Self assembled and ordered group III nitride nanocolumnar structures for light emitting applications

El objetivo de este trabajo es un estudio profundo del crecimiento selectivo de nanoestructuras de InGaN por epitaxia de haces moleculares asistido por plasma, concentrandose en el potencial de estas estructuras como bloques constituyentes en LEDs de nueva generación. Varias aproximaciones al problema son discutidas; desde estructuras axiales InGaN/GaN, a estructuras core-shell, o nanoestructuras crecidas en sustratos con orientaciones menos convencionales (semi polar y no polar). La primera sección revisa los aspectos básicos del crecimiento auto-ensamblado de nanocolumnas de GaN en sustratos de Si(111). Su morfología y propiedades ópticas son comparadas con las de capas compactas de GaN sobre Si(111). En el caso de las columnas auto-ensambladas de InGaN sobre Si(111), se presentan resultados sobre el efecto de la temperatura de crecimiento en la incorporación de In. Por último, se discute la inclusión de nanodiscos de InGaN en las nanocolumnas de GaN. La segunda sección revisa los mecanismos básicos del crecimiento ordenado de nanoestructuras basadas en GaN, sobre templates de GaN/zafiro. Aumentando la relación III/V localmente, se observan cambios morfológicos; desde islas piramidales, a nanocolumnas de GaN terminadas en planos semipolares, y finalmente, a nanocolumnas finalizadas en planos c polares. Al crecer nanodiscos de InGaN insertados en las nanocolumnas de GaN, las diferentes morfologias mencionadas dan lugar a diferentes propiedades ópticas de los nanodiscos, debido al diferente carácter (semi polar o polar) de los planos cristalinos involucrados. La tercera sección recoge experimentos acerca de los efectos que la temperatura de crecimiento y la razón In/Ga tienen en la morfología y emisión de nanocolumnas ordenadas de InGaN crecidas sobre templates GaN/zafiro. En el rango de temperaturas entre 650 y 750 C, la incorporacion de In puede modificarse bien por la temperatura de crecimiento, o por la razón In/Ga. Controlar estos factores permite la optimización de la longitud de onda de emisión de las nanocolumnas de InGaN. En el caso particular de la generación de luz blanca, se han seguidos dos aproximaciones. En la primera, se obtiene emisión amarilla-blanca a temperatura ambiente de nanoestructuras donde la región de InGaN consiste en un gradiente de composiciones de In, que se ha obtenido a partir de un gradiente de temperatura durante el crecimiento. En la segunda, el apilamiento de segmentos emitiendo en azul, verde y rojo, consiguiendo la integración monolítica de estas estructuras en cada una de las nanocolumnas individuales, da lugar a emisores ordenados con un amplio espectro de emisión. En esta última aproximación, la forma espectral puede controlarse con la longitud (duración del crecimiento) de cada uno de los segmentos de InGaN. Más adelante, se presenta el crecimiento ordenado, por epitaxia de haces moleculares, de arrays de nanocolumnas que son diodos InGaN/GaN cada una de ellas, emitiendo en azul (441 nm), verde (502 nm) y amarillo (568 nm). La zona activa del dispositivo consiste en una sección de InGaN, de composición constante nominalmente y longitud entre 250 y 500 nm, y libre de defectos extendidos en contraste con capas compactas de InGaN de similares composiciones y espesores. Los espectros de electroluminiscencia muestran un muy pequeño desplazamiento al azul al aumentar la corriente inyectada (desplazamiento casi inexistente en el caso del dispositivo amarillo), y emisiones ligeramente más anchas que en el caso del estado del arte en pozos cuánticos de InGaN. A continuación, se presenta y discute el crecimiento ordenado de nanocolumnas de In(Ga)N/GaN en sustratos de Si(111). Nanocolumnas ordenadas emitiendo desde el ultravioleta (3.2 eV) al infrarrojo (0.78 eV) se crecieron sobre sustratos de Si(111) utilizando una capa compacta (“buffer”) de GaN. La morfología y eficiencia de emisión de las nanocolumnas emitiendo en el rango espectral verde pueden ser mejoradas ajustando las relaciones In/Ga y III/N, y una eficiencia cuántica interna del 30% se deriva de las medidas de fotoluminiscencia en nanocolumnas optimizadas. En la siguiente sección de este trabajo se presenta en detalle el mecanismo tras el crecimiento ordenado de nanocolumnas de InGaN/GaN emitiendo en el verde, y sus propiedades ópticas. Nanocolumnas de InGaN/GaN con secciones largas de InGaN (330-830 nm) se crecieron tanto en sustratos GaN/zafiro como GaN/Si(111). Se encuentra que la morfología y la distribución espacial del In dentro de las nanocolumnas dependen de las relaciones III/N e In/Ga locales en el frente de crecimiento de las nanocolumnas. La dispersión en el contenido de In entre diferentes nanocolumnas dentro de la misma muestra es despreciable, como indica las casi identicas formas espectrales de la catodoluminiscencia de una sola nanocolumna y del conjunto de ellas. Para las nanocolumnas de InGaN/GaN crecidas sobre GaN/Si(111) y emitiendo en el rango espectral verde, la eficiencia cuántica interna aumenta hasta el 30% al disminuir la temperatura de crecimiento y aumentar el nitrógeno activo. Este comportamiento se debe probablemente a la formación de estados altamente localizados, como indica la particular evolución de la energía de fotoluminiscencia con la temperatura (ausencia de “s-shape”) en muestras con una alta eficiencia cuántica interna. Por otro lado, no se ha encontrado la misma dependencia entre condiciones de crecimiento y efiencia cuántica interna en las nanoestructuras InGaN/GaN crecidas en GaN/zafiro, donde la máxima eficiencia encontrada ha sido de 3.7%. Como alternativa a las nanoestructuras axiales de InGaN/GaN, la sección 4 presenta resultados sobre el crecimiento y caracterización de estructuras core-shell de InGaN/GaN, re-crecidas sobre arrays de micropilares de GaN fabricados por ataque de un template GaN/zafiro (aproximación top-down). El crecimiento de InGaN/GaN es conformal, con componentes axiales y radiales en el crecimiento, que dan lugar a la estructuras core-shell con claras facetas hexagonales. El crecimiento radial (shell) se ve confirmado por medidas de catodoluminiscencia con resolución espacial efectuadas en un microscopio electrónico de barrido, asi como por medidas de microscopía de transmisión de electrones. Más adelante, el crecimiento de micro-pilares core-shell de InGaN se realizó en pilares GaN (cores) crecidos selectivamente por epitaxia de metal-orgánicos en fase vapor. Con el crecimiento de InGaN se forman estructuras core-shell con emisión alrededor de 3 eV. Medidas de catodoluminiscencia resuelta espacialmente indican un aumento en el contenido de indio del shell en dirección a la parte superior del pilar, que se manifiesta en un desplazamiento de la emisión de 3.2 eV en la parte inferior, a 3.0 eV en la parte superior del shell. Este desplazamiento está relacionado con variaciones locales de la razón III/V en las facetas laterales. Finalmente, se demuestra la fabricación de una estructura pin basada en estos pilares core-shell. Medidas de electroluminiscencia resuelta espacialmente, realizadas en pilares individuales, confirman que la electroluminiscencia proveniente del shell de InGaN (diodo lateral) está alrededor de 3.0 eV, mientras que la emisión desde la parte superior del pilar (diodo axial) está alrededor de 2.3 eV. Para finalizar, se presentan resultados sobre el crecimiento ordenado de GaN, con y sin inserciones de InGaN, en templates semi polares (GaN(11-22)/zafiro) y no polares (GaN(11-20)/zafiro). Tras el crecimiento ordenado, gran parte de los defectos presentes en los templates originales se ven reducidos, manifestándose en una gran mejora de las propiedades ópticas. En el caso de crecimiento selectivo sobre templates con orientación GaN(11-22), no polar, la formación de nanoestructuras con una particular morfología (baja relación entre crecimiento perpedicular frente a paralelo al plano) permite, a partir de la coalescencia de estas nanoestructuras, la fabricación de pseudo-templates no polares de GaN de alta calidad. ABSTRACT The aim of this work is to gain insight into the selective area growth of InGaN nanostructures by plasma assisted molecular beam epitaxy, focusing on their potential as building blocks for next generation LEDs. Several nanocolumn-based approaches such as standard axial InGaN/GaN structures, InGaN/GaN core-shell structures, or InGaN/GaN nanostructures grown on semi- and non-polar substrates are discussed. The first section reviews the basics of the self-assembled growth of GaN nanocolumns on Si(111). Morphology differences and optical properties are compared to those of GaN layer grown directly on Si(111). The effects of the growth temperature on the In incorporation in self-assembled InGaN nanocolumns grown on Si(111) is described. The second section reviews the basic growth mechanisms of selectively grown GaNbased nanostructures on c-plane GaN/sapphire templates. By increasing the local III/V ratio morphological changes from pyramidal islands, to GaN nanocolumns with top semi-polar planes, and further to GaN nanocolumns with top polar c-planes are observed. When growing InGaN nano-disks embedded into the GaN nanocolumns, the different morphologies mentioned lead to different optical properties, due to the semipolar and polar nature of the crystal planes involved. The third section reports on the effect of the growth temperature and In/Ga ratio on the morphology and light emission characteristics of ordered InGaN nanocolumns grown on c-plane GaN/sapphire templates. Within the growth temperature range of 650 to 750oC the In incorporation can be modified either by the growth temperature, or the In/Ga ratio. Control of these factors allows the optimization of the InGaN nanocolumns light emission wavelength. In order to achieve white light emission two approaches are used. First yellow-white light emission can be obtained at room temperature from nanostructures where the InGaN region is composition-graded by using temperature gradients during growth. In a second approach the stacking of red, green and blue emitting segments was used to achieve the monolithic integration of these structures in one single InGaN nanocolumn leading to ordered broad spectrum emitters. With this approach, the spectral shape can be controlled by changing the thickness of the respective InGaN segments. Furthermore the growth of ordered arrays of InGaN/GaN nanocolumnar light emitting diodes by molecular beam epitaxy, emitting in the blue (441 nm), green (502 nm), and yellow (568 nm) spectral range is reported. The device active region, consisting of a nanocolumnar InGaN section of nominally constant composition and 250 to 500 nm length, is free of extended defects, which is in strong contrast to InGaN layers (planar) of similar composition and thickness. Electroluminescence spectra show a very small blue shift with increasing current, (almost negligible in the yellow device) and line widths slightly broader than those of state-of-the-art InGaN quantum wells. Next the selective area growth of In(Ga)N/GaN nanocolumns on Si(111) substrates is discussed. Ordered In(Ga)N/GaN nanocolumns emitting from ultraviolet (3.2 eV) to infrared (0.78 eV) were then grown on top of GaN-buffered Si substrates. The morphology and the emission efficiency of the In(Ga)N/GaN nanocolumns emitting in the green could be substantially improved by tuning the In/Ga and total III/N ratios, where an estimated internal quantum efficiency of 30 % was derived from photoluminescence data. In the next section, this work presents a study on the selective area growth mechanisms of green-emitting InGaN/GaN nanocolumns and their optical properties. InGaN/GaN nanocolumns with long InGaN sections (330-830nm) were grown on GaN/sapphire and GaN-buffered Si(111). The nanocolumn’s morphology and spatial indium distribution is found to depend on the local group (III)/N and In/Ga ratios at the nanocolumn’s top. A negligible spread of the average indium incorporation among different nanostructures is found as indicated by similar shapes of the cathodoluminescence spectra taken from single nanocolumns and ensembles of nanocolumns. For InGaN/GaN nanocolumns grown on GaN-buffered Si(111), all emitting in the green spectral range, the internal quantum efficiency increases up to 30% when decreasing growth temperature and increasing active nitrogen. This behavior is likely due to the formation of highly localized states, as indicated by the absence of a complete s-shape behavior of the PL peak position with temperature (up to room temperature) in samples with high internal quantum efficiency. On the other hand, no dependence of the internal quantum efficiency on the growth conditions is found for InGaN/GaN nanostructures grown on GaN/sapphire, where the maximum achieved efficiency is 3.7%. As alternative to axial InGaN/GaN nanostructures, section 4 reports on the growth and characterization of InGaN/GaN core-shell structures on an ordered array of top-down patterned GaN microrods etched from a GaN/sapphire template. Growth of InGaN/GaN is conformal, with axial and radial growth components leading to core-shell structures with clear hexagonal facets. The radial InGaN growth (shell) is confirmed by spatially resolved cathodoluminescence performed in a scanning electron microscopy as well as in scanning transmission electron microscopy. Furthermore the growth of InGaN core-shell micro pillars using an ordered array of GaN cores grown by metal organic vapor phase epitaxy as a template is demonstrated. Upon InGaN overgrowth core-shell structures with emission at around 3.0 eV are formed. With spatially resolved cathodoluminescence, an increasing In content towards the pillar top is found to be present in the InGaN shell, as indicated by a shift of CL peak position from 3.2 eV at the shell bottom to 3.0 eV at the shell top. This shift is related to variations of the local III/V ratio at the side facets. Further, the successful fabrication of a core-shell pin diode structure is demonstrated. Spatially resolved electroluminescence measurements performed on individual micro LEDs, confirm emission from the InGaN shell (lateral diode) at around 3.0 eV, as well as from the pillar top facet (axial diode) at around 2.3 eV. Finally, this work reports on the selective area growth of GaN, with and without InGaN insertion, on semi-polar (11-22) and non-polar (11-20) templates. Upon SAG the high defect density present in the GaN templates is strongly reduced as indicated by TEM and a dramatic improvement of the optical properties. In case of SAG on non-polar (11-22) templates the formation of nanostructures with a low aspect ratio took place allowing for the fabrication of high-quality, non-polar GaN pseudo-templates by coalescence of the nanostructures.

Aceros al molibdeno sinterizados con gradiente funcional

Las propiedades que se solicitan a las piezas y productos exigen, la mayoría de las veces, una combinación de materiales que respondan a requerimientos específicos en función de su posición. La fabricación de materiales compuestos y materiales con gradiente funcional proporciona grandes posibilidades de respuesta a las necesidades demandas, tanto de satisfacción de requerimientos como de reducción de materias primas necesarias. En este sentido, satisfacer las propiedades demandadas, de manera localizada geométricamente, puede suponer un ahorro de materias primas y de los residuos relacionados en su fabricación. En el presente estudio de la sinterización a 1120 ºC de un compacto de dos aceros de diferentes composiciones (un acero con un 0,3 % C y un 2 % de cobre y un acero al molibdeno con un 0,7 % carbono y un 2 % de cobre) ofrece unas posibilidades muy atractivas de eficiencia, al reducir en el interior la composición que se requiere en la superficie de las piezas. Se han caracterizado las propiedades mecánicas de este acero sinterizado con gradiente funcional: densidad, variación dimensional, durezas y resistencia mecánica; ilustradas con el análisis de imagen mediante microscopía óptica y electrónica de barrido.

Prefabricación y vivienda de emergencia

En los países industrializados afectados por desastres, donde una rápida reconstrucción no es posible, se produce una demanda masiva de vivienda temporal. Las razones son, principalmente, grandes expectativas en la ayuda gubernamental, riesgo climático y expectativas de un periodo muy lento de reconstrucción. Se trata de países con muy altos estándares y gran dependencia de servicios. Estos países posen un sector de la construcción privado activo, con un grado importante de industrialización, donde la construcción tradicional ha sido reemplazada por métodos materiales modernos. En este contexto, las técnicas de construcción industrializada, como prefabricación, pre-ensamblaje, modulación y fabricación ?off-site?, pueden proporcionar alojamientos temporales adecuados, disponibles en tiempo, y precio asequible, formando parte de una estrategia nacional basada en el principio de proveer refugio entendido como un proceso, usando sistemas industrializados propios del país como recurso económico para la comunidad, atendiendo las necesidades de los supervivientes con la calidad y los estándares adecuados.

Proyecto de explotación de cantera de calizas del Páramo

Este proyecto tiene por objeto el estudio de la viabilidad, tanto económica como técnica, de la explotación de una cantera de calizas pertenecientes a la formación geológica Calizas del Páramo. El yacimiento explotado es de tipo superficial, con una profundidad media entre 30 y 35 m. La concesión de explotación se localiza en la subcomarca de la Alcarria de Alcalá, al sureste de la Comunidad de Madrid. La caliza extraída es utilizada para fabricación de cemento, micronizados y pinturas, utilizándose el subproducto como árido en diferentes materiales de la construcción, como fabricación de hormigones, aglomerados asfálticos, sub-base para carreteras, caminos y otros usos similares. Desde el punto de vista técnico, la explotación se realiza a cielo abierto por el método de banqueo descendente en profundidad y restauración progresiva, mediante arranque por perforación y voladura, y posterior carga y transporte de materiales por medios mecánicos. El Proyecto de Explotación plantea la extracción de un volumen total de material del orden de 32,85 Mt. Atendiendo a la cifra de reservas explotables y al ritmo de producción anual previsto, el período de explotación contemplado en este Proyecto es del orden de 30 años desde la situación actual. El estudio realizado de los indicadores económicos nos muestra que el proyecto es rentable, con todo ello, parece concluirse que, tanto técnica como económicamente, la explotación es viable. ABSTRACT This project aims to study the economic and technical feasibility for the operation of a limestone quarry belonging to the geological formation of the Calizas del Páramo. The reservoir exploited is superficial type, with an average depth between 30 and 35 m. The mining concession is located in the subregion of the Alcarria de Alcalá, southeast of Madrid. The extracted limestone is used for manufacturing cement, micronized and paintings, using the product as aggregate in different construction materials, such as manufacture of concrete, asphalt mixes, sub-base for roads, paths and other similar uses. From the technical point of view, the operation will be held openpit by the method of depth descending benching and progressive restoration. The operation begins by drilling and blasting, continuing with loading and transport of materials by mechanical methods. The Exploitation Project raises the extraction of a total volume of material of 32.85 Mt approximately Considering the number of exploitable reserves and expected annual production rate, the operating period referred to in this project is of the order of 30 years from the current situation. The study of economic indicators shows that the project is profitable, yet it can be concluded that, both technically and economically, the exploitation of mineral resources is viable.

Influencia de un recubrimiento de vinilo en la tensión de fractura del vidrio en ensayos de anillos concéntricos con gran superficie

El comportamiento post-rotura de los vidrios laminados es uno de los temas que están siendo investigados para explicar la capacidad de carga remanente tras la rotura de la primera lámina. En investigaciones previas se ha observado que en el caso de impacto humano en vidrios recocidos se llega a una capacidad hasta 3 veces superior, sin explicación clara del comportamiento estructural del conjunto. Para realizar un acercamiento a la resistencia a la rotura del vidrio laminado se ha planificado una campaña de ensayos de rotura con anillos concéntricos de grandes superficies en vidrio recocido, termoendurecido y templado, con dos series adicionales de vidrio recocido y termoendurecido con una capa de butiral adherida justo después del proceso de fabricación. Para realizar la comparación de las distribuciones de Weibull de las distintas tensiones de rotura se utiliza un proceso iterativo basado en la distribución real de tensiones obtenida con un modelo de elementos finitos ajustado con datos experimentales. Las comparaciones finales muestran un aumento apreciable de la resistencia (45%) en el caso de vidrios recocidos, y menor en el de los termoendurecidos (25%).The post-fracture behavior of the laminated glasses is one of the research topics that are being studied to explain the load capacity after the break of the first sheet. Previous experimental work have shown, that in case of human impact in annealed glasses, the capacity of bearing load it can be up to 3 times higher without clear explanation of the structural behavior of the plate. To make an approximation to the post-fracture resistance, a experimental program to test annealed, heat-tempered and toughened glass plates has been prepared. Two additional series of annealed and heattempered, with a layer of polyvinyl butyral adhered just after the manufacturing process, have also been incorporated. Coaxial Double Ring with large test surface areas Coaxial Double Ring with large test surface areas is the standard that has been followed. To make the comparison of Weibull's distributions of the different fracture stress, an iterative process based on the actual stress distribution obtained with a finite elements model updated with experimental results has been used. Final comparisons show a great stress improvement for the annealed glass plates (45 %), and a minor increment for the heat-tempered (25 %).

Comportamiento a cortante puro de hormigones reforzados con fibras sometidos a ensayos tipo Push-Off

El hormigón como material de construcción constituye la base fundamental del desarrollo de la infraestructura de nuestras sociedades modernas. Este material compuesto en su forma mas básica de material cementoso, áridos finos, gruesos y agua es muy versátil dada la posibilidad de fabricación en obra, su capacidad de moldeo y sus altas prestaciones mecánicas ante cargas de compresión El uso de fibras dentro de la matriz del hormigón surge como una opción para mejorar las capacidades mecánicas del hormigón, tendiente principalmente a un aumento de su capacidad de absorción de energía (Aumento de ductilidad). El objetivo de este trabajo fue el estudio del comportamiento mecánico de hormigones autocompactantes reforzados con fibras de poliolefina y metálicas sometidos a esfuerzos de cortante puro. Para esto se realizaron ensayos tipo “Push-Off” sobre diferentes dosificaciones de fibras agregadas a hormigones patrón de referencia. La campana experimental se realizo sobre hormigones autocompactantes de campanas experimentales anteriores. La campana abarca hormigones reforzados con fibra de poliolefina desde el umbral inferior de 3kg/m3 hasta un valor máximo de 10kg/m3, así como hormigones reforzados con fibra de acero con 26 y 70 kilogramos de fibra por metro cúbico de hormigón, buscando evaluar su comportamiento mecánico en estado endurecido a ensayos de cortante puro tipo “Push-off”. Dichos ensayos fueron instrumentados mediante la colocación de CMOD (Crack mouth open displacement) en las entallas, así como usando la técnica de la video extensometría (DIC por sus siglas en ingles), la cual permite hacer un análisis mas minucioso de los estados de deformaciones de toda la probeta. Se concluyo que los hormigones con bajos y medios contenidos de fibras de poliolefina aumentan en pequeña magnitud su ductilidad, estando condicionados los ensayos tipo “Push-off” de los mismos a la probabilidad de encontrar fibras en la interfaz de la fisura por cortante. En el caso de los hormigones con contenido medio de fibras de acero, se concluyo que tienen una gran mejoría en su comportamiento frente a cortante puro. Su comportamiento post-pico tiene aumentos considerables con respecto a los hormigones no reforzados, ductilidad y capacidad de conservación de cargas residuales, y la capacidad de disipación de energía de estos es intermedia entre los hormigones de bajo contenido de fibras de poliolefina y los de alto contenido tanto de acero como de poliolefina. Estos hormigones constituyen en general un punto medio entre economía y facilidad de fabricación y desempeño mecánico. En el caso de los hormigones de alto contenido de fibras de poliolefina, se obtuvieron comportamientos post-pico con alta ductilidad, con deformaciones que superan valores de 2mm. Las cargas pico de los mismos fueron levemente superiores a los hormigones no reforzados y un poco inferiores a los de alto contenido de fibras de acero sin ser concluyentes los resultados al respecto. Estos hormigones disipan menos energía en la fractura que los hormigones de acero hasta deformaciones de 2mm pero una vez alcanzada la misma se evidencio que el cortante residual de estos superaba la de los hormigones con fibra de acero. Los hormigones con alto contenido de fibra de acero presentaron los mejores resultados de la campana experimental, con cargas pico mayores, ramas de descarga con pendiente reducida (fallas dúctiles) y mayor cantidad de energía disipada. A pesar de esto es importante tener en cuenta que los resultados obtenidos no estuvieron muy alejados de los hormigones con alto contenido de fibras de poliolefina, los cuales son mas económicos, menos densos, mas durables y mas manejables.

Contribución a la caracterización espacial de canales con sistemas MIMO-OFDM en la banda de 2,45 Ghz

La tecnología de múltiples antenas ha evolucionado para dar soporte a los actuales y futuros sistemas de comunicaciones inalámbricas en su afán por proporcionar la calidad de señal y las altas tasas de transmisión que demandan los nuevos servicios de voz, datos y multimedia. Sin embargo, es fundamental comprender las características espaciales del canal radio, ya que son las características del propio canal lo que limita en gran medida las prestaciones de los sistemas de comunicación actuales. Por ello surge la necesidad de estudiar la estructura espacial del canal de propagación para poder diseñar, evaluar e implementar de forma más eficiente tecnologías multiantena en los actuales y futuros sistemas de comunicación inalámbrica. Las tecnologías multiantena denominadas antenas inteligentes y MIMO han generado un gran interés en el área de comunicaciones inalámbricas, por ejemplo los sistemas de telefonía celular o más recientemente en las redes WLAN (Wireless Local Area Network), principalmente por la mejora que proporcionan en la calidad de las señales y en la tasa de transmisión de datos, respectivamente. Las ventajas de estas tecnologías se fundamentan en el uso de la dimensión espacial para obtener ganancia por diversidad espacial, como ya sucediera con las tecnologías FDMA (Frequency Division Multiplexing Access), TDMA (Time Division Multiplexing Access) y CDMA (Code Division Multiplexing Access) para obtener diversidad en las dimensiones de frecuencia, tiempo y código, respectivamente. Esta Tesis se centra en estudiar las características espaciales del canal con sistemas de múltiples antenas mediante la estimación de los perfiles de ángulos de llegada (DoA, Direction-of- Arrival) considerando esquemas de diversidad en espacio, polarización y frecuencia. Como primer paso se realiza una revisión de los sistemas con antenas inteligentes y los sistemas MIMO, describiendo con detalle la base matemática que sustenta las prestaciones ofrecidas por estos sistemas. Posteriormente se aportan distintos estudios sobre la estimación de los perfiles de DoA de canales radio con sistemas multiantena evaluando distintos aspectos de antenas, algoritmos de estimación, esquemas de polarización, campo lejano y campo cercano de las fuentes. Así mismo, se presenta un prototipo de medida MIMO-OFDM-SPAA3D en la banda ISM (Industrial, Scientific and Medical) de 2,45 Ghz, el cual está preparado para caracterizar experimentalmente el rendimiento de los sistemas MIMO, y para caracterizar espacialmente canales de propagación, considerando los esquemas de diversidad espacial, por polarización y frecuencia. Los estudios aportados se describen a continuación. Los sistemas de antenas inteligentes dependen en gran medida de la posición de los usuarios. Estos sistemas están equipados con arrays de antenas, los cuales aportan la diversidad espacial necesaria para obtener una representación espacial fidedigna del canal radio a través de los perfiles de DoA (DoA, Direction-of-Arrival) y por tanto, la posición de las fuentes de señal. Sin embargo, los errores de fabricación de arrays así como ciertos parámetros de señal conlleva un efecto negativo en las prestaciones de estos sistemas. Por ello se plantea un modelo de señal parametrizado que permite estudiar la influencia que tienen estos factores sobre los errores de estimación de DoA, tanto en acimut como en elevación, utilizando los algoritmos de estimación de DOA más conocidos en la literatura. A partir de las curvas de error, se pueden obtener parámetros de diseño para sistemas de localización basados en arrays. En un segundo estudio se evalúan esquemas de diversidad por polarización con los sistemas multiantena para mejorar la estimación de los perfiles de DoA en canales que presentan pérdidas por despolarización. Para ello se desarrolla un modelo de señal en array con sensibilidad de polarización que toma en cuenta el campo electromagnético de ondas planas. Se realizan simulaciones MC del modelo para estudiar el efecto de la orientación de la polarización como el número de polarizaciones usadas en el transmisor como en el receptor sobre la precisión en la estimación de los perfiles de DoA observados en el receptor. Además, se presentan los perfiles DoA obtenidos en escenarios quasiestáticos de interior con un prototipo de medida MIMO 4x4 de banda estrecha en la banda de 2,45 GHz, los cuales muestran gran fidelidad con el escenario real. Para la obtención de los perfiles DoA se propone un método basado en arrays virtuales, validado con los datos de simulación y los datos experimentales. Con relación a la localización 3D de fuentes en campo cercano (zona de Fresnel), se presenta un tercer estudio para obtener con gran exactitud la estructura espacial del canal de propagación en entornos de interior controlados (en cámara anecóica) utilizando arrays virtuales. El estudio analiza la influencia del tamaño del array y el diagrama de radiación en la estimación de los parámetros de localización proponiendo, para ello, un modelo de señal basado en un vector de enfoque de onda esférico (SWSV). Al aumentar el número de antenas del array se consigue reducir el error RMS de estimación y mejorar sustancialmente la representación espacial del canal. La estimación de los parámetros de localización se lleva a cabo con un nuevo método de búsqueda multinivel adaptativo, propuesto con el fin de reducir drásticamente el tiempo de procesado que demandan otros algoritmos multivariable basados en subespacios, como el MUSIC, a costa de incrementar los requisitos de memoria. Las simulaciones del modelo arrojan resultados que son validados con resultados experimentales y comparados con el límite de Cramer Rao en términos del error cuadrático medio. La compensación del diagrama de radiación acerca sustancialmente la exactitud de estimación de la distancia al límite de Cramer Rao. Finalmente, es igual de importante la evaluación teórica como experimental de las prestaciones de los sistemas MIMO-OFDM. Por ello, se presenta el diseño e implementación de un prototipo de medida MIMO-OFDM-SPAA3D autocalibrado con sistema de posicionamiento de antena automático en la banda de 2,45 Ghz con capacidad para evaluar la capacidad de los sistemas MIMO. Además, tiene la capacidad de caracterizar espacialmente canales MIMO, incorporando para ello una etapa de autocalibración para medir la respuesta en frecuencia de los transmisores y receptores de RF, y así poder caracterizar la respuesta de fase del canal con mayor precisión. Este sistema incorpora un posicionador de antena automático 3D (SPAA3D) basado en un scanner con 3 brazos mecánicos sobre los que se desplaza un posicionador de antena de forma independiente, controlado desde un PC. Este posicionador permite obtener una gran cantidad de mediciones del canal en regiones locales, lo cual favorece la caracterización estadística de los parámetros del sistema MIMO. Con este prototipo se realizan varias campañas de medida para evaluar el canal MIMO en términos de capacidad comparando 2 esquemas de polarización y tomando en cuenta la diversidad en frecuencia aportada por la modulación OFDM en distintos escenarios. ABSTRACT Multiple-antennas technologies have been evolved to be the support of the actual and future wireless communication systems in its way to provide the high quality and high data rates required by new data, voice and data services. However, it is important to understand the behavior of the spatial characteristics of the radio channel, since the channel by itself limits the performance of the actual wireless communications systems. This drawback raises the need to understand the spatial structure of the propagation channel in order to design, assess, and develop more efficient multiantenna technologies for the actual and future wireless communications systems. Multiantenna technologies such as ‘Smart Antennas’ and MIMO systems have generated great interest in the field of wireless communications, i.e. cellular communications systems and more recently WLAN (Wireless Local Area Networks), mainly because the higher quality and the high data rate they are able to provide. Their technological benefits are based on the exploitation of the spatial diversity provided by the use of multiple antennas as happened in the past with some multiaccess technologies such as FDMA (Frequency Division Multiplexing Access), TDMA (Time Division Multiplexing Access), and CDMA (Code Division Multiplexing Access), which give diversity in the domains of frequency, time and code, respectively. This Thesis is mainly focus to study the spatial channel characteristics using schemes of multiple antennas considering several diversity schemes such as space, polarization, and frequency. The spatial characteristics will be study in terms of the direction-of-arrival profiles viewed at the receiver side of the radio link. The first step is to do a review of the smart antennas and MIMO systems technologies highlighting their advantages and drawbacks from a mathematical point of view. In the second step, a set of studies concerning the spatial characterization of the radio channel through the DoA profiles are addressed. The performance of several DoA estimation methods is assessed considering several aspects regarding antenna array structure, polarization diversity, and far-field and near-field conditions. Most of the results of these studies come from simulations of data models and measurements with real multiantena prototypes. In the same way, having understand the importance of validate the theoretical data models with experimental results, a 2,4 GHz MIMO-OFDM-SPAA2D prototype is presented. This prototype is intended for evaluating MIMO-OFDM capacity in indoor and outdoor scenarios, characterize the spatial structure of radio channels, assess several diversity schemes such as polarization, space, and frequency diversity, among others aspects. The studies reported are briefly described below. As is stated in Chapter two, the determination of user position is a fundamental task to be resolved for the smart antenna systems. As these systems are equipped with antenna arrays, they can provide the enough spatial diversity to accurately draw the spatial characterization of the radio channel through the DoA profiles, and therefore the source location. However, certain real implementation factors related to antenna errors, signals, and receivers will certainly reduce the performance of such direction finding systems. In that sense, a parameterized narrowband signal model is proposed to evaluate the influence of these factors in the location parameter estimation through extensive MC simulations. The results obtained from several DoA algorithms may be useful to extract some parameter design for directing finding systems based on arrays. The second study goes through the importance that polarization schemes can have for estimating far-field DoA profiles in radio channels, particularly for scenarios that may introduce polarization losses. For this purpose, a narrowband signal model with polarization sensibility is developed to conduct an analysis of several polarization schemes at transmitter (TX) and receiver (RX) through extensive MC simulations. In addition, spatial characterization of quasistatic indoor scenarios is also carried out using a 2.45 GHz MIMO prototype equipped with single and dual-polarized antennas. A good agreement between the measured DoA profiles with the propagation scenario is achieved. The theoretical and experimental evaluation of polarization schemes is performed using virtual arrays. In that case, a DoA estimation method is proposed based on adding an phase reference to properly track the DoA, which shows good results. In the third study, the special case of near-field source localization with virtual arrays is addressed. Most of DoA estimation algorithms are focused in far-field source localization where the radiated wavefronts are assume to be planar waves at the receive array. However, when source are located close to the array, the assumption of plane waves is no longer valid as the wavefronts exhibit a spherical behavior along the array. Thus, a faster and effective method of azimuth, elevation angles-of-arrival, and range estimation for near-field sources is proposed. The efficacy of the proposed method is evaluated with simulation and validated with measurements collected from a measurement campaign carried out in a controlled propagation environment, i.e. anechoic chamber. Moreover, the performance of the method is assessed in terms of the RMSE for several array sizes, several source positions, and taking into account the effect of radiation pattern. In general, better results are obtained with larger array and larger source distances. The effect of the antennas is included in the data model leading to more accurate results, particularly for range rather than for angle estimation. Moreover, a new multivariable searching method based on the MUSIC algorithm, called MUSA (multilevel MUSIC-based algorithm), is presented. This method is proposed to estimate the 3D location parameters in a faster way than other multivariable algorithms, such as MUSIC algorithm, at the cost of increasing the memory size. Finally, in the last chapter, a MIMO-OFDM-SPAA3D prototype is presented to experimentally evaluate different MIMO schemes regarding antennas, polarization, and frequency in different indoor and outdoor scenarios. The prototype has been developed on a Software-Defined Radio (SDR) platform. It allows taking measurements where future wireless systems will be developed. The novelty of this prototype is concerning the following 2 subsystems. The first one is the tridimensional (3D) antenna positioning system (SPAA3D) based on three linear scanners which is developed for making automatic testing possible reducing errors of the antenna array positioning. A set of software has been developed for research works such as MIMO channel characterization, MIMO capacity, OFDM synchronization, and so on. The second subsystem is the RF autocalibration module at the TX and RX. This subsystem allows to properly tracking the spatial structure of indoor and outdoor channels in terms of DoA profiles. Some results are draw regarding performance of MIMO-OFDM systems with different polarization schemes and different propagation environments.

Aplicaciones industriales para la construcción de estructuras laminares metálicas

El ánimo de superación y consecución de nuevos logros es una constante a lo largo de la historia arquitectura y la ingeniería. La construcción de estructuras cada vez más audaces, ligeras y esbeltas es un buen ejemplo de esta superación, pero este camino no está únicamente ligado a la consecución de nuevas formas estructurales y arquitectónicas, sino también a la búsqueda de una mayor economía de medios y materiales en su construcción, y el caso particular de las estructuras laminares metálicas no es una excepción. La presente tesis doctoral aborda el campo de las láminas de entramado desde una nueva perspectiva: la relación existente entre la introducción de una serie de innovaciones tecnológicas en la industria y la evolución formal de esta tipología estructural, tanto en lo que se refiere a la complejidad de las superficies construidas como en lo relativo a la elegancia de las mallas portantes alcanzada. Para ello esta investigación plantea la caracterización y clasificación de los sistemas constructivos prefabricados empleados en la construcción de láminas metálicas de celosía en función de la influencia de la tecnología y los procesos industriales de producción empleados en la fabricación de sus componentes, considerando asimismo las posibilidades formales y estéticas que ofrecen dichos sistemas y el grado de aprovechamiento de material que su diseño y fabricación permiten. Para alcanzar el objetivo propuesto se propone una metodología analítica específica que aborda la caracterización de los diferentes casos no sólo desde un enfoque cualitativo y abstracto, en función de las propiedades de los sistemas, sino que propone el estudio de su aplicación práctica en la realización de estructuras existentes, pudiendo así cuantificar gran parte de los parámetros considerados en la clasificación. Gracias a la aplicación de esta metodología se ha podido establecer la relación inequívoca que existe entre los avances generados por la industria y la evolución formal de las láminas de celosía, gracias a la unión de la innovación tecnológica y el talento creativo de los diseñadores – arquitectos e ingenieros – en la búsqueda de la belleza. Asimismo se han podido determinar cómo, a pesar de los asombrosos avances realizados, aún existen aspectos susceptibles de optimización en el diseño y fabricación de sistemas constructivos prefabricados, proponiendo nuevas vías de investigación que puedan conducir a la obtención de diseños que puedan llevar aún más lejos el desarrollo de esta tipología estructural. ABSTRACT The aim of improvement and the achievement of new goals is a constant process throughout the history of the architecture and engineering. The construction of increasingly daring, light and slender structures is a great example of this surmounting, but this track is not only related to the attainment of new structural and architectural shapes, but also to the pursuit of a higher economy of means and materials in its building process, and the particular case of steel grid shells makes no exception. The present doctoral dissertation addresses the field of lattice shells from a new viewpoint: the existing relationship between the insertion of a number of technological innovations in the industry and the formal evolution of this structural type, either referring to the complexity of the built surfaces as related to the elegance of the achieved load bearing grids. Within this aim this investigation outlines the characterization and classification of the prefabricated building systems used in the construction of steel trussed shells according to the influence of technology and industrial production processes used in its component fabrication, also considering the formal and aesthetic possibilities that the mentioned systems provide and the performance degree of raw material which its design and fabrication makes possible. In order to reach the proposed objective, this work develops an specific methodology which addresses the characterization of the different cases not only from an abstract and qualitative focus, based on the system properties, but also regarding the analysis of their real use in existing structures, being thus capable to quantify most of the parameters which are considered in this classification. By means of this methodology it has been possible to lay down the unambiguous relationship between the advances provided by the industry and the formal evolution of lattice shells, given the combination of technological innovation and the creative talent of designers – architects and engineers – in the pursuit of beauty. Furthermore, it has been determined how, in spite the astonishing advances that have been made, some issues in the design and fabrication of systems are still suitable to be optimized, addressing new research paths which may lead to the achievement of new designs suitable to drive the development of this structural type even further.

Medida del nivel de saturación de oxígeno en sangre: desarrollo de un pulsioxímetro de bajo coste y comparativa con otros sistemas existentes

El presente trabajo trata sobre la implementación de un prototipo de pulsioxímetro, es decir, un dispositivo capaz de medir la saturación de oxígeno en sangre y el ritmo cardiaco. Aprovechando una serie de propiedades ópticas se aplicará una técnica no invasiva basada en la absorción diferencial de la luz emitida por dos LEDs y, posteriormente, transmitida por los componentes del tejido humano. La caracterización de las constantes vitales del paciente será posible gracias a la comparación de las respuestas correspondientes a las dos longitudes de onda empleadas realizada por un fotodetector. Además de estos elementos, el sistema estará formado por un circuito analógico de acondicionamiento de la señal, un microcontrolador Arduino y un módulo de visualización LCD. El documento presentará la motivación que ha impulsado la elaboración de este proyecto, así como los conceptos fisiológicos y técnicos sobre los que se asienta el sistema y las fases de desarrollo que ha conllevado su implementación en un modelo real. Asimismo, se mencionarán las limitaciones del pulsioxímetro, los resultados de las mediciones experimentales y las posibles mejoras que podrían realizarse orientadas a la continuidad del diseño. El aliciente principal del proyecto está relacionado con su coste de fabricación. El objetivo es diseñar un dispositivo asequible que garantice una precisión de cálculo similar al de otros sistemas presentes en el mercado actual. Por ello, se realizará una comparativa sobre la fiabilidad de las lecturas del dispositivo frente a las especificaciones de dichos productos, con precios más elevados y por tanto menos accesibles para los países en vías de desarrollo

Diseño de una red de división / combinación de potencia de N-puertos sobre una octava en banda X mediante divisores Wilkinson multietapa y asimétricos implementados en tecnología Microstrip

Se muestra el proceso de diseño y medida de una red de división/combinación de potencia de gran ancho de banda (5 a 10 GHz) basado en divisores de potencia Wilkinson asimétricos y multi-sección. Se comparan las ventajas e inconvenientes de las distintas formas de conectar los divisores de potencia, proponiendo un diseño general que depende de la tecnología de fabricación que se disponga. Se detalla el proceso de diseño de los divisores de potencia del circuito, así como las estrategias a seguir para plasmar los parámetros del circuito en un modelo de simulación,mostrando los problemas que surgen y las soluciones que se tomaron. Finalmente se muestran las medidas el circuito fabricado, comparando su respuesta con la de la simulación.

Estudio, definición e implementación de una ontología para la creación y consulta de una base de datos relacional sobre datos obtenidos del linaje de las parcelas catastrales.

En los últimos años la evolución de la información compartida por internet ha cambiado enormemente, llegando a convertirse en lo que llamamos hoy la Web Semántica. Este término, acuñado en 2004, muestra una manera más “inteligente” de compartir los datos, de tal manera que éstos puedan ser entendibles por una máquina o por cualquier persona en el mundo. Ahora mismo se encuentra en fase de expansión, prueba de ello es la cantidad de grupos de investigación que están actualmente dedicando sus esfuerzos al desarrollo e implementación de la misma y la amplitud de temáticas que tienen sus trabajos. Con la aparición de la Web Semántica, la tendencia de las bases de datos de nueva creación se está empezando a inclinar hacia la creación de ontologías más o menos sencillas que describan las bases de datos y así beneficiarse de las posibilidades de interoperabilidad que aporta. Con el presente trabajo se pretende el estudio de los beneficios que aporta la implementación de una ontología en una base de datos relacional ya creada, los trabajos necesarios para ello y las herramientas necesarias para hacerlo. Para ello se han tomado unos datos de gran interés y, como continuación a su trabajo, se ha implementado la ontología. Estos datos provienen del estudio de un método para la obtención automatizada del linaje de las parcelas registradas en el catastro español. Abstract: In the last years the evolution of the information shared on the Internet has dramatically changed, emerging what is called Semantic Web. This term appeared in 2004, defining a “smarter” way of sharing data. Data that could be understood by machines or by any human around the world. Nowadays, the Semantic Web is in expansion phase, as it can be probed by the amount of research groups working on this approach and the wide thematic range of their work. With the appearance of the Semantic Web, current database technologies are supported by the creation of ontologies which describe them and therefore get a new set of interoperability possibilities from them. This work focuses in the study of the benefits given by the implementation of an ontology in a created relational database, the steps to follow and the tools necessary to get it done. The study has been done by using data of considerable interest, coming from a study of the lineage of parcels registered in the Spanish cadaster. As a continuation of this work an ontology has been implemented.

Diseño, simulación y medida de un amplificador basado en estructura balanceada en la banda de 2000 MHz

El trabajo consistirá en la fabricación de un amplificador en banda 3G pasando por todos los pasos del proceso, desde el análisis y diseño teórico, la simulación circuital y, por último, la fabricación y caracterización del amplificador. Se ha escogido una estructura balanceada, consistente en dos acopladores 3dB 90º colocados en cascada con dos amplificadores conectados entre las salidas del primero y las entradas del segundo, por la considerable ventaja que supone en términos de linealidad de la ganancia y simplicidad en la adaptación. La primera tarea a desarrollar será definir los valores teóricos a emplear en los componentes de la estructura, esto es, la caracterización de los acopladores 3dB 90º, de los transistores BJT y de las posibles etapas de acoplo necesarias para el correcto funcionamiento del mismo. Se comenzará empleando los modelos ideales de los componentes, realizando una primera simulación en MatLab para obtener los valores de los elementos que serán introducidos en el simulador circuital, en este proyecto ADS. Una vez terminada el diseño teórico ideal se procederá a introducir efectos perturbadores en la simulación circuital que representen más adecuadamente el comportamiento real que se encontrará al fabricar el prototipo. Se diseñará mediante simulación circuital (ADS) el amplificador considerando los parámetros circuitales de los componentes considerados (BJT NPN) procedentes de la hoja de especificaciones del fabricante. Una vez diseñado este, se ajustará el diseño del módulo amplificador teniendo en cuenta el comportamiento de las conexiones en microondas. El efecto de estas conexiones se considerará mediante equivalentes circuitales. Con todo esto se analizará el circuito completo, y con estos elementos introducidos se buscará optimizar el diseño teórico inicial para mantener dichos efectos perturbadores centro de un margen aceptable. Proseguirá el trabajo con la fabricación del prototipo, empleando líneas microstrip para los acopladores, y transistores BJT para los amplificadores. Terminada la fabricación se realizará la última tarea del trabajo, consistente en la medida del prototipo en el laboratorio, donde se observará la respuesta en frecuencia en módulo y fase de la estructura, realizando la caracterización en parámetros S del amplificador. Se analizarán los resultados y se compararán estos con el diseño, en caso de existir diferencias entre ambos se intentará encontrar la justificación

Ku band waveguide diplexer design for satellite communication. Implementation by additive manufacturing and experimental characterization

Gran cantidad de servicios de telecomunicación tales como la distribución de televisión o los sistemas de navegación están basados en comunicaciones por satélite. Del mismo modo que ocurre en otras aplicaciones espaciales, existe una serie de recursos clave severamente limitados, tales como la masa o el volumen. En este sentido, uno de los dispositivos pasivos más importantes es el diplexor del sistema de alimentación de la antena. Este dispositivo permite el uso de una única antena tanto para transmitir como para recibir, con la consiguiente optimización de recursos que eso supone. El objetivo principal de este trabajo es diseñar un diplexor que cumpla especificaciones reales de comunicaciones por satélite. El dispositivo consiste en dos estructuras filtrantes unidas por una bifurcación de tres puertas. Además, es imprescindible utilizar tecnología de guía de onda para su implementación debido a los altos niveles de potencia manejados. El diseño del diplexor se lleva a cabo dividiendo la estructura en diversas partes, con el objetivo de que todo el proceso sea factible y eficiente. En primer lugar, se han desarrollado filtros con diferentes respuestas – paso alto, paso bajo y paso banda – aunque únicamente dos de ellos formarán el diplexor. Al afrontar su diseño inicial, se lleva a cabo un proceso de síntesis teórica utilizando modelos circuitales. A continuación, los filtros se optimizan con técnicas de diseño asistido por ordenador (CAD) full-wave, en concreto mode matching. En este punto es esencial analizar las estructuras y su simetría para determinar qué modos electromagnéticos se están propagando realmente por los dispositivos, para así reducir el esfuerzo computacional asociado. Por último, se utiliza el Método de los Elementos Finitos (FEM) para verificar los resultados previamente obtenidos. Una vez que el diseño de los filtros está terminado, se calculan las dimensiones correspondientes a la bifurcación. Finalmente, el diplexor al completo se somete a un proceso de optimización para cumplir las especificaciones eléctricas requeridas. Además, este trabajo presenta un novedoso valor añadido: la implementación física y la caracterización experimental tanto del diplexor como de los filtros por separado. Esta posibilidad, impracticable hasta ahora debido a su elevado coste, se deriva del desarrollo de las técnicas de manufacturación aditiva. Los prototipos se imprimen en plástico (PLA) utilizando una impresora 3D de bajo coste y posteriormente se metalizan. El uso de esta tecnología conlleva dos limitaciones: la precisión de las dimensiones geométricas (±0.2 mm) y la conductividad de la pintura metálica que recubre las paredes internas de las guías de onda. En este trabajo se incluye una comparación entre los valores medidos y simulados, así como un análisis de los resultados experimentales. En resumen, este trabajo presenta un proceso real de ingeniería: el problema de diseñar un dispositivo que satisfaga especificaciones reales, las limitaciones causadas por el proceso de fabricación, la posterior caracterización experimental y la obtención de conclusiones.

CMOS integration of AlN based piezoelectric microcantilevers

El gran crecimiento de los sistemas MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) así como su presencia en la mayoría de los dispositivos que usamos diariamente despertó nuestro interés. Paralelamente, la tecnología CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) es la tecnología más utilizada para la fabricación de circuitos integrados. Además de ventajas relacionadas con el funcionamiento electrónico del dispositivo final, la integración de sistemas MEMS en la tecnología CMOS reduce significantemente los costes de fabricación. Algunos de los dispositivos MEMS con mayor variedad de aplicaciones son los microflejes. Estos dispositivos pueden ser utilizados para la extracción de energía, en microscopios de fuerza atómica o en sensores, como por ejemplo, para biodetección. Los materiales piezoeléctricos más comúnmente utilizados en aplicaciones MEMS se sintetizan a altas temperaturas y por lo tanto no son compatibles con la tecnología CMOS. En nuestro caso hemos usado nitruro de alumino (AlN), que se deposita a temperatura ambiente y es compatible con la tecnología CMOS. Además, es biocompatible, y por tanto podría formar parte de un dispositivo que actúe como biosensor. A lo largo de esta tesis hemos prestado especial atención en desarrollar un proceso de fabricación rápido, reproducible y de bajo coste. Para ello, todos los pasos de fabricación han sido minuciosamente optimizados. Los parámetros de sputtering para depositar el AlN, las distintas técnicas y recetas de ataque, los materiales que actúan como electrodos o las capas sacrificiales para liberar los flejes son algunos de los factores clave estudiados en este trabajo. Una vez que la fabricación de los microflejes de AlN ha sido optimizada, fueron medidos para caracterizar sus propiedades piezoeléctricas y finalmente verificar positivamente su viabilidad como dispositivos piezoeléctricos. ABSTRACT The huge growth of MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) as well as their presence in most of our daily used devices aroused our interest on them. At the same time, CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) technology is the most popular technology for integrated circuits. In addition to advantages related with the electronics operation of the final device, the integration of MEMS with CMOS technology reduces the manufacturing costs significantly. Some of the MEMS devices with a wider variety of applications are the microcantilevers. These devices can be used for energy harvesting, in an atomic force microscopes or as sensors, as for example, for biodetection. Most of the piezoelectric materials used for these MEMS applications are synthesized at high temperature and consequently are not compatible with CMOS technology. In our case we have used aluminum nitride (AlN), which is deposited at room temperature and hence fully compatible with CMOS technology. Otherwise, it is biocompatible and and can be used to compose a biosensing device. During this thesis work we have specially focused our attention in developing a high throughput, reproducible and low cost fabrication process. All the manufacturing process steps of have been thoroughly optimized in order to achieve this goal. Sputtering parameters to synthesize AlN, different techniques and etching recipes, electrode material and sacrificial layers are some of the key factors studied in this work to develop the manufacturing process. Once the AlN microcantilevers fabrication was optimized, they were measured to characterize their piezoelectric properties and to successfully check their viability as piezoelectric devices.

Design and Simulation of Deep Nanometer SRAM Cells under Energy, Mismatch, and Radiation Constraints

La fiabilidad está pasando a ser el principal problema de los circuitos integrados según la tecnología desciende por debajo de los 22nm. Pequeñas imperfecciones en la fabricación de los dispositivos dan lugar ahora a importantes diferencias aleatorias en sus características eléctricas, que han de ser tenidas en cuenta durante la fase de diseño. Los nuevos procesos y materiales requeridos para la fabricación de dispositivos de dimensiones tan reducidas están dando lugar a diferentes efectos que resultan finalmente en un incremento del consumo estático, o una mayor vulnerabilidad frente a radiación. Las memorias SRAM son ya la parte más vulnerable de un sistema electrónico, no solo por representar más de la mitad del área de los SoCs y microprocesadores actuales, sino también porque las variaciones de proceso les afectan de forma crítica, donde el fallo de una única célula afecta a la memoria entera. Esta tesis aborda los diferentes retos que presenta el diseño de memorias SRAM en las tecnologías más pequeñas. En un escenario de aumento de la variabilidad, se consideran problemas como el consumo de energía, el diseño teniendo en cuenta efectos de la tecnología a bajo nivel o el endurecimiento frente a radiación. En primer lugar, dado el aumento de la variabilidad de los dispositivos pertenecientes a los nodos tecnológicos más pequeños, así como a la aparición de nuevas fuentes de variabilidad por la inclusión de nuevos dispositivos y la reducción de sus dimensiones, la precisión del modelado de dicha variabilidad es crucial. Se propone en la tesis extender el método de inyectores, que modela la variabilidad a nivel de circuito, abstrayendo sus causas físicas, añadiendo dos nuevas fuentes para modelar la pendiente sub-umbral y el DIBL, de creciente importancia en la tecnología FinFET. Los dos nuevos inyectores propuestos incrementan la exactitud de figuras de mérito a diferentes niveles de abstracción del diseño electrónico: a nivel de transistor, de puerta y de circuito. El error cuadrático medio al simular métricas de estabilidad y prestaciones de células SRAM se reduce un mínimo de 1,5 veces y hasta un máximo de 7,5 a la vez que la estimación de la probabilidad de fallo se mejora en varios ordenes de magnitud. El diseño para bajo consumo es una de las principales aplicaciones actuales dada la creciente importancia de los dispositivos móviles dependientes de baterías. Es igualmente necesario debido a las importantes densidades de potencia en los sistemas actuales, con el fin de reducir su disipación térmica y sus consecuencias en cuanto al envejecimiento. El método tradicional de reducir la tensión de alimentación para reducir el consumo es problemático en el caso de las memorias SRAM dado el creciente impacto de la variabilidad a bajas tensiones. Se propone el diseño de una célula que usa valores negativos en la bit-line para reducir los fallos de escritura según se reduce la tensión de alimentación principal. A pesar de usar una segunda fuente de alimentación para la tensión negativa en la bit-line, el diseño propuesto consigue reducir el consumo hasta en un 20 % comparado con una célula convencional. Una nueva métrica, el hold trip point se ha propuesto para prevenir nuevos tipos de fallo debidos al uso de tensiones negativas, así como un método alternativo para estimar la velocidad de lectura, reduciendo el número de simulaciones necesarias. Según continúa la reducción del tamaño de los dispositivos electrónicos, se incluyen nuevos mecanismos que permiten facilitar el proceso de fabricación, o alcanzar las prestaciones requeridas para cada nueva generación tecnológica. Se puede citar como ejemplo el estrés compresivo o extensivo aplicado a los fins en tecnologías FinFET, que altera la movilidad de los transistores fabricados a partir de dichos fins. Los efectos de estos mecanismos dependen mucho del layout, la posición de unos transistores afecta a los transistores colindantes y pudiendo ser el efecto diferente en diferentes tipos de transistores. Se propone el uso de una célula SRAM complementaria que utiliza dispositivos pMOS en los transistores de paso, así reduciendo la longitud de los fins de los transistores nMOS y alargando los de los pMOS, extendiéndolos a las células vecinas y hasta los límites de la matriz de células. Considerando los efectos del STI y estresores de SiGe, el diseño propuesto mejora los dos tipos de transistores, mejorando las prestaciones de la célula SRAM complementaria en más de un 10% para una misma probabilidad de fallo y un mismo consumo estático, sin que se requiera aumentar el área. Finalmente, la radiación ha sido un problema recurrente en la electrónica para aplicaciones espaciales, pero la reducción de las corrientes y tensiones de los dispositivos actuales los está volviendo vulnerables al ruido generado por radiación, incluso a nivel de suelo. Pese a que tecnologías como SOI o FinFET reducen la cantidad de energía colectada por el circuito durante el impacto de una partícula, las importantes variaciones de proceso en los nodos más pequeños va a afectar su inmunidad frente a la radiación. Se demuestra que los errores inducidos por radiación pueden aumentar hasta en un 40 % en el nodo de 7nm cuando se consideran las variaciones de proceso, comparado con el caso nominal. Este incremento es de una magnitud mayor que la mejora obtenida mediante el diseño de células de memoria específicamente endurecidas frente a radiación, sugiriendo que la reducción de la variabilidad representaría una mayor mejora. ABSTRACT Reliability is becoming the main concern on integrated circuit as the technology goes beyond 22nm. Small imperfections in the device manufacturing result now in important random differences of the devices at electrical level which must be dealt with during the design. New processes and materials, required to allow the fabrication of the extremely short devices, are making new effects appear resulting ultimately on increased static power consumption, or higher vulnerability to radiation SRAMs have become the most vulnerable part of electronic systems, not only they account for more than half of the chip area of nowadays SoCs and microprocessors, but they are critical as soon as different variation sources are regarded, with failures in a single cell making the whole memory fail. This thesis addresses the different challenges that SRAM design has in the smallest technologies. In a common scenario of increasing variability, issues like energy consumption, design aware of the technology and radiation hardening are considered. First, given the increasing magnitude of device variability in the smallest nodes, as well as new sources of variability appearing as a consequence of new devices and shortened lengths, an accurate modeling of the variability is crucial. We propose to extend the injectors method that models variability at circuit level, abstracting its physical sources, to better model sub-threshold slope and drain induced barrier lowering that are gaining importance in FinFET technology. The two new proposed injectors bring an increased accuracy of figures of merit at different abstraction levels of electronic design, at transistor, gate and circuit levels. The mean square error estimating performance and stability metrics of SRAM cells is reduced by at least 1.5 and up to 7.5 while the yield estimation is improved by orders of magnitude. Low power design is a major constraint given the high-growing market of mobile devices that run on battery. It is also relevant because of the increased power densities of nowadays systems, in order to reduce the thermal dissipation and its impact on aging. The traditional approach of reducing the voltage to lower the energy consumption if challenging in the case of SRAMs given the increased impact of process variations at low voltage supplies. We propose a cell design that makes use of negative bit-line write-assist to overcome write failures as the main supply voltage is lowered. Despite using a second power source for the negative bit-line, the design achieves an energy reduction up to 20% compared to a conventional cell. A new metric, the hold trip point has been introduced to deal with new sources of failures to cells using a negative bit-line voltage, as well as an alternative method to estimate cell speed, requiring less simulations. With the continuous reduction of device sizes, new mechanisms need to be included to ease the fabrication process and to meet the performance targets of the successive nodes. As example we can consider the compressive or tensile strains included in FinFET technology, that alter the mobility of the transistors made out of the concerned fins. The effects of these mechanisms are very dependent on the layout, with transistor being affected by their neighbors, and different types of transistors being affected in a different way. We propose to use complementary SRAM cells with pMOS pass-gates in order to reduce the fin length of nMOS devices and achieve long uncut fins for the pMOS devices when the cell is included in its corresponding array. Once Shallow Trench isolation and SiGe stressors are considered the proposed design improves both kinds of transistor, boosting the performance of complementary SRAM cells by more than 10% for a same failure probability and static power consumption, with no area overhead. While radiation has been a traditional concern in space electronics, the small currents and voltages used in the latest nodes are making them more vulnerable to radiation-induced transient noise, even at ground level. Even if SOI or FinFET technologies reduce the amount of energy transferred from the striking particle to the circuit, the important process variation that the smallest nodes will present will affect their radiation hardening capabilities. We demonstrate that process variations can increase the radiation-induced error rate by up to 40% in the 7nm node compared to the nominal case. This increase is higher than the improvement achieved by radiation-hardened cells suggesting that the reduction of process variations would bring a higher improvement.