997 resultados para AB-INITIO


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Os nanotubos de carbono e nitreto de boro são nano estruturas unidimensionais que apresentam comportamento tanto metálico quanto semicondutor, dependendo da sua quiralidade, exceto para os nanotubos de nitreto de boro que apresentam sempre características semicondutoras, caso não estejam dopados. Devido suas características eletrônicas, os nanotubos apresentam grandes possibilidades de aplicação em dispositivos de nanoeletrônica, tais como nanodiodos, nanotransistores e como elementos de interconexão, dentre outros. Por esta razão, é importante compreender como fatores externos agem sobre as propriedades de tais materiais. Um desses fatores externos é a introdução de defeitos nos nanotubos. Tais defeitos são a ausência de um ou mais átomos de carbono, pertencente ao nanotubo de carbono e, de nitrogênio ou boro, para os nanotubos de nitreto de boro, ou ainda, a substituição de átomos de carbono, nitrogênio ou boro por diferentes átomos na estrutura dos correspondentes nanotubos. Este trabalho apresenta um estudo teórico dos efeitos da introdução de defeitos, por substituição, nas propriedades eletrônicas dos nanotubos de carbono e nitreto de boro, via simulação ab-initio. Avaliam-se as estruturas de banda de energia e densidade de estados de nanotubos de carbono semicondutores e metálicos tipos armchair e zig-zag e apenas do tipo armchair para os nanotubos de nitreto de boro usando o método LACW – método das ondas cilíndricas linearizadas aumentadas. Além disso, devido a crescente importância dos nanotubos de nitreto de boro, fazemos um estudo sistematizado da estrutura eletrônica desses nanotubos, para uma supercélula formada por três células unitárias, usando dopagem intrínseca, bem como uma análise quantitativa, baseada na energia total e banda proibida, de estabilidade dessas estruturas.

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Pós-graduação em Química - IQ

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Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

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Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

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Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

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Wurtzite-structured ZnS nanostructures have been synthesized by means of a microwave-solvothermal method at 140°C using three precursors (chloride, nitrate and acetate). Different techniques such as X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), Fourier transform infrared (FT-IR) spectroscopy, ultraviolet–visible (UV–vis) absorption spectroscopy and photoluminescence (PL) measurements have been employed to characterize this material. The structure, surface morphology, chemical composition and optical properties were investigated as function of precursor. In order to complement experimental results, first principles calculations at DFT level were carried out in order to obtain the relative stability of the proposed intermediates along the formation mechanism. - See more at: http://www.eurekaselect.com/117237/article#sthash.GzvnCBTB.dpuf

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A shift of the photoluminescence (PL) emission was observed in ZnS prepared by microwave assisted solvothermal method with the increase of the time in microwave. In this work we reported a study of the optical behavior linking with the structural disorder according to XRD and FEG-TEM results. The reduction of intrinsic defects in the lattice is responsible for the decrease of electronic levels in the band gap changing the PL profile. This effect was confirmed by electronic structure calculations.

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We present a systematic investigation of the nature and strength of the hydrogen bonding in HX···HX and CH3X…HX (X = Br, Cl and F) dimers using ab initio MP2/aug-cc-pVTZ calculations in the framework of the quantum theory of atoms in molecules (QTAIM) and electron localisation functions (ELFs) methods. The electron density of the complexes has been characterised, and the hydrogen bonding energy, as well as the QTAIM and ELF parameters, is consistent, providing deep insight into the origin of the hydrogen bonding in these complexes. It was found that in both linear and angular HX…HX and CH3X…HX dimers, F atoms form stronger HB than Br and Cl, but they need short (∼2 Å) X…HX contacts.

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Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

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