Defeitos do tubo neural causam alterações estruturais no ureter? Estudo em fetos humanos

Anencefalia é o defeito do tubo neural mais severo. A morfologia do ureter de fetos anencéfalos é desconhecida. O objetivo deste trabalho é analisar a estrutura do ureter de fetos humanos normais e anencéfalos (FHA). Nós estudamos 16 ureteres de 8 fetos sem anomalias congênitas (4 masculinos e 4 femininos) com idades entre 16 e 27 semanas pós concepção (SPC) e 14 ureteres de 7 FHA (4 masculinos e 3 femininos) com idades entre 19 e 33 SPC. Os ureteres foram dissecados e emblocados em parafina. Foram feitos cortes com 5 m e depois corados com Tricrômico de Masson, para quantificação das células de músculo liso (CML) e determinação da área da a luz do ureter, espessura e diâmetro. As amostras também foram coradas com Resorcina Fucsina de Weigert ( para observação das fibras elásticas) e Vermelho de Picro Sirius com polarização e análise imunohistoquímica das fibras do colágeno tipo III. Os dados da quantificação do músculo foram expressos em densidade volumétrica (Vv-%). As imagens foram capturadas com microscópio Olympus BX51 e câmera Olympus DP70. A análise morfológica da área do lúmen, espessura e diâmetro foram feitas usando o software Image J. As médias foram comparadas usando o teste t não pareado (p<0.05). O epitélio do ureter estava bem preservado em ambos os grupos, e não houve diferença entre os grupos. Não observamos fibras do sistema elástico em qualquer ureter analisados. Concentração de músculo liso (Vv) não diferiram significativamente (p = 0,4413) em FHA (12% 1,628) e grupo controle (13,51% 0,9231). A área de luz ureteral foi significativamente menor (p = 0,0341) em FHA (6365μm 1,282), quando comparado ao grupo controle (20,170 5,480 mM). O diâmetro ureteral foi significativamente menor (p = 0,0294) em FHA (166.7μm 10,99) quando comparado ao grupo controle (240 26,6 mM). A espessura ureteral foi significativamente menor (p = 0,0448) em FHA (30.57μm 2,034), quando comparado ao grupo controle (7,453 47.49μm). Colágeno tipo III foi observado em maior quantidade nos ureteres da FHA. Alterações estruturais ureterais nos fetos anencéfalos foram significativas em nosso estudo. O ureter de fetos com anencefalia mostraram mais concentração de colágeno tipo III, menor diâmetro, área e espessura. Nervos ureterais em FHA podem ser modificados devido a lesão cerebral com consequente dano no controle dos nervos ureterais. Isto pode levar a alterações estruturais no ureter de fetos anencéfalos.

Fitting BICEP2 with defects, primordial gravitational waves and dust

In this work we discuss the possibility of cosmic defects being responsible for the B-mode signal measured by the BICEP2 collaboration. We also allow for the presence of other cosmological sources of B-modes such as inflationary gravitational waves and polarized dust foregrounds, which might contribute to or dominate the signal. On the one hand, we find that defects alone give a poor fit to the data points. On the other, we find that defects help to improve the fit at higher multipoles when they are considered alongside inflationary gravitational waves or polarized dust. Finally, we derive new defect constraints from models combining defects and dust. This proceeding is based on previous works [1, 2].

Estudo da adesão, sobrevivência e tubulogênese endotelial em modelo de células de glioma silenciadas para a expressão de Tenascina-C

Recentemente, nosso grupo demonstrou que a matriz extracelular de astrocitomas promove a seleçãode células endoteliais altamente proliferativas, porém com reduzida capacidade tubulogênica, além de determinar a morte de uma segunda sub-população endotelial, por desaderência ou anoikis. Estratégias de simulação dos teores de tenascina-C (TN-C) e fibronectina (FN) nas matrizes de astrocitomas, realizados com ambas as proteínas purificadas na forma de substratos definidos, sugeriram que o balanço TN-C:FN estava relacionado com os fenótipos endoteliais observados. No entanto, este procedimento não permitia abordar a participação de outros componentes da matriz tumoral nativa neste processo. Com objetivo de estudar a modulação do fenótipo angiogênico das células endoteliais por matrizes de astrocitoma, realizamos o silenciamento da expressão de TN-C na linhagem de astrocitoma U-373 MG. O silenciamento foi confirmado por western blotting, PCR em tempo real e ELISA, que permitiram concluir que, no período pós-transfecção (120h) necessário para se obter matrizes tumorais nativas para ensaios funcionais com células endoteliais, as células U-373 MG mantiveram-se silenciadas em índices superiores a 90%. A diminuição de TN-C nas matrizes tumorais resultou em um pequeno (≅18%, em média), porém significativo aumento na taxa de adesão endotelial. HUVECs incubadas com a matriz secretadas por células silenciadas apresentaram uma redução de ≅35% do número de núcleos picnóticos, quando comparadas a HUVECs incubadas com a matriz de células U-373 MG (selvagens ou transfectadas com siRNA controle). O silenciamento da expressão da TN-C na matriz nas células U-373 MG restaurou ainda o defeito tubulogênico das células endoteliais, que passaram a apresentar formação de tubos comparável à obtida quando HUVECs foram incubadas com sua matriz autóloga, rica em FN. Tais resultados apoiam observações anteriores do grupo, que já sugeriam que a maior proporção de FN na matriz autóloga, comparada a matriz do astrocitoma, seria o fator principal para a seleção dos fenótipos angiogênicos observados, demonstrando mais uma vez a importância do balanço FN:TN-C na regulação de processos angiogênicos. Dados anteriores sugeriam ainda que a sub-população endotelial que morre por anoikisapós contato prolongado (24 horas) com matrizes de astrocitomas corresponde a células que já haviam entrado na fase S do ciclo celular, no início da incubação. A fim de nos aprofundarmos sobre a participação do ciclo celular neste processo, a expressão da proteína p27, um inibidor de quinases dependentes de ciclinas (CKI), também foi analisada. HUVECs incubadas com a matriz de astrocitoma apresentaram um aumento de 2 a 3 vezes na expressão de p27, quando comparada com HUVECs provenientes de sua matriz autóloga. No entanto, células endoteliais incubadas com matriz secretada por células U-373 MG silenciadas apresentaram um nível de expressão de p27 comparável ao das HUVECs incubadas com matriz secretada por células selvagens, indicando que a expressão de TN-C não modula, ou não está diretamente correlacionada à expressão da proteína p27. Este resultado sugere que outros componentes da matriz tumoral devam estar envolvidos na modulação do ciclo celular endotelial.

Ordem pública processual: técnica de controle da regularidade do processo civil

O processo civil precisa de ordem, simplicidade e eficiência para atingir o seu escopo de prestação de uma tutela jurisdicional adequada, justa e célere. Para tanto, o ordenamento processual tem sofrido relevantes modificações com o objetivo de se adaptar às novas exigências sociais e jurídicas, em que o formalismo deve servir para proteger, e não para derrubar. Além disso, variadas técnicas processuais têm sido utilizadas para conferir mais efetividade à tutela jurisdicional, sem prejuízo da necessária segurança jurídica. Nesse contexto se insere a ordem pública processual, que embora possa ter uma interessante abordagem principiológica, atua no processo como técnica de controle da regularidade de atos e do procedimento. Por sua vez, o papel do magistrado na gestão dessa técnica se mostra fundamental para ela atinja seu objetivo, que é eliminar do processo os defeitos capazes de macular a sua integridade, bem como a legitimidade da tutela judicial. O controle adequado e tempestivo da regularidade dos atos e do procedimento é um dever do juiz e também uma garantia das partes. Dessa forma, a tese busca identificar as questões processuais passíveis de controle, de acordo com o grau de interesse público que cada uma revela, sendo certo que a lei, a doutrina e a jurisprudência servem de fonte e ainda podem modular a relevância da matéria conforme tempo e espaço em que se observam. Por sua vez, a importância da avaliação do interesse público de cada questão processual reflete no regime jurídico que será estabelecido e as consequências que se estabelecem para os eventuais defeitos com base nas particularidades do caso concreto. Ademais, identificada a irregularidade, o processo civil oferece variadas técnicas de superação, convalidação e flexibilização do vício antes de se declarar a nulidade de atos processuais ou de se inadmitir o procedimento adotado pela parte, numa forma de preservar ao máximo o processo. Já no âmbito recursal, embora haja requisitos específicos de admissibilidade, os vícios detectados em primeiro grau de jurisdição perdem força em segundo grau e perante os Tribunais Superiores, haja vista a necessidade casa vez maior de se proporcionar ao jurisdicionado a entrega da prestação jurisdicional completa, ou seja, com o exame do mérito. Registre-se, ainda, a possibilidade de controle judicial nos meios alternativos de resolução de conflitos, uma vez que também devem se submeter a certos requisitos, para que sejam chancelados e legitimados. Como se observa, a abrangência do tema da ordem pública processual faz com que o ele seja extenso e complexo, o que normalmente assusta os operadores do direito. Portanto, o intento deste estudo é não só descrever o assunto, mas também adotar uma linguagem diferenciada, proporcionando uma nova forma de abordar e sistematizar o que ainda parece ser um dogma em nosso sistema processual.

Caracterização de juntas soldadas por Arame Tubular com proteção gasosa do aço ferrítico ASTM A335 P91, antes e após situação de duplo reparo.

Pouco se sabe a respeito das consequências da operação de reparo nas propriedades mecânicas e metalúrgicas das juntas do aço ASTM A335 grau P91 soldadas por Arame Tubular. Neste trabalho foi realizado um estudo para analisar e caracterizar juntas de um tubo do aço P91 soldadas pelo processo Arame Tubular com proteção gasosa, antes e após situação de duplo reparo. Foram utilizadas técnicas de microscopia eletrônica de varredura (MEV), análise química semiquantitativa por EDS (Energy Dispersive Spectroscopy), microscopia óptica (MO), além da obtenção de medidas de microdureza Vickers e realização de ensaios de impacto e tração à temperatura ambiente. A macrografia revelou a existência de uma nova zona termicamente afetada formada no centro da junta reparada e a análise micrográfica mostrou que esta zona apresentou uma pequena tendência a formação de grãos menores do que na zona de fusão que sofreu reparo, além disso, a região tinha grãos colunares que não são característicos de uma zona termicamente afetada e quantidade de carbonetos menor comparativamente. Não houve variações significativas nos valores de tração e microdureza. Os ensaios de impacto revelaram baixos valores de energia absorvida na zona de fusão do 2 reparo, no entanto, todas as outras zonas avaliadas das juntas com e sem reparo apresentaram valores dentro das especificações.

A study of the configurations of boron in silicon using an empirical approach

The configuration space of boron in silicon has been investigated using an empirical potential approach. This study indicates that energetically favourable configurations consist of a number of three-fold coordinated split interstitials. A configuration consisting of a four-fold boron-interstitial in combination with a two-fold silicon is found to be perfectly aligned in the <111> direction. This configuration in the positive charge state is a possibility for the boron interstitial related defect found via EPR and DLTS. © 1994.

A study of frequency response in silicon heterojunction bipolar transistors with amorphous silicon emitters

A detailed physical model of amorphous silicon (aSi:H) is incorporated into a twodimensional device simulator to examine the frequency response limits of silicon heterojunction bipolar transistors (HBT's) with aSi:H emitters. The cutoff frequency is severely limited by the transit time in the emitter space charge region, due to the low electron drift mobility in aSi:H, to 98 MHz which compares poorly with the 37 GHz obtained for a silicon homojunction bipolar transistor with the same device structure. The effects of the amorphous heteroemitter material parameters (doping, electron drift mobility, defect density and interface state density) on frequency response are then examined to find the requirements for an amorphous heteroemitter material such that the HBT has better frequency response than the equivalent homojunction bipolar transistor. We find that an electron drift mobility of at least 100 cnr'V"'"1 is required in the amorphous heteroemitter and at a heteroemitter drift mobility of 350 cm2 · V1· s1 and heteroemitter doping of 5×1017 cm3, a maximum cutoff frequency of 52 GHz can be expected. © 1996 IEEE.

Evolution of localized blobs of swirling or buoyant fluid with and without an ambient magnetic field.

We investigate the evolution of localized blobs of swirling or buoyant fluid in an infinite, inviscid, electrically conducting fluid. We consider the three cases of a strong imposed magnetic field, a weak imposed magnetic field, and no magnetic field. For a swirling blob in the absence of a magnetic field, we find, in line with others, that the blob bursts radially outward under the action of the centrifugal force, forming a thin annular vortex sheet. A simple model of this process predicts that the vortex sheet thins exponentially fast and that it moves radially outward with constant velocity. These predictions are verified by high-resolution numerical simulations. When an intense magnetic field is applied, this phenomenon is suppressed, with the energy and angular momentum of the blob now diffusing axially along the magnetic field lines, converting the blob into a columnar structure. For modest or weak magnetic fields, there are elements of both types of behavior, with the radial bursting dominating over axial diffusion for weak fields. However, even when the magnetic field is very weak, the flow structure is quite distinct to that of the nonmagnetic case. In particular, a small but finite magnetic field places a lower bound on the thickness of the annular vortex sheet and produces an annulus of counter-rotating fluid that surrounds the vortex core. The behavior of the buoyant blob is similar. In the absence of a magnetic field, it rapidly develops the mushroomlike shape of a thermal, with a thin vortex sheet at the top and sides of the mushroom. Again, a simple model of this process predicts that the vortex sheet at the top of the thermal thins exponentially fast and rises with constant velocity. These predictions are consistent with earlier numerical simulations. Curiously, however, it is shown that the net vertical momentum associated with the blob increases linearly in time, despite the fact that the vertical velocity at the front of the thermal is constant. As with the swirling blob, an imposed magnetic field inhibits the formation of a vortex sheet. A strong magnetic field completely suppresses the phenomenon, replacing it with an axial diffusion of momentum, while a weak magnetic field allows the sheet to form, but places a lower bound on its thickness. The magnetic field does not, however, change the net vertical momentum of the blob, which always increases linearly with time.

Phosphate treatment of frozen prawns. Pt. 1. Screening of various phosphates for prevention of drip loss

Various phosphates and their mixtures were screened for their efficiency of preventing drip loss in frozen prawns. The effectiveness of the phosphates decreased in the following order: Sodium tripolyphosphate — Sodium pyrophosphate — Sodium hexametaphosphate Sodium metaphosphate — Sodium dihydrogen phosphate; the last two being ineffective. Even though thaw drip loss was reduced by the above treatments the organoleptic quality of the thawed as well as cooked products was unsatisfactory, discoloration being the major defect. A solution of a mixture of 12% sodium tripolyphosphate and 8.6% sodium dihydrogen phosphate or 2% citric acid in water when used as dip prevented thaw drip loss, improved cooked yield and organoleptic quality without adversely affecting the biochemical characteristics. Commercial scale trials showed that the results are highly reproducible.

Application of electron beams in thermal processing of semiconductor materials and devices

Rapid and effective thermal processing methods using electron beams are described in this paper. Heating times ranging from a fraction of a second to several seconds and temperatures up to 1400°C are attainable. Applications such as the annealing of ion implanted material, both without significant dopant diffusion and with highly controlled diffusion of impurities, are described. The technique has been used successfully to activate source/drain regions for fine geometry NMOS transistors. It is shown that electron beams can produce localised heating of semiconductor substrates and a resolution of approximately 1 μm has been achieved. Electron beam heating has been applied to improving the crystalline quality of silicon-on sapphire used in CMOS device fabrication. Silicon layers with defect levels approaching bulk material have been obtained. Finally, the combination of isothermal and selective annealing is shown to have application in recrystallisation of polysilicon films on an insulating layer. The approach provides the opportunity of producing a silicon-on-insulator substrate with improved crystalline quality compared to silicon-on-sapphire at a potentially lower cost. It is suggested that rapid heating methods are expected to provide a real alternative to conventional furnace processing of semiconductor devices in the development of fabrication technology. © 1984 Benn electronics Publications Ltd, Luton.

COMPARISON OF MILLISECOND ANNEALING OF B IMPLANTS AND ISOTHERMAL ANNEALING FOR TIMES OF A FEW SECONDS.

The annealing behaviour of B implants in the millisecond time regime using a combination of swept line beam and background heating is compared with isothermal annealing with heating cycles of a few seconds. Carrier concentration profiles show that under annealing conditions which restrict diffusion, millisecond processing gives higher activation of B implants than isothermal heating. Transmission electron microscopy shows that millisecond annealing also results in a lower defect density.

RESIDUAL DEFECTS FOLLOWING RAPID ANNEALING OF BORON IMPLANTED SILICON WITH AND WITHOUT PREAMORPHISATION BY SILICON IMPLANTATION.

Implants of boron into silicon which has been made amorphous by silicon implantation have a shallower depth profile than the same implants into silicon. This results in higher activation and restricted diffusion of the B implants after annealing, and there are also significant differences in the microstructure after annealing compared with B implants into silicon. Rapid isothermal heating with an electron beam and furnace treatments are used to characterize the defect structure as a function of time and temperature. Defects are seen to influence the diffusion of non-substitutional boron.

A comparison of different failure assessment methodologies applied to the NESC-1 test

Predictions for a 75x205mm surface semi-elliptic defect in the NESC-1 spinning cylinder test have been made using BS PD 6493:1991, the R6 procedure, non-linear cracked body finite element analysis techniques and the local approach to fracture. All the techniques agree in predicting ductile tearing near the inner surface of the cylinder followed by cleavage initiation. However they differ in the amount of ductile tearing, and the exact location and time of any cleavage event. The amount of ductile tearing decreases with increasing sophistication in the analysis, due to the drop in peak crack driving force and more explicit consideration of constraint effects. The local approach predicts a high probability of cleavage in both HAZ and base material after 190s, while the other predictions suggest that cleavage is unlikely in the HAZ due to constraint loss, but likely in the underlying base material. The timing of this event varies from ∼150s for R6 predictions to ∼250-300s using non-linear cracked body analysis.

How to achieve high mobility thin film transistors by direct deposition of silicon using 13.56 MHz RF PECVD?

CMOS nanocrystalline silicon thin film transistors with high field effect mobility are reported. The transistors were directly deposited by radio-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition at 150°C The transistors show maximum field effect mobility of 450 cm2/V-s for electrons and 100 cm2/V-s for holes at room temperature. We attribute the high mobilities to a reduction of the oxygen content, which acts as an accidental donor. Indeed, secondary ion mass spectrometry measurements show that the impurity concentration in the nanocrystalline Si layer is comparable to, or lower than, the defect density in the material, which is already low thanks to hydrogen passivation.

Electric conduction improvement of well-structured multi-walled carbon nanotubes

We characterized the electrical conductance of well-structured multi-walled carbon nanotubes (MWCNTs) which had post-treated by a rapid vacuum arc thermal annealing process and structure defects in these nanotubes are removed. We found that the after rapid vacuum arc annealing, the conductivity of well-structured MWCNTs can be improved by an order of magnitude. We also investigated the conductivity of MWCNTs bundle by the variation of temperatures. These results show that the conductance of annealed defect-free MWCNTs is sensitive to temperature imply the phonon scatting dominated the electron conductions. Compare to the well-structured MWCNTs, the defect scattering dominated the electron conduction in the as-grown control sample which has large amount of structure defects. A detail measurement of electron conduction from an individual well-structured MWCNT shows that the conductivity increases with temperatures which imply such MWCNTs exhibited semiconductor properties. We also produced back-gated field-effect transistors using these MWCNTs. It shows that the well-structured MWCNT can act as p-type semiconductor. © 2010 IEEE.