Indényles greffés d'un bras moléculaire fonctionnalisé comme ligands hémilabiles de nouveaux catalyseurs de nickel(II)

Thèse numérisée par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Effets du cuivre (II) sur le transport à haute affinité du glutamate dans des astrocytes en culture : proposition d'un mécanisme physiopathologique de la maladie de Wilson

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Études du ciblage intracellulaire des molécules non classiques du complexe majeur d'histocompatibilité de classe II

Thèse numérisée par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Ubiquitination et ciblage des molécules du complexe majeur d'histocompatibilité de classe-II aux exosomes

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Indényles greffés d'un bras moléculaire fonctionnalisé comme ligands hémilabiles de nouveaux catalyseurs de nickel(II)

Thèse numérisée par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Effets du cuivre (II) sur le transport à haute affinité du glutamate dans des astrocytes en culture : proposition d'un mécanisme physiopathologique de la maladie de Wilson

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Études du ciblage intracellulaire des molécules non classiques du complexe majeur d'histocompatibilité de classe II

Thèse numérisée par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Ubiquitination et ciblage des molécules du complexe majeur d'histocompatibilité de classe-II aux exosomes

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

El dinero fuente de pecados en el Inferno de Dante y en la traducción de Pedro Fernández de Villegas (Burgos, 1515)

El trabajo se centra en el análisis de los pecados relacionados con el dinero en el Inferno de Dante y en la primera traducción castellana de la primera cantiga de la Commedia, obra del arcediano de Burgos Pedro Fernández de Villegas. La traducción, compuesta en coplas de arte mayor y acompañada de un enciclopédico comentario, se publicó en 1515. Particular atención se dedica a la reflexión sobre el problema del mal uso del dinero que Villegas desarrolla en la glosa de los cantos en que con más vigor se levanta la voz de Dante para denunciar la gravedad del pecado de la sed de riquezas. Se analiza la postura del traductor español ante el tema comparándola no sólo con la de Dante sino también con la de Cristoforo Landino, autor del Comento sopra la Comedia, obra exégetica que se publicó por primera vez en Florencia en 1481 y que representó el punto de referencia privilegiado de Villegas.

Comprendre et maîtriser le passage de type I à type II de puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur substrat de GaSb

Les antimoniures sont des semi-conducteurs III-V prometteurs pour le développement de dispositifs optoélectroniques puisqu'ils ont une grande mobilité d'électrons, une large gamme spectrale d'émission ou de détection et offrent la possibilité de former des hétérostructures confinées dont la recombinaison est de type I, II ou III. Bien qu'il existe plusieurs publications sur la fabrication de dispositifs utilisant un alliage d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) qui émet ou détecte à une certaine longueur d'onde, les détails, à savoir comment sont déterminés les compositions et surtout les alignements de bande, sont rarement explicites. Très peu d'études fondamentales sur l'incorporation d'indium et d'arsenic sous forme de tétramères lors de l'épitaxie par jets moléculaires existent, et les méthodes afin de déterminer l'alignement des bandes des binaires qui composent ces alliages donnent des résultats variables. Un modèle a été construit et a permis de prédire l'alignement des bandes énergétiques des alliages d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) avec celles du GaSb pour l'ensemble des compositions possibles. Ce modèle tient compte des effets thermiques, des contraintes élastiques et peut aussi inclure le confinement pour des puits quantiques. De cette manière, il est possible de prédire la transition de type de recombinaison en fonction de la composition. Il est aussi montré que l'indium ségrègue en surface lors de la croissance par épitaxie par jets moléculaires d'In(x)Ga(1-x)Sb sur GaSb, ce qui avait déjà été observé pour ce type de matériau. Il est possible d'éliminer le gradient de composition à cette interface en mouillant la surface d'indium avant la croissance de l'alliage. L'épaisseur d'indium en surface dépend de la température et peut être évaluée par un modèle simple simulant la ségrégation. Dans le cas d'un puits quantique, il y aura une seconde interface GaSb sur In(x)Ga(1-x)Sb où l'indium de surface ira s'incorporer. La croissance de quelques monocouches de GaSb à basse température immédiatement après la croissance de l'alliage permet d'incorporer rapidement ces atomes d'indium et de garder la seconde interface abrupte. Lorsque la composition d'indium ne change plus dans la couche, cette composition correspond au rapport de flux d'atomes d'indium sur celui des éléments III. L'arsenic, dont la source fournit principalement des tétramères, ne s'incorpore pas de la même manière. Les tétramères occupent deux sites en surface et doivent interagir par paire afin de créer des dimères d'arsenic. Ces derniers pourront alors être incorporés dans l'alliage. Un modèle de cinétique de surface a été élaboré afin de rendre compte de la diminution d'incorporation d'arsenic en augmentant le rapport V/III pour une composition nominale d'arsenic fixe dans l'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y). Ce résultat s'explique par le fait que les réactions de deuxième ordre dans la décomposition des tétramères d'arsenic ralentissent considérablement la réaction d'incorporation et permettent à l'antimoine d'occuper majoritairement la surface. Cette observation montre qu'il est préférable d'utiliser une source de dimères d'arsenic, plutôt que de tétramères, afin de mieux contrôler la composition d'arsenic dans la couche. Des puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur GaSb ont été fabriqués et caractérisés optiquement afin d'observer le passage de recombinaison de type I à type II. Cependant, celui-ci n'a pas pu être observé puisque les spectres étaient dominés par un niveau énergétique dans le GaSb dont la source n'a pu être identifiée. Un problème dans la source de gallium pourrait être à l'origine de ce défaut et la résolution de ce problème est essentielle à la continuité de ces travaux.

La fortuna de la "Artificiosa memoria sive Phoenix" de Pedro de Rávena: entre el éxito y la retractatio

La Artificiosa memoria siue Phoenix de Pedro de Rávena tuvo una amplia difusión en la Europa del siglo XVI. Dos son las claves de su éxito: la fama de ilustre memorioso que consiguió forjarse con sus exhibiciones de memoria y el uso de las emociones en la formulación de reglas mnemotécnicas basadas en el humor y el erotismo. Sin embargo, poco antes de morir, en 1508, publicó unas breves Additiones quaedam ad artificiosam memoriam en las que añade algunas reglas nuevas y, sobre todo, renuncia a la norma que aconseja usar la imagen de jóvenes hermosas para elaborar escenas mnemotécnicas. Esta suerte de retractatio se explica en el contexto de la polémica mantenida con algunos teólogos de Colonia

La lunga diacronia di un sito archeologico toscano: il complesso di Pava (Siena) dal II al XIII sec. d.C.

The paper is centred on southern Tuscany on the archaeological complex of Pieve di Pava where archaeological research have been conducted since the 2000 by the University of Siena. The parish church is first mentioned as the baptisterium Sancti Petri in Pava in a document of AD 715 part of a long dispute between the bishop of Siena and the bishop of Arezzo. But the archaeological excavation revealed a longer history of the site that start from the Roman period with a villa dated between the second to the fourth century BC. The villa continued to grow in Late Antiquity since it was transformed by a church. The paper is centred on these fluctuations of the site and on the implications of the transformations on the landscape. One of the stronger element of the Pava site, in addition to the very particular plan of the early church (built with two opposing apses) was the huge cemetery around the church that was used from the seventh century BC until the Middle Ages. The 900 excavated graves make this one of the largest and most long-lasting late-Roman to medieval cemeteries excavated in Europe.

Comprendre et maîtriser le passage de type I à type II de puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur substrat de GaSb

Les antimoniures sont des semi-conducteurs III-V prometteurs pour le développement de dispositifs optoélectroniques puisqu'ils ont une grande mobilité d'électrons, une large gamme spectrale d'émission ou de détection et offrent la possibilité de former des hétérostructures confinées dont la recombinaison est de type I, II ou III. Bien qu'il existe plusieurs publications sur la fabrication de dispositifs utilisant un alliage d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) qui émet ou détecte à une certaine longueur d'onde, les détails, à savoir comment sont déterminés les compositions et surtout les alignements de bande, sont rarement explicites. Très peu d'études fondamentales sur l'incorporation d'indium et d'arsenic sous forme de tétramères lors de l'épitaxie par jets moléculaires existent, et les méthodes afin de déterminer l'alignement des bandes des binaires qui composent ces alliages donnent des résultats variables. Un modèle a été construit et a permis de prédire l'alignement des bandes énergétiques des alliages d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) avec celles du GaSb pour l'ensemble des compositions possibles. Ce modèle tient compte des effets thermiques, des contraintes élastiques et peut aussi inclure le confinement pour des puits quantiques. De cette manière, il est possible de prédire la transition de type de recombinaison en fonction de la composition. Il est aussi montré que l'indium ségrègue en surface lors de la croissance par épitaxie par jets moléculaires d'In(x)Ga(1-x)Sb sur GaSb, ce qui avait déjà été observé pour ce type de matériau. Il est possible d'éliminer le gradient de composition à cette interface en mouillant la surface d'indium avant la croissance de l'alliage. L'épaisseur d'indium en surface dépend de la température et peut être évaluée par un modèle simple simulant la ségrégation. Dans le cas d'un puits quantique, il y aura une seconde interface GaSb sur In(x)Ga(1-x)Sb où l'indium de surface ira s'incorporer. La croissance de quelques monocouches de GaSb à basse température immédiatement après la croissance de l'alliage permet d'incorporer rapidement ces atomes d'indium et de garder la seconde interface abrupte. Lorsque la composition d'indium ne change plus dans la couche, cette composition correspond au rapport de flux d'atomes d'indium sur celui des éléments III. L'arsenic, dont la source fournit principalement des tétramères, ne s'incorpore pas de la même manière. Les tétramères occupent deux sites en surface et doivent interagir par paire afin de créer des dimères d'arsenic. Ces derniers pourront alors être incorporés dans l'alliage. Un modèle de cinétique de surface a été élaboré afin de rendre compte de la diminution d'incorporation d'arsenic en augmentant le rapport V/III pour une composition nominale d'arsenic fixe dans l'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y). Ce résultat s'explique par le fait que les réactions de deuxième ordre dans la décomposition des tétramères d'arsenic ralentissent considérablement la réaction d'incorporation et permettent à l'antimoine d'occuper majoritairement la surface. Cette observation montre qu'il est préférable d'utiliser une source de dimères d'arsenic, plutôt que de tétramères, afin de mieux contrôler la composition d'arsenic dans la couche. Des puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur GaSb ont été fabriqués et caractérisés optiquement afin d'observer le passage de recombinaison de type I à type II. Cependant, celui-ci n'a pas pu être observé puisque les spectres étaient dominés par un niveau énergétique dans le GaSb dont la source n'a pu être identifiée. Un problème dans la source de gallium pourrait être à l'origine de ce défaut et la résolution de ce problème est essentielle à la continuité de ces travaux.