 1.5 µm from erbium-doped silicon-rich silica (SiOx) layers. The effects of both the active layer thickness and the Si excess content on the electrical excitation of erbium are studied. We demonstrate that when the thickness is decreased from a few hundred to tens of nanometers the conductivity is greatly enhanced. Carrier transport is well described in all cases by a Poole-Frenkel mechanism, while the thickness-dependent current density suggests an evolution of both density and distribution of trapping states induced by Si nanoinclusions. We ascribe this observation to stress-induced effects prevailing in thin films, which inhibit the agglomeration of Si atoms, resulting in a high density of sub-nm Si inclusions that induce traps much shallower than those generated by Si nanoclusters (Si-ncs) formed in thicker films. There is no direct correlation between high conductivity and optimized EL intensity at 1.5 µm. Our results suggest that the main excitation mechanism governing the EL signal is impact excitation, which gradually becomes more efficient as film thickness increases, thanks to the increased segregation of Si-ncs, which in turn allows more efficient injection of hot electrons into the oxide matrix. Optimization of the EL signal is thus found to be a compromise between conductivity and both number and degree of segregation of Si-ncs, all of which are governed by a combination of excess Si content and sample thickness. This material study has strong implications for many electrically driven devices using Si-ncs or Si-excess mediated EL.

Infrared characterization of a-Si:H/a-Si1-xCx:H interfaces

Infrared spectroscopy was used to characterize three series of a-Si:H/a-Si1-xCx:H multilayers in which their geometrical parameters were varied. The infrared active vibrational groups in their spectra and the interference fringes in their absorption-free zone were studied to analyze the interfaces and the changes that are produced in very thin layers. Our results show that hydrogen is bonded to silicon only in monohydride groups. No additional hydrogen could be detected at these interfaces. The deposition of very thin a-Si1-xCx:H layers seems to affect their porous structure, making them denser.

Correlation between charge transport and electroluminescence properties of Si-rich oxide/nitride/oxide-based light emitting capacitors.

The electrical and electroluminescence (EL) properties at room and high temperatures of oxide/ nitride/oxide (ONO)-based light emitting capacitors are studied. The ONO multidielectric layer is enriched with silicon by means of ion implantation. The exceeding silicon distribution follows a Gaussian profile with a maximum of 19%, centered close to the lower oxide/nitride interface. The electrical measurements performed at room and high temperatures allowed to unambiguously identify variable range hopping (VRH) as the dominant electrical conduction mechanism at low voltages, whereas at moderate and high voltages, a hybrid conduction formed by means of variable range hopping and space charge-limited current enhanced by Poole-Frenkel effect predominates. The EL spectra at different temperatures are also recorded, and the correlation between charge transport mechanisms and EL properties is discussed.

Structure of a-Si:H/a-Si1-xCx:H multilayers deposited in a reactor with automated substrate holder

This paper deals with the structural properties of a-Si:H/a-Si1-xCx: H multilayers deposited by glow-discharge decomposition of SiH4 and SiH4 and CH4 mixtures. The main feature of the rf plasma reactor is an automated substrate holder. The plasma stabilization time and its influence on the multilayer obtained is discussed. A series of a-Si:H/a-Si1-xCx: H multilayers has been deposited and characterized by secondary ion mass spectrometry (SIMS), X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM). No asymmetry between the two types of interface has been observed. The results show that the multilayers present a very good periodicity and low roughness. The difficulty of determining the abruptness of the multilayer at the nanometer scale is discussed.

Aprovisionamiento de SI de Worten España Distribución, S.L.

Peer-reviewed

Avaliação do conhecimento de médicos não-radiologistas sobre reações adversas aos contrastes iodados

OBJETIVO: Avaliar o conhecimento dos médicos não-radiologistas sobre reações adversas ao meio de contraste iodado, sua prevenção e as condições clínicas que aumentam seu risco. MATERIAIS E MÉTODOS: Estudo transversal com 203 médicos não-radiologistas (assistentes, residentes e estagiários) de várias especialidades, utilizando um questionário com dez questões de múltipla escolha abordando profilaxia, fatores de risco e condutas relacionadas ao desenvolvimento de reações adversas aos meios de contraste iodados. Os resultados foram analisados com o programa Statistic Package for Social Sciences, Windows®, versão 12.0. RESULTADOS: Asma, alergia alimentar, ansiedade e doença isquêmica do coração foram considerados fatores de risco por 80,9%, 78,9%, 5,9% e 4,1% dos participantes, respectivamente. Para 23,4% dos médicos, não há contra-indicações absolutas ao uso do meio de contraste iodado. As condutas profiláticas em pacientes com reação prévia ao meio de contraste iodado e em diabéticos em uso de metformina foram corretamente indicadas por 84,5% e 53,7% dos participantes, respectivamente. As questões abordando nefropatia induzida por meio de contraste iodado, uso de anti-sépticos tópicos iodados em pacientes com história de reação adversa ao meio de contraste iodado e ansiedade foram acertadas por 86,1%, 45,5%, e 5,9% dos participantes, respectivamente. CONCLUSÃO: Os médicos não-radiologistas demonstraram conhecimento razoável sobre reações adversas aos meios de contraste iodados. É necessária melhor integração e comunicação entre radiologistas e médicos das demais especialidades.

Avaliação do conhecimento de médicos não radiologistas sobre aspectos relacionados à radiação ionizante em exames de imagem

Objetivo:Avaliar o conhecimento dos médicos não radiologistas sobre a utilização da radiação ionizante em exames de imagem.Materiais e Métodos:Estudo transversal, utilizando questionário anônimo, aplicado a médicos de especialidades clínicas e cirúrgicas, dividido em duas partes: uma com questões sobre as características dos médicos, frequência de solicitação de exames e de participação em eventos de atualização profissional, e outra com questões de múltipla escolha, abordando conhecimentos gerais sobre radiação, princípios de otimização e radioproteção.Resultados:De 309 questionários distribuídos, 120 (38,8%) foram respondidos, 50% por médicos de especialidades cirúrgicas e 50% clínicas; 45% e 2,5% dos médicos responderam, respectivamente, que a ressonância magnética e a ultrassonografia utilizam radiação ionizante. No geral, a média das notas foi maior nas especialidades cirúrgicas, sem diferenças significativas, exceto na questão sobre exposição em grávidas (p = 0,047). Os médicos que se atualizam profissionalmente mostraram conhecimento sobre radiação ionizante estatisticamente superior aos demais, principalmente os que frequentam reuniões clínicas (p = 0,050) e participam de atividades de ensino (p = 0,047).Conclusão:O conhecimento dos médicos não radiologistas sobre radiação ionizante é heterogêneo e em alguns pontos precisa ser melhorado. Reuniões clínicas multidisciplinares e atividades de ensino são importantes formas de disseminar informações sobre o tema.

Estudo da Determinação dos Grupos Silanóis ( º Si-OH) em Sílica: Aplicação à Materiais de Recheio Utilizados em Cromatografia Gasosa

A simple chemical method has been developed to quantify the silanol groups (º Si-OH) in silica as well as in coated chromatographic supports for use in packed - column Gas Chromatography. After adsorption of 10 mg/mL methylene blue, centrifuging action and filtration, the absorbance of the solution was inversely proportional to the silanol quantity. The difference between the absorbance of the pure solution and that of the solid - free filtrate was related to the silica weight, yielding a quantitative analysis of these groups.