Copia del auto en vista del Señor D. Pedro Josef Mayoral, Visitador Regio, que fuè, de este Real Hospital General, relativo al Govierno de las Enfermerias ..

Hay un ejemplar encuadernado con: Constituciones y nuevas ordenanzas del Real y General Hospital de la ciudad de Valencia (XVIII/1133).

Señor. Con Auto del Vuestro Consejo... mandó V.M. al Claustro de esta Universidad Literaria que le informe si es conveniente a la publica enseñanza la separacion de las Aulas de Gramatica, que la Ciudad de Valencia tiene convenida con los Padres de la Compañia de Jesus, qué rentas son las destinadas para las cathedraticas de Latinidad ...

Texto fechado en Valencia, 1729

El vídeo didáctico, facilitador del aprendizaje/auto-aprendizaje

Entre los recursos susceptibles de ser utilizados en red, desarrollados por el grupo de Innovación Educativa INNGEO, cabe destacar la producción de 13 vídeos que constituyen un valioso material para facilitar las Observaciones de campo en asignaturas de la materia “Topografía” del Grado en Ingeniería Geomática y Topografía; son, en la práctica, “la versión audiovisual” de los Cuadernos de observaciones de campo, tan enraizados en el “saber hacer” de las materias específicas de la titulación objeto de innovación. Con el objetivo principal de hacer del vídeo docente un recurso facilitador del aprendizaje/autoaprendizaje, se presenta, no solo la metodología, técnicas y tecnologías utilizadas en su diseño y producción, sino también el impacto que en asignaturas, Escuela, UPM y mundo técnico ha generado desde su incorporación como recurso innovador en asignaturas implementadas en Moodle, hasta su publicación en abierto en el Canal UPM de YouTube y en iTunes U. Abstract: Among the resources that could be used in a network, developed by the Educational Innovation INNGEO group included the production of 13 videos that provide va luable material for facilitating field observations in subjects of the matter "Topography" of the Engineering Degree in Geomatics and Surveying; They are, in practice, "visual version" of the Journal of field observations, as rooted in the "know how to do" of the specific subjects of the degree object of innovation. With the aim of making the educational video a resource facilitator of learning / self - study is presented, not only the methodology, techniques and technologies used in design and production, but also the impact on subjects, School, UPM and technical world has generated from its incorporation as a resource implemented innovative courses Moodle, until its open publication in the UPM Channel in YouTube and iTunes U.

Auto-Emergencia de Comunicación Sintáctica en Entornos Estáticos y Dinámicos para Grupos de Robots mediante Evolución Gramatical y Aprendizaje por Refuerzo

La idea de dotar a un grupo de robots o agentes artificiales de un lenguaje ha sido objeto de intenso estudio en las ultimas décadas. Como no podía ser de otra forma los primeros intentos se enfocaron hacia el estudio de la emergencia de vocabularios compartidos convencionalmente por el grupo de robots. Las ventajas que puede ofrecer un léxico común son evidentes, como también lo es que un lenguaje con una estructura más compleja, en la que se pudieran combinar palabras, sería todavía más beneficioso. Surgen así algunas propuestas enfocadas hacia la emergencia de un lenguaje consensuado que muestre una estructura sintáctica similar al lenguaje humano, entre las que se encuentra este trabajo. Tomar el lenguaje humano como modelo supone adoptar algunas de las hipótesis y teorías que disciplinas como la filosofía, la psicología o la lingüística entre otras se han encargado de proponer. Según estas aproximaciones teóricas el lenguaje presenta una doble dimension formal y funcional. En base a su dimensión formal parece claro que el lenguaje sigue unas reglas, por lo que el uso de una gramática se ha considerado esencial para su representación, pero también porque las gramáticas son un dispositivo muy sencillo y potente que permite generar fácilmente estructuras simbólicas. En cuanto a la dimension funcional se ha tenido en cuenta la teoría quizá más influyente de los últimos tiempos, que no es otra que la Teoría de los Actos del Habla. Esta teoría se basa en la idea de Wittgenstein por la que el significado reside en el uso del lenguaje, hasta el punto de que éste se entiende como una manera de actuar y de comportarse, en definitiva como una forma de vida. Teniendo presentes estas premisas en esta tesis se pretende experimentar con modelos computacionales que permitan a un grupo de robots alcanzar un lenguaje común de manera autónoma, simplemente mediante interacciones individuales entre los robots, en forma de juegos de lenguaje. Para ello se proponen tres modelos distintos de lenguaje: • Un modelo basado en gramáticas probabilísticas y aprendizaje por refuerzo en el que las interacciones y el uso del lenguaje son claves para su emergencia y que emplea una gramática generativa estática y diseñada de antemano. Este modelo se aplica a dos grupos distintos: uno formado exclusivamente por robots y otro que combina robots y un humano, de manera que en este segundo caso se plantea un aprendizaje supervisado por humanos. • Un modelo basado en evolución gramatical que permite estudiar no solo el consenso sintáctico, sino también cuestiones relativas a la génesis del lenguaje y que emplea una gramática universal a partir de la cual los robots pueden evolucionar por sí mismos la gramática más apropiada según la situación lingüística que traten en cada momento. • Un modelo basado en evolución gramatical y aprendizaje por refuerzo que toma aspectos de los anteriores y amplia las posibilidades de los robots al permitir desarrollar un lenguaje que se adapta a situaciones lingüísticas dinámicas que pueden cambiar en el tiempo y también posibilita la imposición de restricciones de orden muy frecuentes en las estructuras sintácticas complejas. Todos los modelos implican un planteamiento descentralizado y auto-organizado, de manera que ninguno de los robots es el dueño del lenguaje y todos deben cooperar y colaborar de forma coordinada para lograr el consenso sintáctico. En cada caso se plantean experimentos que tienen como objetivo validar los modelos propuestos, tanto en lo relativo al éxito en la emergencia del lenguaje como en lo relacionado con cuestiones paralelas de importancia, como la interacción hombre-máquina o la propia génesis del lenguaje. ABSTRACT The idea of giving a language to a group of robots or artificial agents has been the subject of intense study in recent decades. The first attempts have focused on the development and emergence of a conventionally shared vocabulary. The advantages that can provide a common vocabulary are evident and therefore a more complex language that combines words would be even more beneficial. Thus some proposals are put forward towards the emergence of a consensual language with a sintactical structure in similar terms to the human language. This work follows this trend. Taking the human language as a model means taking some of the assumptions and theories that disciplines such as philosophy, psychology or linguistics among others have provided. According to these theoretical positions language has a double formal and functional dimension. Based on its formal dimension it seems clear that language follows rules, so that the use of a grammar has been considered essential for representation, but also because grammars are a very simple and powerful device that easily generates these symbolic structures. As for the functional dimension perhaps the most influential theory of recent times, the Theory of Speech Acts has been taken into account. This theory is based on the Wittgenstein’s idea about that the meaning lies in the use of language, to the extent that it is understood as a way of acting and behaving. Having into account these issues this work implements some computational models in order to test if they allow a group of robots to reach in an autonomous way a shared language by means of individual interaction among them, that is by means of language games. Specifically, three different models of language for robots are proposed: • A reinforcement learning based model in which interactions and language use are key to its emergence. This model uses a static probabilistic generative grammar which is designed beforehand. The model is applied to two different groups: one formed exclusively by robots and other combining robots and a human. Therefore, in the second case the learning process is supervised by the human. • A model based on grammatical evolution that allows us to study not only the syntactic consensus, but also the very genesis of language. This model uses a universal grammar that allows robots to evolve for themselves the most appropriate grammar according to the current linguistic situation they deal with. • A model based on grammatical evolution and reinforcement learning that takes aspects of the previous models and increases their possibilities. This model allows robots to develop a language in order to adapt to dynamic language situations that can change over time and also allows the imposition of syntactical order restrictions which are very common in complex syntactic structures. All models involve a decentralized and self-organized approach so that none of the robots is the language’s owner and everyone must cooperate and work together in a coordinated manner to achieve syntactic consensus. In each case experiments are presented in order to validate the proposed models, both in terms of success about the emergence of language and it relates to the study of important parallel issues, such as human-computer interaction or the very genesis of language.

Determinación del riesgo de auto-combustión en almacenamiento de biomasas para la producción de gas mediante gasificación

En la actualidad más del 80 % de la energía eléctrica empleada en el mundo se obtiene a partir de combustibles de origen fósil. Sin embargo, estas fuentes de energía (gas natural, el carbón o el petróleo) presentan problemas de emisión de cantidades importantes de contaminantes a la atmósfera como CO, NOx y SOx. Estas emisiones están llevando a intentar reducir las emisiones enfocando el consumo a la utilización de fuentes de energía renovable, menos dañinas para el ambiente como la energía solar, la eólica, la biomasa, etc. En los almacenamientos de biomasa, ésta es potencialmente capaz de absorber oxígeno produciendo reacciones exotérmicas de oxidación. Si el calor producido en estas reacciones no se disipa adecuadamente, provoca un auto-calentamiento de la materia orgánica que puede ser causa de descomposición e inflamación. En el ámbito de la posible auto-combustión en el almacenamiento y manipulación de las biomasas existen diversos factores que influyen en la susceptibilidad térmica de las biomasas, es decir, en su tendencia a la oxidación y posterior inflamación de la materia. Esta Tesis Doctoral pretende evaluar el riesgo de auto-combustión de las biomasas almacenadas, para su uso en procesos de gasificación. En este estudio se ha trabajado con biomasas de origen agrícola, forestal y residual empleadas en procesos industriales de gasificación con distinta composición química. Los métodos empleados se han basado en técnicas clásicas de termogravimetría, calorimetría diferencial de barrido, análisis de composición y morfología. Con estos ensayos se pretende definir un rango de temperaturas lo más estrecho posible donde las muestras presentan mayor susceptibilidad a un calentamiento espontáneo que puede derivar en auto-combustión, en función de las distintas propiedades estudiadas de las biomasas, para poder servir así de herramienta de evaluación y análisis del riesgo de autocombustión. Como conclusión se muestran umbrales y valores que relacionan las propiedades físicas y químicas de las biomasas estudiadas en su auto-combustión, analizando la influencia de los procesos de preparación de las biomasas sobre las variables que caracterizan su susceptibilidad térmica.

La joya de Carcagente ó El hallazgo de la Virgen de Aguas Vivas [Manuscrito] : Auto en tres actos y en verso

Los dos primeros actos son autográfos

Depth filtering for auto-stereoscopic mobile devices

In this work we address a scenario where 3D content is transmitted to a mobile terminal with 3D display capabilities. We consider the use of 2D plus depth format to represent the 3D content and focus on the generation of synthetic views in the terminal. We evaluate different types of smoothing filters that are applied to depth maps with the aim of reducing the disoccluded regions. The evaluation takes into account the reduction of holes in the synthetic view as well as the presence of geometrical distortion caused by the smoothing operation. The selected filter has been included within an implemented module for the VideoLan Client (VLC) software in order to render 3D content from the 2D plus depth data format.

Self assembled and ordered group III nitride nanocolumnar structures for light emitting applications

El objetivo de este trabajo es un estudio profundo del crecimiento selectivo de nanoestructuras de InGaN por epitaxia de haces moleculares asistido por plasma, concentrandose en el potencial de estas estructuras como bloques constituyentes en LEDs de nueva generación. Varias aproximaciones al problema son discutidas; desde estructuras axiales InGaN/GaN, a estructuras core-shell, o nanoestructuras crecidas en sustratos con orientaciones menos convencionales (semi polar y no polar). La primera sección revisa los aspectos básicos del crecimiento auto-ensamblado de nanocolumnas de GaN en sustratos de Si(111). Su morfología y propiedades ópticas son comparadas con las de capas compactas de GaN sobre Si(111). En el caso de las columnas auto-ensambladas de InGaN sobre Si(111), se presentan resultados sobre el efecto de la temperatura de crecimiento en la incorporación de In. Por último, se discute la inclusión de nanodiscos de InGaN en las nanocolumnas de GaN. La segunda sección revisa los mecanismos básicos del crecimiento ordenado de nanoestructuras basadas en GaN, sobre templates de GaN/zafiro. Aumentando la relación III/V localmente, se observan cambios morfológicos; desde islas piramidales, a nanocolumnas de GaN terminadas en planos semipolares, y finalmente, a nanocolumnas finalizadas en planos c polares. Al crecer nanodiscos de InGaN insertados en las nanocolumnas de GaN, las diferentes morfologias mencionadas dan lugar a diferentes propiedades ópticas de los nanodiscos, debido al diferente carácter (semi polar o polar) de los planos cristalinos involucrados. La tercera sección recoge experimentos acerca de los efectos que la temperatura de crecimiento y la razón In/Ga tienen en la morfología y emisión de nanocolumnas ordenadas de InGaN crecidas sobre templates GaN/zafiro. En el rango de temperaturas entre 650 y 750 C, la incorporacion de In puede modificarse bien por la temperatura de crecimiento, o por la razón In/Ga. Controlar estos factores permite la optimización de la longitud de onda de emisión de las nanocolumnas de InGaN. En el caso particular de la generación de luz blanca, se han seguidos dos aproximaciones. En la primera, se obtiene emisión amarilla-blanca a temperatura ambiente de nanoestructuras donde la región de InGaN consiste en un gradiente de composiciones de In, que se ha obtenido a partir de un gradiente de temperatura durante el crecimiento. En la segunda, el apilamiento de segmentos emitiendo en azul, verde y rojo, consiguiendo la integración monolítica de estas estructuras en cada una de las nanocolumnas individuales, da lugar a emisores ordenados con un amplio espectro de emisión. En esta última aproximación, la forma espectral puede controlarse con la longitud (duración del crecimiento) de cada uno de los segmentos de InGaN. Más adelante, se presenta el crecimiento ordenado, por epitaxia de haces moleculares, de arrays de nanocolumnas que son diodos InGaN/GaN cada una de ellas, emitiendo en azul (441 nm), verde (502 nm) y amarillo (568 nm). La zona activa del dispositivo consiste en una sección de InGaN, de composición constante nominalmente y longitud entre 250 y 500 nm, y libre de defectos extendidos en contraste con capas compactas de InGaN de similares composiciones y espesores. Los espectros de electroluminiscencia muestran un muy pequeño desplazamiento al azul al aumentar la corriente inyectada (desplazamiento casi inexistente en el caso del dispositivo amarillo), y emisiones ligeramente más anchas que en el caso del estado del arte en pozos cuánticos de InGaN. A continuación, se presenta y discute el crecimiento ordenado de nanocolumnas de In(Ga)N/GaN en sustratos de Si(111). Nanocolumnas ordenadas emitiendo desde el ultravioleta (3.2 eV) al infrarrojo (0.78 eV) se crecieron sobre sustratos de Si(111) utilizando una capa compacta (“buffer”) de GaN. La morfología y eficiencia de emisión de las nanocolumnas emitiendo en el rango espectral verde pueden ser mejoradas ajustando las relaciones In/Ga y III/N, y una eficiencia cuántica interna del 30% se deriva de las medidas de fotoluminiscencia en nanocolumnas optimizadas. En la siguiente sección de este trabajo se presenta en detalle el mecanismo tras el crecimiento ordenado de nanocolumnas de InGaN/GaN emitiendo en el verde, y sus propiedades ópticas. Nanocolumnas de InGaN/GaN con secciones largas de InGaN (330-830 nm) se crecieron tanto en sustratos GaN/zafiro como GaN/Si(111). Se encuentra que la morfología y la distribución espacial del In dentro de las nanocolumnas dependen de las relaciones III/N e In/Ga locales en el frente de crecimiento de las nanocolumnas. La dispersión en el contenido de In entre diferentes nanocolumnas dentro de la misma muestra es despreciable, como indica las casi identicas formas espectrales de la catodoluminiscencia de una sola nanocolumna y del conjunto de ellas. Para las nanocolumnas de InGaN/GaN crecidas sobre GaN/Si(111) y emitiendo en el rango espectral verde, la eficiencia cuántica interna aumenta hasta el 30% al disminuir la temperatura de crecimiento y aumentar el nitrógeno activo. Este comportamiento se debe probablemente a la formación de estados altamente localizados, como indica la particular evolución de la energía de fotoluminiscencia con la temperatura (ausencia de “s-shape”) en muestras con una alta eficiencia cuántica interna. Por otro lado, no se ha encontrado la misma dependencia entre condiciones de crecimiento y efiencia cuántica interna en las nanoestructuras InGaN/GaN crecidas en GaN/zafiro, donde la máxima eficiencia encontrada ha sido de 3.7%. Como alternativa a las nanoestructuras axiales de InGaN/GaN, la sección 4 presenta resultados sobre el crecimiento y caracterización de estructuras core-shell de InGaN/GaN, re-crecidas sobre arrays de micropilares de GaN fabricados por ataque de un template GaN/zafiro (aproximación top-down). El crecimiento de InGaN/GaN es conformal, con componentes axiales y radiales en el crecimiento, que dan lugar a la estructuras core-shell con claras facetas hexagonales. El crecimiento radial (shell) se ve confirmado por medidas de catodoluminiscencia con resolución espacial efectuadas en un microscopio electrónico de barrido, asi como por medidas de microscopía de transmisión de electrones. Más adelante, el crecimiento de micro-pilares core-shell de InGaN se realizó en pilares GaN (cores) crecidos selectivamente por epitaxia de metal-orgánicos en fase vapor. Con el crecimiento de InGaN se forman estructuras core-shell con emisión alrededor de 3 eV. Medidas de catodoluminiscencia resuelta espacialmente indican un aumento en el contenido de indio del shell en dirección a la parte superior del pilar, que se manifiesta en un desplazamiento de la emisión de 3.2 eV en la parte inferior, a 3.0 eV en la parte superior del shell. Este desplazamiento está relacionado con variaciones locales de la razón III/V en las facetas laterales. Finalmente, se demuestra la fabricación de una estructura pin basada en estos pilares core-shell. Medidas de electroluminiscencia resuelta espacialmente, realizadas en pilares individuales, confirman que la electroluminiscencia proveniente del shell de InGaN (diodo lateral) está alrededor de 3.0 eV, mientras que la emisión desde la parte superior del pilar (diodo axial) está alrededor de 2.3 eV. Para finalizar, se presentan resultados sobre el crecimiento ordenado de GaN, con y sin inserciones de InGaN, en templates semi polares (GaN(11-22)/zafiro) y no polares (GaN(11-20)/zafiro). Tras el crecimiento ordenado, gran parte de los defectos presentes en los templates originales se ven reducidos, manifestándose en una gran mejora de las propiedades ópticas. En el caso de crecimiento selectivo sobre templates con orientación GaN(11-22), no polar, la formación de nanoestructuras con una particular morfología (baja relación entre crecimiento perpedicular frente a paralelo al plano) permite, a partir de la coalescencia de estas nanoestructuras, la fabricación de pseudo-templates no polares de GaN de alta calidad. ABSTRACT The aim of this work is to gain insight into the selective area growth of InGaN nanostructures by plasma assisted molecular beam epitaxy, focusing on their potential as building blocks for next generation LEDs. Several nanocolumn-based approaches such as standard axial InGaN/GaN structures, InGaN/GaN core-shell structures, or InGaN/GaN nanostructures grown on semi- and non-polar substrates are discussed. The first section reviews the basics of the self-assembled growth of GaN nanocolumns on Si(111). Morphology differences and optical properties are compared to those of GaN layer grown directly on Si(111). The effects of the growth temperature on the In incorporation in self-assembled InGaN nanocolumns grown on Si(111) is described. The second section reviews the basic growth mechanisms of selectively grown GaNbased nanostructures on c-plane GaN/sapphire templates. By increasing the local III/V ratio morphological changes from pyramidal islands, to GaN nanocolumns with top semi-polar planes, and further to GaN nanocolumns with top polar c-planes are observed. When growing InGaN nano-disks embedded into the GaN nanocolumns, the different morphologies mentioned lead to different optical properties, due to the semipolar and polar nature of the crystal planes involved. The third section reports on the effect of the growth temperature and In/Ga ratio on the morphology and light emission characteristics of ordered InGaN nanocolumns grown on c-plane GaN/sapphire templates. Within the growth temperature range of 650 to 750oC the In incorporation can be modified either by the growth temperature, or the In/Ga ratio. Control of these factors allows the optimization of the InGaN nanocolumns light emission wavelength. In order to achieve white light emission two approaches are used. First yellow-white light emission can be obtained at room temperature from nanostructures where the InGaN region is composition-graded by using temperature gradients during growth. In a second approach the stacking of red, green and blue emitting segments was used to achieve the monolithic integration of these structures in one single InGaN nanocolumn leading to ordered broad spectrum emitters. With this approach, the spectral shape can be controlled by changing the thickness of the respective InGaN segments. Furthermore the growth of ordered arrays of InGaN/GaN nanocolumnar light emitting diodes by molecular beam epitaxy, emitting in the blue (441 nm), green (502 nm), and yellow (568 nm) spectral range is reported. The device active region, consisting of a nanocolumnar InGaN section of nominally constant composition and 250 to 500 nm length, is free of extended defects, which is in strong contrast to InGaN layers (planar) of similar composition and thickness. Electroluminescence spectra show a very small blue shift with increasing current, (almost negligible in the yellow device) and line widths slightly broader than those of state-of-the-art InGaN quantum wells. Next the selective area growth of In(Ga)N/GaN nanocolumns on Si(111) substrates is discussed. Ordered In(Ga)N/GaN nanocolumns emitting from ultraviolet (3.2 eV) to infrared (0.78 eV) were then grown on top of GaN-buffered Si substrates. The morphology and the emission efficiency of the In(Ga)N/GaN nanocolumns emitting in the green could be substantially improved by tuning the In/Ga and total III/N ratios, where an estimated internal quantum efficiency of 30 % was derived from photoluminescence data. In the next section, this work presents a study on the selective area growth mechanisms of green-emitting InGaN/GaN nanocolumns and their optical properties. InGaN/GaN nanocolumns with long InGaN sections (330-830nm) were grown on GaN/sapphire and GaN-buffered Si(111). The nanocolumn’s morphology and spatial indium distribution is found to depend on the local group (III)/N and In/Ga ratios at the nanocolumn’s top. A negligible spread of the average indium incorporation among different nanostructures is found as indicated by similar shapes of the cathodoluminescence spectra taken from single nanocolumns and ensembles of nanocolumns. For InGaN/GaN nanocolumns grown on GaN-buffered Si(111), all emitting in the green spectral range, the internal quantum efficiency increases up to 30% when decreasing growth temperature and increasing active nitrogen. This behavior is likely due to the formation of highly localized states, as indicated by the absence of a complete s-shape behavior of the PL peak position with temperature (up to room temperature) in samples with high internal quantum efficiency. On the other hand, no dependence of the internal quantum efficiency on the growth conditions is found for InGaN/GaN nanostructures grown on GaN/sapphire, where the maximum achieved efficiency is 3.7%. As alternative to axial InGaN/GaN nanostructures, section 4 reports on the growth and characterization of InGaN/GaN core-shell structures on an ordered array of top-down patterned GaN microrods etched from a GaN/sapphire template. Growth of InGaN/GaN is conformal, with axial and radial growth components leading to core-shell structures with clear hexagonal facets. The radial InGaN growth (shell) is confirmed by spatially resolved cathodoluminescence performed in a scanning electron microscopy as well as in scanning transmission electron microscopy. Furthermore the growth of InGaN core-shell micro pillars using an ordered array of GaN cores grown by metal organic vapor phase epitaxy as a template is demonstrated. Upon InGaN overgrowth core-shell structures with emission at around 3.0 eV are formed. With spatially resolved cathodoluminescence, an increasing In content towards the pillar top is found to be present in the InGaN shell, as indicated by a shift of CL peak position from 3.2 eV at the shell bottom to 3.0 eV at the shell top. This shift is related to variations of the local III/V ratio at the side facets. Further, the successful fabrication of a core-shell pin diode structure is demonstrated. Spatially resolved electroluminescence measurements performed on individual micro LEDs, confirm emission from the InGaN shell (lateral diode) at around 3.0 eV, as well as from the pillar top facet (axial diode) at around 2.3 eV. Finally, this work reports on the selective area growth of GaN, with and without InGaN insertion, on semi-polar (11-22) and non-polar (11-20) templates. Upon SAG the high defect density present in the GaN templates is strongly reduced as indicated by TEM and a dramatic improvement of the optical properties. In case of SAG on non-polar (11-22) templates the formation of nanostructures with a low aspect ratio took place allowing for the fabrication of high-quality, non-polar GaN pseudo-templates by coalescence of the nanostructures.

Escusado [Texto impreso] : nueua forma y reglamiento, dado por el ... Comissario General de las tres Gracias, y Supremo Consejo de Cruzada, con auto de 21 de Mayo 1697 para la exaccion, y cobranza de la gracia del escusado, y numero de Pilas, en que se deve, y puede elegir Casa Escusada para el Arçobispado de Valencia

Contiene: Instrucciones del escusado para su magestad ... : Las quales se manda se observen el ... Comissario General ... con su Auto de 21de Mayo 1697. Aranzel, y memoria de las pilar matrizes, con sus annexos, del arzobispado de Valencia ...

Twitter como fuente de contraste de puntos de interés turístico: Caso de uso la ciudad de Madrid.

Este trabajo trata de evaluar la capacidad de atracción turística de los Puntos de Interés oficiales (POIs) disponibles como datos geográficos abiertos y en las IDE locales mediante la información explícita e implícita de los Tweets geolocalizados. Los estudios sobre turismo tratan de obtener información del potencial turístico de una zona y la valoración de los turistas. Estos estudios tradicionalmente se basan en encuestas o entrevistas personales, realizadas desde entidades públicas o compañías privadas En el caso que nos ocupa existen estudios a nivel de Municipal, de la Comunidad autónoma y de entidades privadas relacionadas con el sector turístico de la cidudad de Madrid por estar considerado un sector estratégico para la economía regional. Las redes sociales, especialmente Twitter, ofrecen un alto potencial para la realización de trabajos de investigación y evaluación de áreas urbanas gracias a la información geográfica digital asociada. Se ha producido una evolución de la Información Geográfica Voluntaria (VGI) acuñada por Goodchild (2007) a la Información Geográfica de Medios Sociales (SMGI) acuñada por Floris y Campagna (2014). Esta nueva fuente de datos derivados, podria complementar la información de los datos públicos de turismo ofrecidos por nodos IDE u Open Data; por ejemplo: ayudaria a la validación de puntos de interés turístico o áreas de la ciudad, mejoraria la actualización de la información y a largo plazo, podria ayudar al desarrollo de estrategias y planes de turismo más eficientes.

Instrucciones de lo que deue observarse en la cobrança de Frutos Dezimales, de las Tierras, y Heredades, de las Personas que se nombraren por mayores Dezmeros del Escusado, en execucion del Auto que proveyò el ... Comissario General, y Supremo Consejo de Cruzada, en ... 1697 y de la Provision, que para ... cumplimiento de dicho Auto, hizieron los ... Comissarios Subdelegados del Tribunal de Valencia [Texto impreso] ...]

Sign.: [ ]2, B-F2

A AVALIAÇÃO INSTITUCIONAL E OS SENTIDOS DA AUTO-AVALIAÇÃO PARA OS PROFESSORES DO CENTRO UNIVERSITÁRIO SENAC

Este trabalho investigativo teve como objeto a avaliação institucional e auto-avaliação enquanto instrumentos inseridos no Sistema Nacional de Avaliação do Ensino Superior e concebidos no âmbito das Políticas Públicas de Avaliação consolidadas no Brasil na década 90. O objetivo central foi de identificar os sentidos que a avaliação institucional e a auto-avaliação têm para os professores do Centro Universitário Senac de São Paulo. A hipótese, construída durante a investigação é que o docente não estabelece relações diretas e imediatas entre seu trabalho cotidiano na escola e nos estágios e s processos de avaliação institucional e auto-avaliação do qual participa. O estudo situa-se num contexto do ensino superior no Brasil em que a temática da avaliação adquiriu relevância e centralidade. Contexto de mudança no sistema capitalista, de revisão do papel do Estado, de difusão do neoliberalismo e de busca de maior controle e regulação do Sistema de ensino Superior. A metodologia escolhidos para colher os dados foram: a entrevista reflexiva realizada de forma aberta e semi-estruturada; fontes documentais e históricas da instituição; fontes bibliográficas; observações feitas na instituição. O trabalho de campo foi realizado junto ao Curso de Hotelaria, do Centro Universitário Senac/SP, instituição particular de ensino superior. Os resultados apontaram para um professor que não estabelece relações diretas e imediatas entre seu trabalho cotidiano e os processos de avaliação institucional nem as relações desta com a auto-avaliação da qual participa. Isto não significa que haja uma visão ingênua do mesmo da ação avaliativa institucional. Observou-se que o nível de participação dos professores nestes processos é muito mais na execução do que na concepção dos mesmos não sendo o processo de avaliação institucional acompanhado de um aprimoramento dos canais participativos para a vida acadêmica