Modification and Analysis of Group-13-Nitride Semiconductor Surfaces: Influence of Adsorbates on Device Characteristics and Processing

Im Rahmen dieser interdisziplinären Doktorarbeit wird eine (Al)GaN Halbleiteroberflächenmodifikation untersucht, mit dem Ziel eine verbesserte Grenzfläche zwischen dem Material und dem Dielektrikum zu erzeugen. Aufgrund von Oberflächenzuständen zeigen GaN basierte HEMT Strukturen üblicherweise große Einsatzspannungsverschiebungen. Bisher wurden zur Grenzflächenmodifikation besonders die Entfernung von Verunreinigungen wie Sauerstoff oder Kohlenstoff analysiert. Die nasschemischen Oberflächenbehandlungen werden vor der Abscheidung des Dielektrikums durchgeführt, wobei die Kontaminationen jedoch nicht vollständig entfernt werden können. In dieser Arbeit werden Modifikationen der Oberfläche in wässrigen Lösungen, in Gasen sowie in Plasma analysiert. Detaillierte Untersuchungen zeigen, dass die inerte (0001) c-Ebene der Oberfläche kaum reagiert, sondern hauptsächlich die weniger polaren r- und m- Ebenen. Dies kann deutlich beim Defektätzen sowie bei der thermischen Oxidation beobachtet werden. Einen weiteren Ansatz zur Oberflächenmodifikation stellen Plasmabehandlungen dar. Hierbei wird die Oberflächenterminierung durch eine nukleophile Substitution mit Lewis Basen, wie Fluorid, Chlorid oder Oxid verändert, wodurch sich die Elektronegativitätsdifferenz zwischen dem Metall und dem Anion im Vergleich zur Metall-Stickstoff Bindung erhöht. Dies führt gleichzeitig zu einer Erhöhung der Potentialdifferenz des Schottky Kontakts. Sauerstoff oder Fluor besitzen die nötige thermische Stabilität um während einer Silicium-nitridabscheidung an der (Al)GaN Oberfläche zu bleiben. Sauerstoffvariationen an der Oberfläche werden in NH3 bei 700°C, welches die nötigen Bedingungen für die Abscheidung darstellen, immer zu etwa 6-8% reduziert – solche Grenzflächen zeigen deswegen auch keine veränderten Ergebnisse in Einsatzspannungsuntersuchungen. Im Gegensatz dazu zeigt die fluorierte Oberfläche ein völlig neues elektrisches Verhalten: ein neuer dominanter Oberflächendonator mit einem schnellen Trapping und Detrapping Verhalten wird gefunden. Das Energieniveau dieses neuen, stabilen Donators liegt um ca. 0,5 eV tiefer in der Bandlücke als die ursprünglichen Energieniveaus der Oberflächenzustände. Physikalisch-chemische Oberflächen- und Grenzflächenuntersuchung mit XPS, AES oder SIMS erlauben keine eindeutige Schlussfolgerung, ob das Fluor nach der Si3N4 Abscheidung tatsächlich noch an der Grenzfläche vorhanden ist, oder einfach eine stabilere Oberflächenrekonstruktion induziert wurde, bei welcher es selbst nicht beteiligt ist. In beiden Fällen ist der neue Donator in einer Konzentration von 4x1013 at/cm-2 vorhanden. Diese Dichte entspricht einer Oberflächenkonzentration von etwa 1%, was genau an der Nachweisgrenze der spektroskopischen Methoden liegt. Jedoch werden die elektrischen Oberflächeneigenschaften durch die Oberflächenmodifikation deutlich verändert und ermöglichen eine potentiell weiter optimierbare Grenzfläche.

I Congreso de Estudios Asturianos : Oviedo, del 10 al 13 de mayo de 2006.

Esta publicación recoge las comunicaciones y ponencias presentadas al I Congreso de Estudios Asturianos celebrado en Oviedo con motivo del sexagésimo aniversario del Real Instituto de Estudios Asturianos. Desde una perspectiva multidisciplinar se indaga en los ámbitos más diversos del pasado y del presente de la sociedad asturiana. En el primer tomo se reúnen los trabajos sobre Lingüística, Literatura y Tradiciones; en los tomos segundo, tercero y cuarto, los de Historia, Geografía, Antropología, Folclore y Etnografía; en el tomo quinto, los de Artes, Arquitectura y Urbanismo; en el sexto, los de Ciencias de la Naturaleza y Tecnología, y finalmente, en el tomo séptimo, aquéllos que se refieren al campo científico del Derecho, las Ciencias Sociales y Económicas.

Diferencias en producción verbal escrita en niños de 11 a 13 años en Andalucía Oriental.

Determinación del vocabulario básico escrito de los alumnos de ciclo superior de EGB en función de las variables edad, sexo, clase social y zona de habitat. Centros de Andalucía Oriental. Se seleccionan en función de las siguientes variables de estratificación: edad, zona de habitat, provincias y total de estratos. Las pruebas se pasaban en tiempo de clase, con instrucciones verbales, recogiendo posteriormente los conceptos bajo una clasificación gramatical. Test de asociación libre de palabras, test libre, cuestionario para determinar la clase social. ANOVA. Al incrementarse la edad se incrementa también el número de palabras escritas. El factor sexo presenta un comportamiento diferente en el uso de adverbios y pronombres. Desmienten la creencia de mayor fluidez verbal en el sexo femenino (al menos en producción escrita). No existen diferncias significativas por la zona de habitat. En clase social hay diferncias sobre todo entre la clase media y baja. Ofrecen un vocabulario usual y básico para los niveles de escolarización obligatoria en Andalucia Oriental. Tiene aplicación en la enseñanza del idioma a extranjeros y en entrenamiento a hipoacúsicos y sordos. Sugerencias para adquirir un dominio del lenguaje.

III Congreso ibérico sobre gestión y planificación del agua. La directiva marco del agua: realidades y futuros. Sevilla, del 13 al 17 de noviembre de 2002

Entre els dies 13 i 17 de novembre de 2002 va tenir lloc a la ciutat de Sevilla el III Congrés Ibèric sobre Gestió i Planificació de l’Aigua, que, en aquesta ocasió, portava per títol «La Directiva Marc de l’Aigua: realitats i futurs». El congrés fou organitzat per la Fundación Nueva Cultura del Agua, amb la col•laboració de la Universidad de Sevilla i d’una àmplia sèrie d’institucions relacionades amb la investigació o gestió d’aquest recurs. Considerant l’anàlisi i la diagnosi de la situació actual contingudes a les edicions anteriors (Saragossa 1998 i Porto 2000) i l’ampli debat dels últims anys, el III Congrés Ibèric es caracteritza per un plantejament d’avenç i propostes i per incloure alguns dels aspectes de la política de l’aigua menys atesos fins aleshores