Thermal, stress, and traps effects in AlGaN/GaN HEMTs

GaN y AlN son materiales semiconductores piezoeléctricos del grupo III-V. La heterounión AlGaN/GaN presenta una elevada carga de polarización tanto piezoeléctrica como espontánea en la intercara, lo que genera en su cercanía un 2DEG de grandes concentración y movilidad. Este 2DEG produce una muy alta potencia de salida, que a su vez genera una elevada temperatura de red. Las tensiones de puerta y drenador provocan un stress piezoeléctrico inverso, que puede afectar a la carga de polarización piezoeléctrica y así influir la densidad 2DEG y las características de salida. Por tanto, la física del dispositivo es relevante para todos sus aspectos eléctricos, térmicos y mecánicos. En esta tesis se utiliza el software comercial COMSOL, basado en el método de elementos finitos (FEM), para simular el comportamiento integral electro-térmico, electro-mecánico y electro-térmico-mecánico de los HEMTs de GaN. Las partes de acoplamiento incluyen el modelo de deriva y difusión para el transporte electrónico, la conducción térmica y el efecto piezoeléctrico. Mediante simulaciones y algunas caracterizaciones experimentales de los dispositivos, hemos analizado los efectos térmicos, de deformación y de trampas. Se ha estudiado el impacto de la geometría del dispositivo en su auto-calentamiento mediante simulaciones electro-térmicas y algunas caracterizaciones eléctricas. Entre los resultados más sobresalientes, encontramos que para la misma potencia de salida la distancia entre los contactos de puerta y drenador influye en generación de calor en el canal, y así en su temperatura. El diamante posee une elevada conductividad térmica. Integrando el diamante en el dispositivo se puede dispersar el calor producido y así reducir el auto-calentamiento, al respecto de lo cual se han realizado diversas simulaciones electro-térmicas. Si la integración del diamante es en la parte superior del transistor, los factores determinantes para la capacidad disipadora son el espesor de la capa de diamante, su conductividad térmica y su distancia a la fuente de calor. Este procedimiento de disipación superior también puede reducir el impacto de la barrera térmica de intercara entre la capa adaptadora (buffer) y el substrato. La muy reducida conductividad eléctrica del diamante permite que pueda contactar directamente el metal de puerta (muy cercano a la fuente de calor), lo que resulta muy conveniente para reducir el auto-calentamiento del dispositivo con polarización pulsada. Por otra parte se simuló el dispositivo con diamante depositado en surcos atacados sobre el sustrato como caminos de disipación de calor (disipador posterior). Aquí aparece una competencia de factores que influyen en la capacidad de disipación, a saber, el surco atacado contribuye a aumentar la temperatura del dispositivo debido al pequeño tamaño del disipador, mientras que el diamante disminuiría esa temperatura gracias a su elevada conductividad térmica. Por tanto, se precisan capas de diamante relativamente gruesas para reducer ele efecto de auto-calentamiento. Se comparó la simulación de la deformación local en el borde de la puerta del lado cercano al drenador con estructuras de puerta estándar y con field plate, que podrían ser muy relevantes respecto a fallos mecánicos del dispositivo. Otras simulaciones se enfocaron al efecto de la deformación intrínseca de la capa de diamante en el comportamiento eléctrico del dispositivo. Se han comparado los resultados de las simulaciones de la deformación y las características eléctricas de salida con datos experimentales obtenidos por espectroscopía micro-Raman y medidas eléctricas, respectivamente. Los resultados muestran el stress intrínseco en la capa producido por la distribución no uniforme del 2DEG en el canal y la región de acceso. Además de aumentar la potencia de salida del dispositivo, la deformación intrínseca en la capa de diamante podría mejorar la fiabilidad del dispositivo modulando la deformación local en el borde de la puerta del lado del drenador. Finalmente, también se han simulado en este trabajo los efectos de trampas localizados en la superficie, el buffer y la barrera. Las medidas pulsadas muestran que tanto las puertas largas como las grandes separaciones entre los contactos de puerta y drenador aumentan el cociente entre la corriente pulsada frente a la corriente continua (lag ratio), es decir, disminuir el colapse de corriente (current collapse). Este efecto ha sido explicado mediante las simulaciones de los efectos de trampa de superficie. Por su parte, las referidas a trampas en el buffer se enfocaron en los efectos de atrapamiento dinámico, y su impacto en el auto-calentamiento del dispositivo. Se presenta también un modelo que describe el atrapamiento y liberación de trampas en la barrera: mientras que el atrapamiento se debe a un túnel directo del electrón desde el metal de puerta, el desatrapamiento consiste en la emisión del electrón en la banda de conducción mediante túnel asistido por fonones. El modelo también simula la corriente de puerta, debida a la emisión electrónica dependiente de la temperatura y el campo eléctrico. Además, también se ilustra la corriente de drenador dependiente de la temperatura y el campo eléctrico. ABSTRACT GaN and AlN are group III-V piezoelectric semiconductor materials. The AlGaN/GaN heterojunction presents large piezoelectric and spontaneous polarization charge at the interface, leading to high 2DEG density close to the interface. A high power output would be obtained due to the high 2DEG density and mobility, which leads to elevated lattice temperature. The gate and drain biases induce converse piezoelectric stress that can influence the piezoelectric polarization charge and further influence the 2DEG density and output characteristics. Therefore, the device physics is relevant to all the electrical, thermal, and mechanical aspects. In this dissertation, by using the commercial finite-element-method (FEM) software COMSOL, we achieved the GaN HEMTs simulation with electro-thermal, electro-mechanical, and electro-thermo-mechanical full coupling. The coupling parts include the drift-diffusion model for the electron transport, the thermal conduction, and the piezoelectric effect. By simulations and some experimental characterizations, we have studied the device thermal, stress, and traps effects described in the following. The device geometry impact on the self-heating was studied by electro-thermal simulations and electrical characterizations. Among the obtained interesting results, we found that, for same power output, the distance between the gate and drain contact can influence distribution of the heat generation in the channel and thus influence the channel temperature. Diamond possesses high thermal conductivity. Integrated diamond with the device can spread the generated heat and thus potentially reduce the device self-heating effect. Electro-thermal simulations on this topic were performed. For the diamond integration on top of the device (top-side heat spreading), the determinant factors for the heat spreading ability are the diamond thickness, its thermal conductivity, and its distance to the heat source. The top-side heat spreading can also reduce the impact of thermal boundary resistance between the buffer and the substrate on the device thermal behavior. The very low electrical conductivity of diamond allows that it can directly contact the gate metal (which is very close to the heat source), being quite convenient to reduce the self-heating for the device under pulsed bias. Also, the diamond coated in vias etched in the substrate as heat spreading path (back-side heat spreading) was simulated. A competing mechanism influences the heat spreading ability, i.e., the etched vias would increase the device temperature due to the reduced heat sink while the coated diamond would decrease the device temperature due to its higher thermal conductivity. Therefore, relative thick coated diamond is needed in order to reduce the self-heating effect. The simulated local stress at the gate edge of the drain side for the device with standard and field plate gate structure were compared, which would be relevant to the device mechanical failure. Other stress simulations focused on the intrinsic stress in the diamond capping layer impact on the device electrical behaviors. The simulated stress and electrical output characteristics were compared to experimental data obtained by micro-Raman spectroscopy and electrical characterization, respectively. Results showed that the intrinsic stress in the capping layer caused the non-uniform distribution of 2DEG in the channel and the access region. Besides the enhancement of the device power output, intrinsic stress in the capping layer can potentially improve the device reliability by modulating the local stress at the gate edge of the drain side. Finally, the surface, buffer, and barrier traps effects were simulated in this work. Pulsed measurements showed that long gates and distances between gate and drain contact can increase the gate lag ratio (decrease the current collapse). This was explained by simulations on the surface traps effect. The simulations on buffer traps effects focused on illustrating the dynamic trapping/detrapping in the buffer and the self-heating impact on the device transient drain current. A model was presented to describe the trapping and detrapping in the barrier. The trapping was the electron direct tunneling from the gate metal while the detrapping was the electron emission into the conduction band described by phonon-assisted tunneling. The reverse gate current was simulated based on this model, whose mechanism can be attributed to the temperature and electric field dependent electron emission in the barrier. Furthermore, the mechanism of the device bias via the self-heating and electric field impact on the electron emission and the transient drain current were also illustrated.

Synchronizing sound from different devices over a TCP network

Nowadays, we can send audio on the Internet for multiples uses like telephony, broadcast audio or teleconferencing. The issue comes when you need to synchronize the sound from different sources because the network where we are going to work could lose packets and introduce delay in the delivery. This can also come because the sound cards could be work in different speeds. In this project, we will work with two computers emitting sound (one will simulate the left channel (mono) of a stereo signal, and the other the right channel) and connected with a third computer by a TCP network. The last computer must get the sound from both computers and reproduce it in a speaker properly (without delay). So, basically, the main goal of the project is to synchronize multi-track sound over a network. TCP networks introduce latency into data transfers. Streaming audio suffers from two problems: a delay and an offset between the channels. This project explores the causes of latency, investigates the affect of the inter-channel offset and proposes a solution to synchronize the received channels. In conclusion, a good synchronization of the sound is required in a time when several audio applications are being developed. When two devices are ready to send audio over a network, this multi-track sound will arrive at the third computer with an offset giving a negative effect to the listener. This project has dealt with this offset achieving a good synchronization of the multitrack sound getting a good effect on the listener. This was achieved thanks to the division of the project into several steps having constantly a good vision of the problem, a good scalability and having controlled the latency at all times. As we can see in the chapter 4 of the project, a lack of synchronization over c. 100μs is audible to the listener. RESUMEN. A día de hoy, podemos transmitir audio a través de Internet por varios motivos como pueden ser: una llamada telefónica, una emisión de audio o una teleconferencia. El problema viene cuando necesitas sincronizar ese sonido producido por los diferentes orígenes ya que la red a la que nos vamos a conectar puede perder los paquetes y/o introducir un retardo en las entregas de los mismos. Así mismo, estos retardos también pueden venir producidos por las diferentes velocidades a las que trabajan las tarjetas de sonido de cada dispositivo. En este proyecto, se ha trabajado con dos ordenadores emitiendo sonido de manera intermitente (uno se encargará de simular el canal izquierdo (mono) de la señal estéreo emitida, y el otro del canal derecho), estando conectados a través de una red TCP a un tercer ordenador, el cual debe recibir el sonido y reproducirlo en unos altavoces adecuadamente y sin retardo (deberá juntar los dos canales y reproducirlo como si de estéreo de tratara). Así, el objetivo principal de este proyecto es el de encontrar la manera de sincronizar el sonido producido por los dos ordenadores y escuchar el conjunto en unos altavoces finales. Las redes TCP introducen latencia en la transferencia de datos. El streaming de audio emitido a través de una red de este tipo puede sufrir dos grandes contratiempos: retardo y offset, los dos existentes en las comunicaciones entre ambos canales. Este proyecto se centra en las causas de ese retardo, investiga el efecto que provoca el offset entre ambos canales y propone una solución para sincronizar los canales en el dispositivo receptor. Para terminar, una buena sincronización del sonido es requerida en una época donde las aplicaciones de audio se están desarrollando continuamente. Cuando los dos dispositivos estén preparados para enviar audio a través de la red, la señal de sonido multi-canal llegará al tercer ordenador con un offset añadido, por lo que resultará en una mala experiencia en la escucha final. En este proyecto se ha tenido que lidiar con ese offset mencionado anteriormente y se ha conseguido una buena sincronización del sonido multi-canal obteniendo un buen efecto en la escucha final. Esto ha sido posible gracias a una división del proyecto en diversas etapas que proporcionaban la facilidad de poder solucionar los errores en cada paso dando una importante visión del problema y teniendo controlada la latencia en todo momento. Como se puede ver en el capítulo 4 del proyecto, la falta de sincronización sobre una diferencia de 100μs entre dos canales (offset) empieza a ser audible en la escucha final.

Modelización e integración de sistemas de adquisición de datos inteligentes en sistemas de instrumentación para dispositivos de fusión

La obtención de energía a partir de la fusión nuclear por confinamiento magnético del plasma, es uno de los principales objetivos dentro de la comunidad científica dedicada a la energía nuclear. Desde la construcción del primer dispositivo de fusión, hasta la actualidad, se han llevado a cabo multitud de experimentos, que hoy en día, gran parte de ellos dan soporte al proyecto International Thermonuclear Experimental Reactor (ITER). El principal problema al que se enfrenta ITER, se basa en la monitorización y el control del plasma. Gracias a las nuevas tecnologías, los sistemas de instrumentación y control permiten acercarse más a la solución del problema, pero a su vez, es más complicado estandarizar los sistemas de adquisición de datos que se usan, no solo en ITER, sino en otros proyectos de igual complejidad. Desarrollar nuevas implementaciones hardware y software bajo los requisitos de los diagnósticos definidos por los científicos, supone una gran inversión de tiempo, retrasando la ejecución de nuevos experimentos. Por ello, la solución que plantea esta tesis, consiste en la definición de una metodología de diseño que permite implementar sistemas de adquisición de datos inteligentes y su fácil integración en entornos de fusión para la implementación de diagnósticos. Esta metodología requiere del uso de los dispositivos Reconfigurable Input/Output (RIO) y Flexible RIO (FlexRIO), que son sistemas embebidos basados en tecnología Field-Programmable Gate Array (FPGA). Para completar la metodología de diseño, estos dispositivos van a ser soportados por un software basado en EPICS Device Support utilizando la tecnología EPICS software asynDriver. Esta metodología se ha evaluado implementando prototipos para los controladores rápidos de planta de ITER, tanto para casos prácticos de ámbito general como adquisición de datos e imágenes, como para casos concretos como el diagnóstico del fission chamber, implementando pre-procesado en tiempo real. Además de casos prácticos, esta metodología se ha utilizado para implementar casos reales, como el Ion Source Hydrogen Positive (ISHP), desarrollada por el European Spallation Source (ESS Bilbao) y la Universidad del País Vasco. Finalmente, atendiendo a las necesidades que los experimentos en los entornos de fusión requieren, se ha diseñado un mecanismo mediante el cual los sistemas de adquisición de datos, que pueden ser implementados mediante la metodología de diseño propuesta, pueden integrar un reloj hardware capaz de sincronizarse con el protocolo IEEE1588-V2, permitiendo a estos, obtener los TimeStamps de las muestras adquiridas con una exactitud y precisión de decenas de nanosegundos y realizar streaming de datos con TimeStamps. ABSTRACT Fusion energy reaching by means of nuclear fusion plasma confinement is one of the main goals inside nuclear energy scientific community. Since the first fusion device was built, many experiments have been carried out and now, most of them give support to the International Thermonuclear Experimental Reactor (ITER) project. The main difficulty that ITER has to overcome is the plasma monitoring and control. Due to new technologies, the instrumentation and control systems allow an approaching to the solution, but in turn, the standardization of the used data acquisition systems, not only in ITER but also in other similar projects, is more complex. To develop new hardware and software implementations under scientific diagnostics requirements, entail time costs, delaying new experiments execution. Thus, this thesis presents a solution that consists in a design methodology definition, that permits the implementation of intelligent data acquisition systems and their easy integration into fusion environments for diagnostic purposes. This methodology requires the use of Reconfigurable Input/Output (RIO) and Flexible RIO (FlexRIO) devices, based on Field-Programmable Gate Array (FPGA) embedded technology. In order to complete the design methodology, these devices are going to be supported by an EPICS Device Support software, using asynDriver technology. This methodology has been evaluated implementing ITER PXIe fast controllers prototypes, as well as data and image acquisition, so as for concrete solutions like the fission chamber diagnostic use case, using real time preprocessing. Besides of these prototypes solutions, this methodology has been applied for the implementation of real experiments like the Ion Source Hydrogen Positive (ISHP), developed by the European Spallation Source and the Basque country University. Finally, a hardware mechanism has been designed to integrate a hardware clock into RIO/FlexRIO devices, to get synchronization with the IEEE1588-V2 precision time protocol. This implementation permits to data acquisition systems implemented under the defined methodology, to timestamp all data acquired with nanoseconds accuracy, permitting high throughput timestamped data streaming.

Sistema portátil de medida de dispositivos sometidos a ensayos en campo

El proyecto fin de carrera “Sistema Portátil de Medida de Dispositivos Sometidos a Ensayos en Campo” es un proyecto acometido para el desarrollo y evaluación de un sistema de medición portátil y confiable, que permita la realización de mediciones de curvas I-V en campo, en condiciones reales de funcionamiento. Dado que la finalidad de este proyecto fin de carrera es la obtención de un sistema para la realización de mediciones en campo, en la implementación del proyecto se tendrán como requisitos principales de diseño el tamaño, la fuente de alimentación, el peso del sistema, además de la fiabilidad y una relativa precisión en la realización de mediciones. Durante la realización de este proyecto y dados los requerimientos anteriores de portabilidad y fiabilidad, se ha buscado ofrecer una solución de compromiso diseñando un equipamiento que sea realizable, que cumpla con los objetivos anteriores con un coste que no sea elevado y con la característica de que disponga de una facilidad de manejo que permita a cualquier usuario la utilización del mismo. El sistema final diseñado está basado en el dispositivo de adquisición de datos MyDAQ de National Instruments que permite la realización de múltiples tipos de mediciones. En base a este dispositivo de adquisición de datos, se ha diseñado un sistema de medición con una arquitectura que se implementa a través de un ordenador portátil, con un software de medición instalado que recopila e interpreta los datos, y que alimenta y controla al dispositivo a través del puerto USB. El sistema también implementa una carga variable que permite la medición de la curva I-V en iluminación de células o mini-paneles fotovoltaicos. Este diseño permite que para la realización de las mediciones de las curvas I-V en iluminación en campo sólo se requiera conectar el dispositivo de adquisición a un PC portátil con batería y a la carga variable. Aunque este diseño es específico para la medición de células solares se ha implementado de forma que pueda extrapolarse fácilmente a otro tipo de medición de tensión y corriente. Para la comprobación de la precisión del sistema portátil de medidas, durante el proyecto se ha procedido a la comparación de los resultados obtenidos del sistema diseñado con un equipo de caracterización en laboratorio. Dicho sistema de alta exactitud permite cuantificar la degradación real de la célula y establecer una comparación de mediciones con el sistema portátil de medida, ofreciendo resultados satisfactorios en todas las mediciones realizadas y permitiendo concluir la evaluación del sistema portátil como apto para las mediciones de dispositivos en campo. El proceso de evaluación del equipamiento diseñado consistiría en la medida de la curva I-V en laboratorio de un dispositivo fotovoltaico con instrumentación de alta precisión y condiciones controladas de luz y temperatura de un dispositivo, célula o mini-panel. Tras la medida inicial las células se instalarían en campo y se realizaría una caracterización periódica de los dispositivos mediante el sistema portátil de medida, que permitiría evidenciar si en la curva I-V bajo iluminación existe degradación, y en qué zona de la curva. Al finalizar el ensayo o en periodos intermedios se desmontarían los dispositivos para volver a medir la curva I-V con exactitud en laboratorio. Por tanto el sistema portátil de medida, debe permitir evaluar la evolución de la curva I-V en condiciones ambientales similares a obtenidas en medidas anteriores, y a partir de la misma determinar el modo de degradación del dispositivo, no siendo necesaria una elevada precisión de medida para ofrecer resultados exactos de degradación, que sólo podrán medirse en el laboratorio. ABSTRACT. The final degree project "Portable Measurement System For Devices Under Field Tests" is a project undertaken for the development and evaluation of portable and reliable measurement equipment, which allows the realization of I-V curve measurements in field conditions actual operation. Since the purpose of this final project is to obtain a system for conducting field measurements in the implementation of the project will have as main design requirements for size, power supply, system weight, plus reliability and precision relative to the taking of measurements. During the development of this project and given the above requirements portability and reliability, has sought to offer a compromise designing equipment that is achievable, that meets the above objectives with a cost that is not high and the feature that available management facility that allows any user to use it. The final system is designed based on the acquisition device MyDAQ NI data that allows the execution of multiple types of measurements. Based on this data acquisition device, we have designed a measurement system with an architecture that is implemented via a laptop, with measurement software installed that collects and interprets data, and feeds and controls the device through the USB port. The system also implements a variable load which allows measurement of the I-V curve lighting photovoltaic cells. This design allows performing measurements of I-V curves in lighting field is only required to connect the device to purchase a laptop with a battery and variable load. Although this design is specific for the measurement of solar cells has been implemented so that it can easily be extrapolated to other types of measuring voltage and current. To test the accuracy of the portable measurement system during the project has been carried out to compare the results of the designed system, a team of laboratory characterization. This system of high accuracy to quantify the actual degradation of the cell and a comparison of measurements with portable measurement system, providing satisfactory results in all measurements and allowing complete portable system assessment as suitable for measurements of devices field. The evaluation process designed equipment would be far laboratory I-V curve of a photovoltaic device with high precision instrumentation controlled light and temperature of a device, panel or mini-cell conditions. After initial measurement cells settle in a periodic field and device characterization will be achieved through the portable measurement system, which would show whether the I-V curve under illumination degradation exists, and in which area of the curve. At the end of the trial or in interim periods devices to remeasure the I-V curve accurately in laboratory dismount. Therefore the portable measurement system should allow evaluating the evolution of the I-V curve similar to previous measurements obtained in ambient conditions, and from it determine the mode of degradation of the device, not a high measurement accuracy to be necessary to provide degradation accurate results, which can only be measured in the laboratory.

Detección de marcas para realidad aumentada sobre dispositivos móviles

Este documento es una guía para el desarrollo de una aplicación para dispositivos móviles en Android. Dicha aplicación combina las técnicas de visión por computador para calibrar la cámara del dispositivo y localizar un elemento en el espacio en base a esos los parámetros calculados en la calibración. El diseño de la aplicación incluye las decisiones sobre la forma en que se reciben los inputs de la aplicación, que patrones se utilizan en la calibración y en la localización y como se muestran los resultados finales al usuario. También incluye un diagrama de flujo de información que representa el tránsito de esta entre los diferentes módulos. La implementación comienza con la configuración de un entorno para desarrollar aplicaciones con parte nativa en Android, después comenta el código de la aplicación paso por paso incluyendo comentarios sobre los archivos adicionales necesarios para la compilación y finalmente detalla los archivos dedicados a la interfaz. Los experimentos incluyen una breve descripción sobre cómo interpretar los resultados seguidos de una serie de imágenes tomadas de la aplicación con diferentes localizaciones del patrón. En la entrega se incluye también un video. En el capítulo de resultados y conclusiones podemos encontrar observaciones sobre el desarrollo de la práctica, opiniones sobre su utilidad, y posibles mejoras.---ABSTRACT---This document is a guide that describes the development of and application for mobile devices in Android OS. The application combines computer vision techniques to calibrate the device camera and locate an element in the real world based on the parameters of the calibration The design of the application includes the decisions over the way that the application receives its input data, the patterns used in the calibration and localization and how the results are shown to the user. It also includes a flow chart that describes how the information travels along the application modules. The development begins with the steps necessary to configure the environment to develop native Android applications, then it explains the code step by step, including commentaries on the additional files necessary to build the application and details the files of the user interface. The experiments chapter explains the way the results are shown in the experiments before showing samples of different pattern localizations. There is also a video attached. In the conclusions chapter we can find observations on the development of the TFG, opinions about its usefulness, and possibilities of improvement in the future.

Interacción desde dispositivos Android vía Bluetooth, con juguete teledirigido, para su uso por personas con discapacidad

El Proyecto Fin de Carrera, con título, "Interacción desde dispositivos Android vía Bluetooth, con juguete teledirigido, para su uso por personas con discapacidad" pretende completar la primera versión de la aplicación sobre dispositivo Android para manejar un juguete teledirigido añadiendo nuevas formas de interactuar con el dispositivo Android. Para este caso, el juguete teledirigido es el mismo: el robot esférico llamado Sphero. Dicho robot posee una interfaz a través de la cual puede recibir instrucciones, y mediante las cuales, se puede poner en movimiento o iluminarse con diferentes colores. Esta ampliación facilitará la interacción del usuario con el dispositivo Android, además de ampliar la funcionalidad hacia la inversa: recibir los movimientos del robot Sphero en el dispositivo Android cuando es manejado con la mano. Completando la primera versión, como cumplimiento de este Proyecto Fin de Carrera, se han realizado una serie de mandos nuevos, los cuales abarcan desde el manejo del robot por instrucciones de voz, movimientos del dispositivo Android desde el que se ejecuta, describir una trayectoria dibujada previamente en el dispositivo Android, o, realizar una serie de movimientos corregidos mediante la aplicación gracias a los límites de movimientos para un usuario concreto que pueden introducirse. Además, completando lo anteriormente escrito, se ha desarrollado una aplicación web que registrará todos los datos de uso del juguete, la cual, explota una base de datos que almacena toda interacción con el juguete. Estos datos estarán asociados a un usuario, debido a que la aplicación Android debe perfilarse para el uso de un usuario concreto. El perfilado de usuario se ha completado añadiendo una serie de información que puede ser útil para la persona que analice el comportamiento de una persona con discapacidad que utilice la aplicación. Por último, se ha realizado un estudio de elementos externos que puedan facilitar la interacción con los dispositivos Android a personas que sufran alguna discapacidad. ABSTRACT. The Thesis, titled "Interaction from Android devices via Bluetooth, with remote control toy, for use by people with disabilities" project aims to complete the first version of the application on Android device to manage a remote control toy adding new ways of interacting to Android device. For this case, the remote control toy is the same: the spherical robot called Sphero. This robot has an interface through which it can receive instructions, and by means of which can be set in motion or illuminated with different colors. This expansion will facilitate user interaction with the Android device, and extend the functionality to reverse: receiving Sphero robot movements in the Android device when handled by hand. Completing the first version, in fulfillment of this Thesis, there have been a number of new controls, which range from control of robot by voice instructions, movements Android device from which it runs, describe a path drawn previously on your Android device, or perform a series of movements corrected by applying through limits of movement for a particular user can be made. Besides completing the above written, has developed a web application that will record all data on use of the toy, which exploits a database that stores all interaction with the toy. These data will be associated with a user, because the Android application should be outlined for the use of a particular user. The user profile is completed by adding a range of information that can be useful for the person to analyze the behavior of a disabled person to use the application. Finally, a study was made of external elements that can facilitate interaction with Android devices to people who suffer from a disability.

Aplicación de la realidad aumentada en dispositivos móviles para la recreación de restos arqueológicos.

El desarrollo de la tecnología móvil ha cambiado la forma de interactuar con el entorno, ofreciendo cada día nuevas soluciones con un alto componente visual y de geoposicionamiento. En este sentido los yacimientos arqueológicos y otros lugares históricos o de interés pueden verse altamente beneficiados de la llamada realidad aumentada. En el presente trabajo se ofrece una nueva aplicación de la topografía y fotogrametría lejos de las concepciones clásicas relacionadas con el trabajo en obra, catastral o cartográfico. Se establece un estudio de los distintos avances en visión por ordenador y realidad aumentada para ofrecer una nueva forma de visitar el yacimiento arqueológico de Complutum. El proyecto se resume en los siguientes puntos: - Levantamiento y recreación de los restos del parque arqueológico de Complutum. - Estudio de las distintos avances en la visión por ordenador, así como de las soluciones en Tracking tanto 2D como 3D. - Desarrollo de una aplicación para dispositivos Android que implemente estas funciones para recrear el yacimiento mediante realidad aumentada.

Nuevos dispositivos para comunicaciones por fibras ópticas

Se analizan las características de los dispositivos electroópticos y su aplicación en las comunicaciones por fibras ópticas.

Diseño de multiplexores hibridos para sistemas de comunicaciones ópticas mediante la concatenación de dispositivos selectivos en longitud de onda

La creciente demandada de información por parte del abonado hace necesaria la inclusión de nuevos servicios como la transmisión da datos de alta y baja velocidad, señales de vídeo, etc. La única solución que promete viabilidad es la que puede desarrollarse con Fibra Óptica.

Surface InGaAs nanostructures for sensing applications

El desarrollo de sensores está ganando cada vez mayor importancia debido a la concienciación ciudadana sobre el medio ambiente haciendo que su desarrollo sea muy elevado en todas las disciplinas, entre las que cabe destacar, la medicina, la biología y la química. A pesar de la existencia de estos dispositivos, este área está aún por mejorar, ya que muchos de los materiales propuestos hasta el momento e incluso los ya comercializados muestran importantes carencias de funcionamiento, eficiencia e integrabilidad entre otros. Para la mejora de estos dispositivos, se han propuesto diversas aproximaciones basadas en nanosistemas. Quizá, uno de las más prometedoras son las nanoestructuras de punto cuántico, y en particular los semiconductores III-V basados en la consolidada tecnología de los arseniuros, las cuáles ofrecen excelentes propiedades para su uso como sensores. Además, estudios recientes demuestran su gran carácter sensitivo al medio ambiente, la posibilidad de funcionalizar la superficie para la fabricación de sensores interdisciplinares y posibilididad de mejorar notablemente su eficiencia. A lo largo de esta tesis, nos centramos en la investigación de SQD de In0.5Ga0.5As sobre substratos de GaAs(001) para el desarrollo de sensores de humedad. La tesis abarca desde el diseño, crecimiento y caracterización de las muestras hasta la el posterior procesado y caracterización de los dispositivos finales. La optimización de los parámetros de crecimiento es fundamental para conseguir una nanoestructura con las propiedades operacionales idóneas para un fin determinado. Como es bien sabido en la literatura, los parámetros de crecimiento (temperatura de crecimiento, relación de flujos del elemento del grupo V y del grupo I II (V/III), velocidad de crecimiento y tratamiento térmico después de la formación de la capa activa) afectan directamente a las propiedades estructurales, y por tanto, operacionales de los puntos cuánticos (QD). En esta tesis, se realiza un estudio de las condiciones de crecimiento para el uso de In0.5Ga0.5As SQDs como sensores. Para los parámetros relacionados con la temperatura de crecimiento de los QDs y la relación de flujos V / I I I se utilizan los estudios previamente realizados por el grupo. Mientras que este estudio se centrará en la importancia de la velocidad de crecimiento y en el tratamiento térmico justo después de la nucleación de los QDs. Para ello, se establece la temperatura de creciemiento de los QDs en 430°C y la relación de flujos V/III en 20. Como resultado, los valores más adecuados que se obtienen para la velocidad de crecimiento y el tratamiento térmico posterior a la formación de los puntos son, respectivamente, 0.07ML/s y la realización de una bajada y subida brusca de la temperatura del substrato de 100°C con respecto a la temperatura de crecimiento de los QDs. El crecimiento a una velocidad lo suficientemente alta que permita la migración de los átomos por la superficie, pero a su vez lo suficientemente baja para que se lleve a cabo la nucleación de los QDs; en combinación con el tratamiento brusco de temperatura que hace que se conserve la forma y composición de los QDs, da lugar a unos SQDs con un alto grado de homogeneidad y alta densidad superficial. Además, la caracterización posterior indica que estas nanoestructuras de gran calidad cristalina presentan unas propiedades ópticas excelentes incluso a temperatura ambiente. Una de las características por la cual los SQD de Ino.5Gao.5As se consideran candidatos prometedores para el desarrollo de sensores es el papel decisivo que juega la superficie por el mero hecho de estar en contacto directo con las partículas del ambiente y, por tanto, por ser capaces de interactuar con sus moléculas. Así pues, con el fin de demostrar la idoneidad de este sistema para dicha finalidad, se evalúa el impacto ambiental en las propiedades ópticas y eléctricas de las muestras. En un primer lugar, se analiza el efecto que tiene el medio en las propiedades ópticas. Para dicha evaluación se compara la variación de las propiedades de emisión de una capa de puntos enterrada y una superficial en distintas condiciones externas. El resultado que se obtiene es muy claro, los puntos enterrados no experimentan un cambio óptico apreciable cuando se varían las condiciones del entorno; mientras que, la emisión de los SQDs se modifica significativamente con las condiciones del medio. Por una parte, la intensidad de emisión de los puntos superficiales desaparece en condiciones de vacío y decrece notablemente en atmósferas secas de gases puros (N2, O2). Por otra parte, la fotoluminiscencia se conserva en ambientes húmedos. Adicionalmente, se observa que la anchura a media altura y la longitud de onda de emisión no se ven afectadas por los cambios en el medio, lo que indica, que las propiedades estructurales de los puntos se conservan al variar la atmósfera. Estos resultados apuntan directamente a los procesos que tienen lugar en la superficie entre estados confinados y superficiales como responsables principales de este comportamiento. Así mismo, se ha llevado a cabo un análisis más detallado de la influencia de la calidad y composición de la atmósfera en las propiedades ópticas de los puntos cuánticos superficiales. Para ello, se utilizan distintas sustancias con diferente polaridad, composición atómica y masa molecular. Como resultado se observa que las moléculas de menor polaridad y más pesadas causan una mayor variación en la intensidad de emisión. Además, se demuestra que el oxígeno juega un papel decisivo en las propiedades ópticas. En presencia de moléculas que contienen oxígeno, la intensidad de fotoluminiscencia disminuye menos que en atmósferas constituidas por especies que no contienen oxígeno. Las emisión que se observa respecto a la señal en aire es del 90% y del 77%, respectivamente, en atmósferas con presencia o ausencia de moléculas de oxígeno. El deterioro de la señal de emisión se atribuye a la presencia de defectos, enlaces insaturados y, en general, estados localizados en la superficie. Estos estados actúan como centros de recombinación no radiativa y, consecuentemente, se produce un empeoramiento de las propiedades ópticas de los SQDs. Por tanto, la eliminación o reducción de la densidad de estos estados superficiales haría posible una mejora de la intensidad de emisión. De estos experimentos de fotoluminiscencia, se deduce que las interacciones entre las moléculas presentes en la atmósfera y la superficie de la muestra modifican la superficie. Esta alteración superficial se traduce en un cambio significativo en las propiedades de emisión. Este comportamiento se atribuye a la posible adsorción de moléculas sobre la superficie pasivando los centros no radiativos, y como consecuencia, mejorando las propiedades ópticas. Además, los resultados demuestran que las moléculas que contienen oxígeno con mayor polaridad y más ligeras son adsorbidas con mayor facilidad, lo que hace que la intensidad óptica sufra variaciones despreciables con respecto a la emisión en aire. Con el fin de desarrollar sensores, las muestras se procesan y los dispositivos se caracterizan eléctricamente. El procesado consiste en dos contactos cuadrados de una aleación de Ti/Au. Durante el procesado, lo más importante a tener en cuenta es no realizar ningún ataque o limpieza que pueda dañar la superficie y deteriorar las propiedades de las nanostructuras. En este apartado, se realiza un análisis completo de una serie de tres muestras: GaAs (bulk), un pozo cuántico superficial (SQW) de Ino.5Gao.5As y SQDs de Ino.5Gao.5As. Para ello, a cada una de las muestras se le realizan medidas de I-V en distintas condiciones ambientales. En primer lugar, siguiendo los resultados obtenidos ópticamente, se lleva a cabo una comparación de la respuesta eléctrica en vacío y aire. A pesar de que todas las muestras presentan un carácter más resistivo en vacío que en aire, se observa una mayor influencia sobre la muestra de SQD. En vacío, la resistencia de los SQDs decrece un 99% respecto de su valor en aire, mientras que la variación de la muestras de GaAs e Ino.5Gao.5As SQW muestran una reducción, respectivamente, del 31% y del 20%. En segundo lugar, se realiza una evaluación aproximada del posible efecto de la humedad en la resistencia superficial de las muestras mediante la exhalación humana. Como resultado se obtiene, que tras la exhalación, la resistencia disminuye bruscamente y recupera su valor inicial cuando dicho proceso concluye. Este resultado preliminar indica que la humedad es un factor crítico en las propiedades eléctricas de los puntos cuánticos superficiales. Para la determinación del papel de la humedad en la respuesta eléctrica, se somete a las muestras de SQD y SQW a ambientes con humedad relativa (RH, de la siglas del inglés) controlada y se analiza el efecto sobre la conductividad superficial. Tras la variación de la RH desde 0% hasta el 70%, se observa que la muestra SQW no cambia su comportamiento eléctrico al variar la humedad del ambiente. Sin embargo, la respuesta de la muestra SQD define dos regiones bien diferenciadas, una de alta sensibilidad para valores por debajo del 50% de RH, en la que la resistencia disminuye hasta en un orden de magnitud y otra, de baja sensibilidad (>50%), donde el cambio de la resistencia es menor. Este resultado resalta la especial relevancia no sólo de la composición sino también de la morfología de la nanostructura superficial en el carácter sensitivo de la muestra. Por último, se analiza la influencia de la iluminación en la sensibilidad de la muestra. Nuevamente, se somete a las muestras SQD y SQW a una irradiación de luz de distinta energía y potencia a la vez que se varía controladamente la humedad ambiental. Una vez más, se observa que la muestra SQW no presenta ninguna variación apreciable con las alteraciones del entorno. Su resistencia superficial permanece prácticamente inalterable tanto al modificar la potencia de la luz incidente como al variar la energía de la irradiación. Por el contrario, en la muestra de SQD se obtiene una reducción la resistencia superficial de un orden de magnitud al pasar de condiciones de oscuridad a iluminación. Con respecto a la potencia y energía de la luz incidente, se observa que a pesar de que la muestra no experimenta variaciones notables con la potencia de la irradiación, esta sufre cambios significativos con la energía de la luz incidente. Cuando se ilumina con energías por encima de la energía de la banda prohibida (gap) del GaAs (Eg ~1.42 eV ) se produce una reducción de la resistencia de un orden de magnitud en atmósferas húmedas, mientras que en atmósferas secas la conductividad superficial permanece prácticamente constante. Sin embargo, al inicidir con luz de energía menor que Eg, el efecto que se produce en la respuesta eléctrica es despreciable. Esto se atribuye principalmente a la densidad de portadores fotoactivados durante la irradiación. El volumen de portadores excita dos depende de la energía de la luz incidente. De este modo, cuando la luz que incide tiene energía menor que el gap, el volumen de portadores generados es pequeño y no contribuye a la conductividad superficial. Por el contrario, cuando la energía de la luz incidente es alta (Eg), el volumen de portadores activados es elevado y éstos contribuyen significantemente a la conductividad superficial. La combinación de ambos agentes, luz y humedad, favorece el proceso de adsorción de moléculas y, por tanto, contribuye a la reducción de la densidad de estados superficiales, dando lugar a una modificación de la estructura electrónica y consecuentemente favoreciendo o dificultando el transporte de portadores. ABSTRACT Uncapped three-dimensional (3D) nanostructures have been generally grown to assess their structural quality. However, the tremendous growing importance of the impact of the environment on life has become such nanosystems in very promising candidates for the development of sensing devices. Their direct exposure to changes in the local surrounding may influence their physical properties being a perfect sign of the atmosphere quality. The goal of this thesis is the research of Ino.5Gao.5As surface quantum dots (SQDs) on GaAs(001), covering from their growth to device fabrication, for sensing applications. The achievement of this goal relies on the design, growth and sample characterization, along with device fabrication and characterization. The first issue of the thesis is devoted to analyze the main growth parameters affecting the physical properties of the Ino.5Gao.5As SQDs. It is well known that the growing conditions (growth temperature , deposition rate, V/III flux ratio and treatment after active layer growth) directly affect the physical properties of the epilayer. In this part, taking advantage of the previous results in the group regarding Ino.5Gao.5As QD growth temperature and V/III ratio, the effect of the growth rate and the temperature treatment after QDs growth nucleation is evaluated. Setting the QDs growth temperature at 430°C and the V/III flux ratio to ~20, it is found that the most appropriate conditions rely on growing the QDs at 0.07ML/s and just after QD nucleation, rapidly dropping and again raising 100°C the substrate temperature with respect to the temperature of QD growth. The combination of growing at a fast enough growth rate to promote molecule migration but sufficiently slow to allow QD nucleation, together with the sharp variation of the temperature preserving their shape and composition yield to high density, homogeneous Ino.5Gao.5As SQDs. Besides, it is also demonstrated that this high quality SQDs show excellent optical properties even at room temperature (RT). One of the characteristics by which In0.5Ga0.5As/GaAs SQDs are considered promising candidates for sensing applications is the crucial role that surface plays when interacting with the gases constituting the atmosphere. Therefore, in an attempt to develop sensing devices, the influence of the environment on the physical properties of the samples is evaluated. By comparing the resulting photoluminescence (PL) of SQDs with buried QDs (BQDs), it is found that BQDs do not exhibit any significant variation when changing the environmental conditions whereas, the external conditions greatly act on the SQDs optical properties. On one hand, it is evidenced that PL intensity of SQDs sharply quenches under vacuum and clearly decreases under dry-pure gases atmospheres (N2, O2). On the other hand, it is shown that, in water containing atmospheres, the SQDs PL intensity is maintained with respect to that in air. Moreover, it is found that neither the full width at half maximun nor the emission wavelength manifest any noticeable change indicating that the QDs are not structurally altered by the external atmosphere. These results decisively point to the processes taking place at the surface such as coupling between confined and surface states, to be responsible of this extraordinary behavior. A further analysis of the impact of the atmosphere composition on the optical characteristics is conducted. A sample containing one uncapped In0.5Ga0.5As QDs layer is exposed to different environments. Several solvents presenting different polarity, atomic composition and molecular mass, are used to change the atmosphere composition. It is revealed that low polarity and heavy molecules cause a greater variation on the PL intensity. Besides, oxygen is demonstrated to play a decisive role on the PL response. Results indicate that in presence of oxygen-containing molecules, the PL intensity experiments a less reduction than that suffered in presence of nonoxygen-containing molecules, 90% compared to 77% signal respect to the emission in air. In agreement with these results, it is demonstrated that high polarity and lighter molecules containing oxygen are more easily adsorbed, and consequently, PL intensity is less affected. The presence of defects, unsaturated bonds and in general localized states in the surface are proposed to act as nonradiative recombination centers deteriorating the PL emission of the sample. Therefore, suppression or reduction of the density of such states may lead to an increase or, at least, conservation of the PL signal. This research denotes that the interaction between sample surface and molecules in the atmosphere modifies the surface characteristics altering thus the optical properties. This is attributed to the likely adsoption of some molecules onto the surface passivating the nonradiative recombination centers, and consequently, not deteriorating the PL emission. Aiming for sensors development, samples are processed and electrically characterized under different external conditions. Samples are processed with two square (Ti/Au) contacts. During the processing, especial attention must be paid to the surface treatment. Any process that may damage the surface such as plasma etching or annealing must be avoided to preserve the features of the surface nanostructures. A set of three samples: a GaAs (bulk), In0.5Ga0.5As SQDs and In0.5Ga0.5As surface quantum well (SQW) are subjected to a throughout evaluation. I-V characteristics are measured following the results from the optical characterization. Firstly, the three samples are exposed to vacuum and air. Despite the three samples exhibit a more resistive character in vacuum than in air, it is revealed a much more clear influence of the pressure atmosphere in the SQDs sample. The sheet resistance (Rsh) of SQDs decreases a 99% from its response value under vacuum to its value in air, whereas Rsh of GaAs and In0.5Ga0.5As SQW reduces its value a 31% and a 20%, respectively. Secondly, a rough analysis of the effect of the human breath on the electrical response evidences the enormous influence of moisture (human breath is composed by several components but the one that overwhelms all the rest is the high concentration of water vapor) on the I-V characteristics. Following this result, In0.5Ga0.5As SQDs and In0.5Ga0.5As SQW are subjected to different controlled relative humidity (RH) environments (from 0% to 70%) and electrically characterized. It is found that SQW shows a nearly negligible Rsh variation when increasing the RH in the surroundings. However, the response of SQDs to changes in the RH defines two regions. Below 50%, high sensitive zone, Rsh of SQD decreases by more than one order of magnitude, while above 50% the dependence of Rsh on the RH becomes weaker. These results remark the role of the surface and denote the existence of a finite number of surface states. Nevertheless, most significantly, they highlight the importance not only of the material but also of the morphology. Finally, the impact of the illumination is determined by means of irradiating the In0.5Ga0.5As SQDs and In0.5Ga0.5As SQW samples with different energy and power sources. Once again, SQW does not exhibit any correlation between the surface conductivity and the external conditions. Rsh remains nearly unalterable independently of the energy and power of the incident light. Conversely, Rsh of SQD experiences a decay of one order of magnitude from dark-to-photo conditions. This is attributed to the less density of surface states of SQW compared to that of SQDs. Additionally, a different response of Rsh of SQD with the energy of the impinging light is found. Illuminating with high energy light results in a Rsh reduction of one order of mag nitude under humid atmospheres, whereas it remains nearly unchanged under dry environments. On the contrary, light with energy below the bulk energy bandgap (Eg), shows a negligible effect on the electrical properties regardless the local moisture. This is related to the density of photocarriers generated while lighting up. Illuminating with excitation energy below Eg affects a small absorption volume and thus, a low density of photocarriers may be activated leading to an insignificant contribution to the conductivity. Nonetheless, irradiating with energy above the Eg can excite a high density of photocarriers and greatly improve the surface conductivity. These results demonstrate that both illumination and humidity are therefore needed for sensing. The combination of these two agents improves the surface passivation by means of molecule adsorption reducing the density of surface states, thus modifying the electronic structures, and consequently, promoting the carrier motion.

Dispositivos contemporáneos ante el reto del neomadismo

Cuatro dispositivos. Cuatro golpes de vista deteniéndonos sobre aspectos de la realidad contemporánea en los que juzgamos pertinente reparar. Usuarios transeúntes a través de los locutorios[D1], entornos dinámicos mediante la sucesión ecológica[D2], sistema de gestión de la propiedad obsoleto ante la realidad de flujos económicojurídicos[D3] y estructuras topológicas electromagnéticas que permiten desplazarnos con unos mínimos comunes[D4]. Modelos transdisciplinares muy directos elegidos por su efectividad ante la inestabilidad, arquetipos de los que tendremos que transferir claves a nuestra disciplina. ABSTRACT. Four devices. Four glances stopping on aspects of the contemporary reality in which we judge relevant to look at. Transient users across the phone booths[D1], dynamic environments through the ecological succession[D2], obsolete property management system facing the reality of financial and law flows[D3] and topological electromagnetic structures that allow our displacements with a few common minimums[D4]. Very direct transdisciplinary models chosen by their efficiency with the instability, archetypes from which we will have to transfer keys to our discipline

Refuerzo de vigas de hormigón armado mediante la aplicación de fuerzas exteriores introducidas por predeformación de perfiles metálicos

Una técnica de refuerzo de elementos flectados en general y, en particular, de vigas y forjados de hormigón armado, consiste en la disposición de perfiles metálicos por debajo de los elementos a reforzar y retacados a ellos. En muchos casos este refuerzo se diseña con un planteamiento pasivo, es decir, los perfiles no entran en carga hasta que no se incrementan las acciones sobre el elemento reforzado, o lo hacen sólo ligeramente y de forma cuantitativamente no controlada efectuando el retacado mediante cuñas metálicas. En el presente trabajo se estudia la alternativa del refuerzo de vigas de hormigón armado frente a momentos flectores con un planteamiento activo, introduciendo unas fuerzas (por ejemplo, mediante gatos o barras roscadas) entre el perfil y el elemento a reforzar, y retacando posteriormente el perfil a la viga en los puntos de introducción de las fuerzas, mediante cuñas metálicas, mortero, etc. La propuesta que formulamos en el presente trabajo de investigación para el control de las fuerzas introducidas consiste en la medida de las flechas que se producen en el perfil metálico al hacerlo reaccionar contra la viga. Esto permite el empleo de procedimientos sencillos para la predeformación del perfil que no dispongan de dispositivos de medida de la carga introducida, o bien controlar la veracidad de las medidas de las fuerzas que dan tales dispositivos. La gran fiabilidad que tiene el cálculo de flechas en jácenas metálicas hace que con este procedimiento se puedan conocer con gran precisión las fuerzas introducidas. Las medidas de las flechas se pueden llevar a cabo mediante los procedimientos de instrumentación habituales en pruebas de carga, con una precisión más que suficiente para conocer y controlar con fiabilidad el valor de las fuerzas que el perfil ejerce sobre la viga. Los perfiles necesarios para el refuerzo con esta técnica son netamente inferiores a los que se precisarían con el planteamiento pasivo antes indicado. En el trabajo de investigación se recoge un estudio sobre el número, posición y valor de las fuerzas de refuerzo a introducir, en función de la carga para la que se diseña el refuerzo y la capacidad resistente del elemento a reforzar, y se analizan los valores máximos que pueden tener dichas fuerzas, en función de la capacidad de la pieza frente a momentos de signo contrario a los debidos a las cargas gravitatorias. A continuación se analiza la interacción viga-perfil al incrementarse las cargas sobre la viga desde el instante de la ejecución del refuerzo, interacción que hace variar el valor de las fuerzas que el perfil ejerce sobre la viga. Esta variación permite contar con un incremento en las fuerzas de refuerzo si, con las cargas permanentes presentes al reforzar, no podemos introducirlas inicialmente con el valor necesario, o si se producen pérdidas en las propias fuerzas. Este es uno de los criterios a la hora de seleccionar las características del perfil. Por el contrario, dicha variación puede suponer que en algunos puntos a lo largo del vano se supere la capacidad a flexión frente a momentos de signo contrario a los debidos a las cargas gravitatorias, lo que también debe ser tenido en cuenta. Seguidamente se analizan diferentes aspectos que producen una variación en el valor de las fuerzas de refuerzo, como son las deformaciones diferidas del hormigón (fluencia y retracción), los gradientes de temperatura en la pieza, o la actuación de sobrecargas en los vanos adyacentes. Se concluye los efectos de estos fenómenos, que en ocasiones tienen gran influencia, pueden ser cuantificados por el proyectista, recogiéndose propuestas sencillas para su consideración en casos habituales. Posteriormente recogemos una propuesta de metodología de comprobación del refuerzo, en cuanto a cómo considerar la fisuración y evolución del módulo de deformación de la viga, la introducción de la seguridad, la influencia de las tolerancias de laminación en el perfil sobre el valor calculado de las flechas necesarias en el perfil para introducir las fuerzas iniciales proyectadas, o la situación accidental de fuego, entre otros aspectos. Por último, se exponen las conclusiones más relevantes de la investigación realizada, y se proponen futuras líneas de investigación. One technique for strengthening flexural members in general, and reinforced concrete beams and slabs in particular, entails caulking the underside of these members with steel shapes. This sort of strengthening is often designed from a passive approach; i.e., until the load is increased, the shapes are either not loaded or are only slightly loaded to some unquantified extent by caulking with steel shims. The present study explored the possibility of actively strengthening the capacity of reinforced concrete beams to resist bending moments by applying forces (with jacks or threaded bars, for instance) between the shape and the member to be strengthened. The shape is subsequently caulked under the beam at the points where the forces are applied with steel shims, mortar or similar. The proposal put forward in the present study to monitor the forces applied consists in measuring the deflection on the steel shape as it reacts against the beam. With this technique, the shape can be pre-strained using simple procedures that do not call for devices to measure the force applied, or the accurancy of the respective measurements can be verified. As deflection calculations in steel girders are extremely reliable, the forces applied with this procedure can be very precisely determined. Standard instrumental procedures for load testing can be used to measure deflection with more than sufficient precision to reliably determine and monitor the value of the forces exerted on the beam by the shape. Moreover, the shapes required to strengthen members with this technique are substantially smaller than the ones needed in the aforementioned passive approach. This study addressed the number, position and value of the strengthening forces to be applied in terms of the load for which strengthening was designed and the bearing capacity of the member to be strengthened. The maximum value of such forces was also analysed as a function of the capacity of the member to resist counter-gravity moments. An analysis was then conducted of beam-shape interaction when the load on the beam raises since the instant that strengthening is applied, interaction that alters the forces applied to the beam by the shape. This variation can provide an increment in the forces if we cannot introduce them initially with the value calculated as necessary because they were limited by the permanent loads existing when strengthening, or if losses occur in the forces themselves. This is one of the criteria for defining shape specifications. Conversely, such variation may cause the forces to exceed beam counter-gravity bending strength at some points in the span, a development that must also be taken into consideration. Other factors inducing variations in the strengthening force values were then analysed, including deferred concrete strain (creep and shrinkage), temperature gradients in the member and the live loads acting on adjacent spans. The inference drawn was that these developments, which may on occasion have a heavy impact, can be quantified by the design engineer, particularly in ordinary situations, for which simple procedures are proposed. Methodology is likewise proposed for verifying strength in terms of how to appraise beam's cracking and variations in modulus of deformation; safety concerns; the effect of shape lamination tolerance on the calculated deflection necessary for the shape to apply the design forces; and fire-induced situations, among others. Lastly, the most prominent conclusions are discussed and future lines of research are suggested.

MOVPE growth of III-V semiconductors on silicon for third generation solar cells

Esta Tesis trata sobre el desarrollo y crecimiento -mediante tecnología MOVPE (del inglés: MetalOrganic Vapor Phase Epitaxy)- de células solares híbridas de semiconductores III-V sobre substratos de silicio. Esta integración pretende ofrecer una alternativa a las células actuales de III-V, que, si bien ostentan el récord de eficiencia en dispositivos fotovoltaicos, su coste es, a día de hoy, demasiado elevado para ser económicamente competitivo frente a las células convencionales de silicio. De este modo, este proyecto trata de conjugar el potencial de alta eficiencia ya demostrado por los semiconductores III-V en arquitecturas de células fotovoltaicas multiunión con el bajo coste, la disponibilidad y la abundancia del silicio. La integración de semiconductores III-V sobre substratos de silicio puede afrontarse a través de diferentes aproximaciones. En esta Tesis se ha optado por el desarrollo de células solares metamórficas de doble unión de GaAsP/Si. Mediante esta técnica, la transición entre los parámetros de red de ambos materiales se consigue por medio de la formación de defectos cristalográficos (mayoritariamente dislocaciones). La idea es confinar estos defectos durante el crecimiento de sucesivas capas graduales en composición para que la superficie final tenga, por un lado, una buena calidad estructural, y por otro, un parámetro de red adecuado. Numerosos grupos de investigación han dirigido sus esfuerzos en los últimos años en desarrollar una estructura similar a la que aquí proponemos. La mayoría de éstos se han centrado en entender los retos asociados al crecimiento de materiales III-V, con el fin de conseguir un material de alta calidad cristalográfica. Sin embargo, prácticamente ninguno de estos grupos ha prestado especial atención al desarrollo y optimización de la célula inferior de silicio, cuyo papel va a ser de gran relevancia en el funcionamiento de la célula completa. De esta forma, y con el fin de completar el trabajo hecho hasta el momento en el desarrollo de células de III-V sobre silicio, la presente Tesis se centra, fundamentalmente, en el diseño y optimización de la célula inferior de silicio, para extraer su máximo potencial. Este trabajo se ha estructurado en seis capítulos, ordenados de acuerdo al desarrollo natural de la célula inferior. Tras un capítulo de introducción al crecimiento de semiconductores III-V sobre Si, en el que se describen las diferentes alternativas para su integración; nos ocupamos de la parte experimental, comenzando con una extensa descripción y caracterización de los substratos de silicio. De este modo, en el Capítulo 2 se analizan con exhaustividad los diferentes tratamientos (tanto químicos como térmicos) que deben seguir éstos para garantizar una superficie óptima sobre la que crecer epitaxialmente el resto de la estructura. Ya centrados en el diseño de la célula inferior, el Capítulo 3 aborda la formación de la unión p-n. En primer lugar se analiza qué configuración de emisor (en términos de dopaje y espesor) es la más adecuada para sacar el máximo rendimiento de la célula inferior. En este primer estudio se compara entre las diferentes alternativas existentes para la creación del emisor, evaluando las ventajas e inconvenientes que cada aproximación ofrece frente al resto. Tras ello, se presenta un modelo teórico capaz de simular el proceso de difusión de fosforo en silicio en un entorno MOVPE por medio del software Silvaco. Mediante este modelo teórico podemos determinar qué condiciones experimentales son necesarias para conseguir un emisor con el diseño seleccionado. Finalmente, estos modelos serán validados y constatados experimentalmente mediante la caracterización por técnicas analíticas (i.e. ECV o SIMS) de uniones p-n con emisores difundidos. Uno de los principales problemas asociados a la formación del emisor por difusión de fósforo, es la degradación superficial del substrato como consecuencia de su exposición a grandes concentraciones de fosfina (fuente de fósforo). En efecto, la rugosidad del silicio debe ser minuciosamente controlada, puesto que éste servirá de base para el posterior crecimiento epitaxial y por tanto debe presentar una superficie prístina para evitar una degradación morfológica y cristalográfica de las capas superiores. En este sentido, el Capítulo 4 incluye un análisis exhaustivo sobre la degradación morfológica de los substratos de silicio durante la formación del emisor. Además, se proponen diferentes alternativas para la recuperación de la superficie con el fin de conseguir rugosidades sub-nanométricas, que no comprometan la calidad del crecimiento epitaxial. Finalmente, a través de desarrollos teóricos, se establecerá una correlación entre la degradación morfológica (observada experimentalmente) con el perfil de difusión del fósforo en el silicio y por tanto, con las características del emisor. Una vez concluida la formación de la unión p-n propiamente dicha, se abordan los problemas relacionados con el crecimiento de la capa de nucleación de GaP. Por un lado, esta capa será la encargada de pasivar la subcélula de silicio, por lo que su crecimiento debe ser regular y homogéneo para que la superficie de silicio quede totalmente pasivada, de tal forma que la velocidad de recombinación superficial en la interfaz GaP/Si sea mínima. Por otro lado, su crecimiento debe ser tal que minimice la aparición de los defectos típicos de una heteroepitaxia de una capa polar sobre un substrato no polar -denominados dominios de antifase-. En el Capítulo 5 se exploran diferentes rutinas de nucleación, dentro del gran abanico de posibilidades existentes, para conseguir una capa de GaP con una buena calidad morfológica y estructural, que será analizada mediante diversas técnicas de caracterización microscópicas. La última parte de esta Tesis está dedicada al estudio de las propiedades fotovoltaicas de la célula inferior. En ella se analiza la evolución de los tiempos de vida de portadores minoritarios de la base durante dos etapas claves en el desarrollo de la estructura Ill-V/Si: la formación de la célula inferior y el crecimiento de las capas III-V. Este estudio se ha llevado a cabo en colaboración con la Universidad de Ohio, que cuentan con una gran experiencia en el crecimiento de materiales III-V sobre silicio. Esta tesis concluye destacando las conclusiones globales del trabajo realizado y proponiendo diversas líneas de trabajo a emprender en el futuro. ABSTRACT This thesis pursues the development and growth of hybrid solar cells -through Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE)- formed by III-V semiconductors on silicon substrates. This integration aims to provide an alternative to current III-V cells, which, despite hold the efficiency record for photovoltaic devices, their cost is, today, too high to be economically competitive to conventional silicon cells. Accordingly, the target of this project is to link the already demonstrated efficiency potential of III-V semiconductor multijunction solar cell architectures with the low cost and unconstrained availability of silicon substrates. Within the existing alternatives for the integration of III-V semiconductors on silicon substrates, this thesis is based on the metamorphic approach for the development of GaAsP/Si dual-junction solar cells. In this approach, the accommodation of the lattice mismatch is handle through the appearance of crystallographic defects (namely dislocations), which will be confined through the incorporation of a graded buffer layer. The resulting surface will have, on the one hand a good structural quality; and on the other hand the desired lattice parameter. Different research groups have been working in the last years in a structure similar to the one here described, being most of their efforts directed towards the optimization of the heteroepitaxial growth of III-V compounds on Si, with the primary goal of minimizing the appearance of crystal defects. However, none of these groups has paid much attention to the development and optimization of the bottom silicon cell, which, indeed, will play an important role on the overall solar cell performance. In this respect, the idea of this thesis is to complete the work done so far in this field by focusing on the design and optimization of the bottom silicon cell, to harness its efficiency. This work is divided into six chapters, organized according to the natural progress of the bottom cell development. After a brief introduction to the growth of III-V semiconductors on Si substrates, pointing out the different alternatives for their integration; we move to the experimental part, which is initiated by an extensive description and characterization of silicon substrates -the base of the III-V structure-. In this chapter, a comprehensive analysis of the different treatments (chemical and thermal) required for preparing silicon surfaces for subsequent epitaxial growth is presented. Next step on the development of the bottom cell is the formation of the p-n junction itself, which is faced in Chapter 3. Firstly, the optimization of the emitter configuration (in terms of doping and thickness) is handling by analytic models. This study includes a comparison between the different alternatives for the emitter formation, evaluating the advantages and disadvantages of each approach. After the theoretical design of the emitter, it is defined (through the modeling of the P-in-Si diffusion process) a practical parameter space for the experimental implementation of this emitter configuration. The characterization of these emitters through different analytical tools (i.e. ECV or SIMS) will validate and provide experimental support for the theoretical models. A side effect of the formation of the emitter by P diffusion is the roughening of the Si surface. Accordingly, once the p-n junction is formed, it is necessary to ensure that the Si surface is smooth enough and clean for subsequent phases. Indeed, the roughness of the Si must be carefully controlled since it will be the basis for the epitaxial growth. Accordingly, after quantifying (experimentally and by theoretical models) the impact of the phosphorus on the silicon surface morphology, different alternatives for the recovery of the surface are proposed in order to achieve a sub-nanometer roughness which does not endanger the quality of the incoming III-V layers. Moving a step further in the development of the Ill-V/Si structure implies to address the challenges associated to the GaP on Si nucleation. On the one hand, this layer will provide surface passivation to the emitter. In this sense, the growth of the III-V layer must be homogeneous and continuous so the Si emitter gets fully passivated, providing a minimal surface recombination velocity at the interface. On the other hand, the growth should be such that the appearance of typical defects related to the growth of a polar layer on a non-polar substrate is minimized. Chapter 5 includes an exhaustive study of the GaP on Si nucleation process, exploring different nucleation routines for achieving a high morphological and structural quality, which will be characterized by means of different microscopy techniques. Finally, an extensive study of the photovoltaic properties of the bottom cell and its evolution during key phases in the fabrication of a MOCVD-grown III-V-on-Si epitaxial structure (i.e. the formation of the bottom cell; and the growth of III-V layers) will be presented in the last part of this thesis. This study was conducted in collaboration with The Ohio State University, who has extensive experience in the growth of III-V materials on silicon. This thesis concludes by highlighting the overall conclusions of the presented work and proposing different lines of work to be undertaken in the future.

Ecología política y economía de la visibilidad de los dispositivos tecnológicos de escala urbana durante el siglo XX Abriendo la caja negra

En paralelo a la superficie cotidiana de la ciudad moderna, discurre otra "ciudad invisible" o "caja negra" tecnológica, que opera, de manera silenciosa e imperceptible, al servicio de los ciudadanos. Paradójicamente, en este espacio invisible, se toman decisiones de la máxima relevancia para la ciudad: en la "caja negra", las ciudades pactan sus relaciones con la naturaleza; a través de ella, se produce la administración y distribución de los recursos que componen su metabolismo urbano. En definitiva, la "caja negra" es el conjunto de las arquitecturas donde se urbaniza la naturaleza, donde ésta pasa a ser ciudad. Y, sin embargo, ha tendido a permanecer invisible. No obstante, en el último tercio del siglo XX, se ha "abierto la caja negra" urbana y lo que era invisible ha dejado de serlo o, al menos, ha alterado su estatuto de visibilidad. El objetivo de esta tesis doctoral es evaluar las repercusiones arquitectónicas, urbanísticas y ecológicas, que conlleva este reciente fenómeno urbano que, desde hace unas décadas, está teniendo lugar en muchas de las ciudades herederas de las grandes reformas urbanas acometidas en las metrópolis europeas durante el siglo XIX, bajo el paradigma simbólico de un proyecto moderno "prometeico" y emancipador. Para abordar dicho análisis, se pondrán en relación dos parámetros urbanos elementales que han tendido a ser estudiados por separado. Por un lado, la "ecología política urbana", es decir, la red de relaciones socio-ecológicas que acontecen en la ciudad. Por otro lado, la "economía de la visibilidad", es decir, las formas de articular lo visible y lo invisible, en relación a los marcos de gobernanza. La intersección entre la "ecología política urbana" y la "economía de la visibilidad" proporciona un marco de análisis efectivo para comprender el fenómeno de la "apertura de la caja negra" y conlleva un cuestionamiento de algunas nociones dominantes en la teoría urbana y arquitectónica clásicas, como la segregación de la naturaleza, las infraestructuras y la sociedad o como las formas tradicionales de explotación ecológica del medio. Además, ofrece un criterio de análisis privilegiado para la comprensión del proceso de deslegitimación (filosófica, arquitectónica, económica, así como desde perspectivas ecológicas, sociales, de género o queer) de los modelos urbanísticos integrales modernos, herederos de los marcos antropocéntricos del siglo XIX. Por último, proporciona algunas herramientas arquitectónicas para afrontar los desafíos ecosistémicos del siglo XXI. A través del estudio de autores relevantes que han analizado esta problemática para la arquitectura, así como del estudio de casos arquitectónicos que han marcado hitos fundamentales en la consolidación urbana de los procesos asociados a la "caja negra", se concluirá que, en términos ecológicos, la ciudad moderna ha movilizado una "ecología política urbana" basada en fórmulas de sometimiento del entorno, a partir de operaciones arquitectónicas y tecnológicas invisibles. En esta tesis doctoral se estudiará la organización arquitectónica de las arquitecturas de la "caja negra" y se evaluará si el fenómeno de la "apertura de la caja negra" puede ser considerado como un síntoma de la alteración en la "ecología política urbana". 'Abriremos la caja negra" para estudiar cómo se integran en el espacio urbano los dispositivos tecnológicos de escala urbana, toda vez éstos han dejado de ser invisibles. Cómo participan, como un actor más, en la configuración de otros marcos de cohabitación, dentro de la ciudad contemporánea. ABSTRACT An 'invisible city' or technological 'black box' runs parallel to the day-to-day surface of modern cities, remaining silent, unnoticed, at the service of the citizenry. Paradoxically, this invisible space is where some of the most relevant decisions concerning the city are made: the 'black box' is where cities agree on their relationships with nature; it is used to manage and distribute the resources that form its urban metabolism. In short, the 'black box' is the collection of architectures where nature is urbanised, where it becomes a city. And in spite of all this, it has mostly remained invisible. Nevertheless, this urban 'black box' was opened during the last third of the 20th century, so what used to be invisible is invisible no more, or at least the laws governing its visibility have been altered. The purpose of this doctoral thesis is to evaluate the architectural, urban planning and ecological repercussions of this recent urban phenomenon that has been taking place for several decades in many of the cities that followed in the footsteps of the large European metropolises of the 19th century, under the symbolic paradigm of a modern 'prometheic' and emancipating project. This analysis shall be done by juxtaposing two basic urban parameters that in general have been studied separately: frstly the ‘urban political ecology', that is, the network of socio-ecological relationships within the city. Secondly, the 'economy of visibility', that is, the way the visible and invisible spheres are structured in relation with the governance frameworks. The intersection between the 'urban political ecology' and the 'economy of visibility' provides an effective analysis framework to understand the phenomenon of the 'opening of the black box'. It entails calling into question some of the predominant notions in classical urban and architectural theory, such as the segregation of nature, infrastructures and society, or the traditional forms of ecological usage of the environment. It also offers an exceptional analysis criterion to understand the discrediting process (from a philosophical, architectural, economic perspective, but also from the point of view of ecology, society, gender or queerness) of modern all-encompassing urban models that draw from the anthropocentric frameworks of the 19th century. Finally, it provides some architectural tools to tackle 21st-century ecosystemic challenges. The study of relevant authors that have analysed these problems for architecture, as well as the study of milestone architectural cases for the urban consolidation of processes associated to the 'black box', shall serve to reach the conclusion that, in ecological terms, modern cities have mobilised an 'urban political ecology' based on formulas of subjugation of the environment, through invisible architectural and technological operations. This thesis shall present an evaluation of whether the phenomenon of the 'opening of the black box' can be considered a symptom of the alteration of the 'urban political ecology'. We shall 'open the black box' to study the integration of the various urbanscale technological devices within the urban landscape, now that they have ceased to be invisible. We shall see how they participate, like any other actor, in the confguration of other cohabitation frameworks within today's cities.

Implementación de un sistema de reserva de dispositivos integrado en la nube

El departamento de QA & Testing de Indra da cobertura a las actividades de aseguramiento de calidad y testing en diferentes operaciones. La línea principal de operación está centrada en el diseño y ejecución de pruebas de aplicaciones, las cuales están orientadas a asegurar que “el sistema hace lo que tiene que hacer, y no hace lo que no debe hacer”. En la línea de movilidad (moQA) se dispone de software específico y de un rack de dispositivos para aplicaciones que deben funcionar sobre diversidad de tecnologías o dispositivos. Es precisamente en esta unidad donde se está buscando dar un nuevo enfoque al testing tradicional. En este contexto se propone como método innovador la implementación de una herramienta que permita utilizar un dispositivo, Smartphone o Tablet, en remoto desde cualquier parte del mundo. Con el objetivo principal de desarrollar un nuevo servicio que permita a la unidad de QA & Testing diferenciarse de los competidores en un mercado completamente en auge, se ha llevado a cabo este Trabajo de Fin de Grado, en el cual se realiza la implementación de un sistema de reserva de dispositivos integrado en la nube. Sin embargo, cabe destacar que esta necesidad surge también a raíz del crecimiento exponencial del departamento producido en los últimos meses y que ha provocado la adquisición de decenas de dispositivos sobrepasando el centenar. El sistema implementado busca sacar una rentabilidad mucho mayor de los mismos. A partir de la creación de esta nueva herramienta se abre un amplio abanico de posibilidades que podrían aumentar las ganancias de la inversión realizada en el rack de dispositivos. El desarrollo de este Trabajo de Fin de Grado se ha dividido en tres tareas distintas: I) Realización de un estudio de las distintas herramientas de gestión de reservas existentes, para encontrar aquella que mejor se adapte al proyecto. Posteriormente se procederá a la implantación de la misma sobre un servidor web, como parte del desarrollo de la aplicación web cliente. II) Implementación de las conexiones necesarias entre la nube y la aplicación web cliente. III) Desarrollo del script encargado de proporcionar el acceso remoto de un dispositivo desde el servidor directamente hasta el cliente. En último lugar, conociendo toda la lógica del sistema, se mostrarán los resultados y se describirán las conclusiones de la herramienta implementada.