Spectroscopic Studies of III-V Semiconductor Materials for Improved Devices

Defects in semiconductor crystals and at their interfaces usually impair the properties and the performance of devices. These defects include, for example, vacancies (i.e., missing crystal atoms), interstitials (i.e., extra atoms between the host crystal sites), and impurities such as oxygen atoms. The defects can decrease (i) the rate of the radiative electron transition from the conduction band to the valence band, (ii) the amount of charge carriers, and (iii) the mobility of the electrons in the conduction band. It is a common situation that the presence of crystal defects can be readily concluded as a decrease in the luminescence intensity or in the current flow for example. However, the identification of the harmful defects is not straightforward at all because it is challenging to characterize local defects with atomic resolution and identification. Such atomic-scale knowledge is however essential to find methods for reducing the amount of defects in energy-efficient semiconductor devices. The defects formed in thin interface layers of semiconductors are particularly difficult to characterize due to their buried and amorphous structures. Characterization methods which are sensitive to defects often require well-defined samples with long range order. Photoelectron spectroscopy (PES) combined with photoluminescence (PL) or electrical measurements is a potential approach to elucidate the structure and defects of the interface. It is essential to combine the PES with complementary measurements of similar samples to relate the PES changes to changes in the interface defect density. Understanding of the nature of defects related to III-V materials is relevant to developing for example field-effect transistors which include a III-V channel, but research is still far from complete. In this thesis, PES measurements are utilized in studies of various III-V compound semiconductor materials. PES is combined with photoluminescence measurements to study the SiO2/GaAs, SiNx/GaAs and BaO/GaAs interfaces. Also the formation of novel materials InN and photoluminescent GaAs nanoparticles are studied. Finally, the formation of Ga interstitial defects in GaAsN is elucidated by combining calculational results with PES measurements.

Tuotantokoneiden pitoajat meijerialan yrityksessä

Diplomityön tavoitteena on tutkia, millaisia ovat Valion tuoretuotemeijerien tuotantokoneiden toteutuneet pitoajat suhteessa kirjanpidon pitoaikaan ja mikä pitoaikoihin eniten vaikuttaa. Tuotantokoneiksi luetaan tässä tutkimuksessa valmistus- ja pakkauskoneet sekä pakkauskoneiden jälkikäsittelylaitteet. Tavoitteena on selvittää myös eroja eri laiteryhmien ja meijerien välillä, ja mitkä syyt aiheuttavat nämä erilaiset pitoajat. Tutkimus toteutettiin sekä haastattelututkimuksena että taseeseen ja erillisiin konetietoihin tutustumalla. Tärkeimpinä käytettävinä teorioina on hyödynnetty erilaisten pitoaikojen määritelmiä sekä koneiden korvausmalleja sekä muita tutkimuksia pitoajoista. Vanhimmat valmistuskoneet olivat Tampereella ja uusimmat Jyväskylässä. Pakkauskoneista vanhimmat ovat Riihimäellä ja uusimmat vastaavasti Jyväskylässä sekä Tampereella. Jälkikäsittelylaitteista vanhimmat laitteet olivat Tampereella ja uusimmat Riihimäellä. Kokonaisuudessaan laitoksista nuorin on Jyväskylän meijeri, mihin merkittävin syy on koko prosessin uusiminen vuonna 2003. Tutkimuksessa kokonaispitoaika tuotantokoneille oli 10,8 vuotta. Yleisimpiä syitä jonkin laitteen vaihtamiseen meijereillä olivat pelko hygienian riittämättömyydestä, laitteen huonontunut kunto ja varaosien huono saatavuus. Tutkittujen Valion laitoksien tuotantokoneet ovat hyvin samanikäisiä verrattuna muiden tutkimuksien tuloksiin. Jatkossa Valion kannattaisi kehittää pitoaikojen seurantaa ja vuosittaisia tarkastuksia meijereillä.

Kaksifaasijäähdytysjärjestelmään liittyvien pumppujen vertailu ja kehittäminen sarjatuotannon tarpeisiin

Tehoelektroniikalta vaaditaan nykyään parempaa suorituskykyä entistä pienemmässä tilassa. Tämä luo haasteen riittävälle jäähdytykselle. Eräs ratkaisu on käyttää kaksifaasijäähdytystä, jolla aikaansaadaan tehokas lämmönsiirto komponenttien pinnalta. Lämmönsiirtonesteinä voidaan käyttää kylmäaineita tai muita alhaisessa lämpötilassa kiehuvia nesteitä. Tällaisille nesteille on tyypillistä alhainen höyrynpaine sekä matala viskositeetti. Nämä ominaisuudet tuovat haasteita nesteen pumppaukseen. Tässä työssä tarkastellaan R-134A:ta sekä Novec 7000:ta, perehdytään niiden fysikaalisiin ominaisuuksiin sekä materiaaliyhteensopivuuksiin ja näiden tietojen pohjalta etsitään sopivaa pumpputyyppiä kaksifaasijäähdytysjärjestelmään. Tehoelektroniikan jäähdytysjärjestelmän pumpun on oltava edullinen muuhun järjestelmään nähden. Tyypillinen kiertopumppu nestejäähdytysjärjestelmässä on pieni keskipakopumppu. Alhaisen kiehumispisteen vuoksi kavitointiriski kasvaa ja tämä voi vahingoittaa pumppua. Myös matala viskositeetti tuo haasteita vuotoherkkyyden kasvamisen myötä, joten mekaanisilla aksiaalitiivisteillä varustetut pumput eivät ole pitkäikäisiä. Kylmäainejärjestelmiin tarkoitetut pumput ovat arvokkaita, eikä näin ollen sovellu edullisiin jäähdytysjärjestelmiin. Tässä työssä käydään läpi erilaisia pumpputyyppejä, jotka voisivat soveltua pitkäikäiseen pumppaukseen ilman huoltotöitä. Näiden tietojen perusteella kehitetään edullista ja pitkäikäistä pumppua pieniin kaksifaasijäähdytysjärjestelmiin nesteiden fysikaaliset ominaisuudet huomioon ottaen. Kehitetyn pumpun ominaisuuksia ja kustannuksia vertaillaan kaupallisiin ratkaisuihin ottaen huomioon sarjavalmistus. Itse valmistettuna pienelle sisäryntöiselle hammaspyöräpumpulle jää hintaa alle kymmenesosa markkinoilta löytyviin kylmäaineille soveltuviin pumppuun.