Gestão do conhecimento aplicada ao processo de desenvolvimento de software : estudo de caso da Câmara dos Deputados

Reporta resultados da aplicação de princípios da gestão do conhecimento na condução de um projeto de definição, modelagem e implementação de processo de desenvolvimento de software, no contexto de uma organização do setor público. O processo resultante, denominado SIGA-ME, se mostrou capaz de harmonizar práticas variadas, integrar processos técnicos de TI e formalizar papeis e responsabilidades dos participantes envolvidos. Estão relatadas neste trabalho as principais dificuldades encontradas e lições aprendidas registradas ao longo do trabalho, que adotou como estratégia o levantamento dos pontos de interesse das áreas envolvidas, a validação de práticas em projetos reais, o desenho do processo através da notação BPMN e a utilização do MediaWiki como ferramenta de comunicação, colaboração e compartilhamento de conhecimento.

Estudio comparativo del láser escáner aplicado a patrimonio

[ES] Este proyecto se ha realizado a partir de los datos del siguiente proyecto de documentación geométrica, desde donde pueden encontrarse enlaces adicionales a otros documentos relacionados:

Aprendizaje basado en proyectos aplicado a la asignatura Ingeniería del software : guía del docente y guía del estudiante

Este informe recoge las guías del docente y del estudiante para la puesta en marcha, seguimiento continuo y evaluación de la asignatura Ingeniería del Software del segundo curso del Grado en Ingeniería Informática. Todo ello basado en metodologías activas, concretamente la metodología de Aprendizaje Basado en Proyectos (ABP, o PBL de Project Based Learning). El trabajo publicado en este informe es el resultado obtenido por los autores dentro del programa de formación del profesorado en metodologías activas (ERAGIN), auspiciado por el Vicerrectorado de Calidad e Innovación Docente de la Universidad del País Vasco (UPV/EHU).

Implantar un Sistema de Gestion Integral en Software libre

El proyecto de fin de carrera “Implantar un Sistema de Gestión Integral en Software libre” se ha desarrollado en la empresa Avanzosc con sede en Azkoitia. Una peculiaridad del proyecto es que a su vez se ha utilizado como cliente otra empresa, q2K, Soluciones Informáticas en Gestión Estratégica. El objetivo del proyecto es implantar en q2K un sistema de planificación de recursos empresariales (ERP, Enterprise Resource Planning), esto le permite reunir en una única aplicación todos los procesos de negocio de la empresa. La implantación de un ERP requiere de una importante inversión ya que el coste de la licencia de un sistema ERP propietario es elevado. Una interesante alternativa para evitar este desembolso es optar por un de ERP de software libre con todas las ventajas de configuración y personalización. En nuestro caso se ha adoptado OpenERP que es un software integral, modular y adaptable, adecuado para pequeñas y medianas empresas. El desarrollo del proyecto ha estado supervisado por el equipo de trabajo de Avanzosc, empresa líder en España en implantación de OpenErp, siguiendo la metodología de trabajo propia de esta empresa.

3D geolokalizazioa androidetan

Karrera amaierako proiektu honetan telefono mugikor aurreratuentzako aplikazio grafiko bat garatu da. Aplikazioak mendizaleei lainoa dagoenean orientatzen lagundu nahi die, ikuspen ezagatik galdu ez daitezen. Hori lortzeko, erabiltzailearen inguruan dagoen paisaia hiru dimentsiotan pantailaratuko da. Non kokatuta dagoen jakiteko GPS sistema atzitzen da. Erabiltzaileak aurrera egiten duen heinean marraztutako ingurunea eguneratzen da. Orientatzen laguntzeko, begiratzen ari den norantzan dagoen lurrazala bakarrik marraztuko zaio mendizaleari.

3D Finite Volume Scheme for Czochralski Crystal Growth

A general three-dimensional model is developed for simulation of the growth process of silicon single crystals by Czochralski technique. The numerical scheme is based on the curvilinear non-orthogonal finite volume discretization. Numerical solutions show that the flow and temperature fields in the melt are asymmetric and unsteady for 8’’ silicon growth. The effects of rotation of crystal on the flow structure are studied. The rotation of crystal forms the Ekman layer in which the temperature gradient along solid/melt surface is small.

3D Finite Volume Scheme for Czochralski Single Crystal Growth

Czochralski (Cz) technique, which is used for growing single crystals, has dominated the production of single crystals for electronic applications. The Cz growth process involves multiple phases, moving interface and three-dimensional behavior. Much has been done to study these phenomena by means of numerical methods as well as experimental observations. A three-dimensional curvilinear finite volume based algorithm has been developed to model the Cz process. A body-fitted transformation based approach is adopted in conjunction with a multizone adaptive grid generation (MAGG) technique to accurately handle the three-dimensional problems of phase-change in irregular geometries with free and moving surfaces. The multizone adaptive model is used to perform a three-dimensional simulation of the Cz growth of silicon single crystals.Since the phase change interface are irregular in shape and they move in response to the solution, accurate treatment of these interfaces is important from numerical accuracy point of view. The multizone adaptive grid generation (MAGG) is the appropriate scheme for this purpose. Another challenge encountered is the moving and periodic boundary conditions, which is essential to the numerical solution of the governing equations. Special treatments are implemented to impose the periodic boundary condition in a particular direction and to determine the internal boundary position and shape varying with the combination of ambient physicochemical transport process and interfacial dynamics. As indicated above that the applications and processes characterized by multi-phase, moving interfaces and irregular shape render the associated physical phenomena three-dimensional and unsteady. Therefore a generalized 3D model rather than a 2D simulation, in which the governing equations are solved in a general non-orthogonal coordinate system, is constructed to describe and capture the features of the growth process. All this has been implemented and validated by using it to model the low pressure Cz growth of silicon. Accuracy of this scheme is demonstrated by agreement of simulation data with available experimental data. Using the quasi-steady state approximation, it is shown that the flow and temperature fields in the melt under certain operating conditions become asymmetric and unsteady even in the absence of extrinsic sources of asymmetry. Asymmetry in the flow and temperature fields, caused by high shear initiated phenomena, affects the interface shape in the azimuthal direction thus results in the thermal stress distribution in the vicinity, which has serious implications from crystal quality point of view.