989 resultados para Solano de Luque, Francisco
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Sign.: []1, [parágrafo]4, A-Z4, 2A-2Z4, 3A-3X4, *-3*2, 4*1
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Sign.: [calderón]8, A-P8
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Arsenic alloying is observed for epitaxial layers nominally intended to be In0.75Ga0.25N. Voids form beneath their interfaces with GaAs substrates, acting as sources of Ga + As out-diffusion into the growing epilayers. As a result, heteroepitaxial single-phase quaternary InxGa1-xAsyN1-y, films are formed with x similar to 0.55 and 0.05 menor que y menor que 0,10. While an undoped epilayer retains the wurtzite structure, a Mn-doped sample showed randomly spaced dopant segregations, which, together with a slightly higher As concentration, led to a transformation from the hexagonal to the twinned cubic phase.
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El nombre del autor está sacado del texto
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Ded. autógr. del prologuista
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Digitalización Vitoria-Gasteiz Archivos y Bibliotecas Diciembre 1994 18-136
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En el primer tomo no aparece la fecha de publicación
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Litografía en color de A. Morales de los Ríos e impresa en Barcelona por Vda e Hijos de Labielle
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Tít. del lomo: Repertorio bibliográfico de las ediciones de Suárez.
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Catálogo Fondo Urquijo 491
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[3a ed.]
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Indice a dos col.
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Ed. de lujo / bajo la dirección de José Vallejo