Avaliação da carga viral do virus da hepatite C em diferentes compartimentos biológicos: influência na predição da recidiva virológica

Pós-graduação em Pesquisa e Desenvolvimento (Biotecnologia Médica) - FMB

Caracterização de superfícies de vidros expostas a vapores de KNO3

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Obtenção de filmes finos supercondutores do sistema BSCCO dopados com prata

Pós-graduação em Ciência dos Materiais - FEIS

Tratamentos físico-químicos de bagaço de cana para produção de etanol por meio de hidrólise enzimática

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Estudo e transformação química de biopolímeros a base de quitina e quitosana para preparação de materiais com diversas propriedades

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Abertura de capital como estratégia de gestão jurídica e financeira de empresas do setor sucroalcooleiro

Pós-graduação em Direito - FCHS

Resposta do perifíton aos pulsos de enriquecimento em níveis crescentes de fósforo e nitrogênio em represa tropical mesotrófica (Lago das Ninféias, São Paulo)

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Avaliação sazonal dos efeitos do enriquecimento por N e P sobre o perifíton em represa tropical rasa mesotrófica (Lago das Ninféias, São Paulo)

Pós-graduação em Ciências Biológicas (Biologia Vegetal) - IBRC

Eletrônica molecular via método híbrido DFT/FGNE em anéis fenilas acoplados a eletrodos metálicos de nanotubos de carbono: a regra de conformação e quiralidade molecular

Nesta tese, investigamos detalhadamente as propriedades de transporte eletrônico, conformacional e de simetria de estruturas de Nanotubos de Carbono de Parede Simples zigzag (9,0), NCPS zz9, acopladas a anéis fenilas (2, 3, 4 e 5) sob influência de campo elétrico externo (voltagem) via método híbrido da Teoria do Funcional Densidade (DFT) do tipo B3LYP 6-311G(d,p) combinado com Função de Green de Não Equilíbrio (FGNE) e Teoria de Grupo. Verificamos uma boa relação entre: 1- o índice quiral () por Teoria de Grupo e a lei do cos2 (, ângulo diedral) por geometria sob a influência de campo elétrico externo, pois  só depende das posições atômicas (), das conformações, e também está fortemente correlacionada a corrente que passa através do sistema; 2- a condutância normalizada (G/Go) é proporcional a cos2 na região do gap (EHOMO-ELUMO), isto é, nas regiões onde ocorre a ressonância e a resistência diferencial negativa (RDN); 3- o gráfico Fowler-Northeim (FN) exibe mínimo de voltagem (Vmin) que ocorre sempre que a cauda de um pico de transmissão ressonante entra na janela de voltagem, isto é, quando nessas estruturas ocorre uma RDN, pois o número de RDN na curva I-V está associado ao número de Vmin no gráfico FN e pode ser explicado pelo modelo de transporte molecular coerente; 4- a altura da barreira (EF - EHOMO e ELUMO - EF) como função do comprimento molecular; 5- Vmin como função da altura da barreira (EF - EHOMO) e do comprimento molecular. Assim, 1 implica que a conformação molecular desempenha um papel preponderante na determinação das propriedades de transporte da junção; 2 sugere que a lei do cos2 tem uma aplicabilidade mais geral independentemente da natureza dos eletrodos; 3 serve como um instrumento espectroscópico e também para identificar a molécula na junção; 4 e 5 a medida que o comprimento molecular atinge um certo valor (1,3nm) o Vmin permanece praticamente inalterado. Os resultados mostraram que as propriedades estruturais sofrem alterações significativas com o aumento da voltagem que estão em boa concordância com os valores encontrados na literatura. O comportamento das curvas IxV e G/GoxV perdem sua dependência linear para dar origem a um comportamento não linear com aparecimento de RDN. Tal ponto revela a modificação estrutural sofrida pelo sistema. A curva IxV confirmou as afirmações que foram feitas através da análise estrutural para o sistema considerado e mostrou como se dá o fluxo de carga nos sistemas analisados.

Filmes finos ferroelétricos do tipo PBCT, PBST e PCST: estudo experimental e teórico

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Increment of Antimycobaterial Activity on Lichexanthone Derivatives

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

De poeta a editor de poesia: a trajetória de Machado de Assis para a formação de suas Poesias Completas

Pós-graduação em Letras - FCLAS

Crystallization and preliminary X-ray diffraction studies of an L-amino-acid oxidase from Lachesis muta venom

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Tailoring the refractive index of Ge-S based glass for 3D embedded waveguides operating in the mid-IR region

The photosensitivity of GeSx binary glasses in response to irradiation to femtosecond pulses at 800 nm is investigated. Samples with three different molecular compositions were irradiated under different exposure conditions. The material response to laser exposure was characterized by both refractometry and micro-Raman spectroscopy. It is shown that the relative content of sulfur in the glass matrix influences the photo-induced refractive index modification. At low sulfur content, both positive and negative index changes can be obtained while at high sulfur content, only a positive index change can be reached. These changes were correlated with variations in the Raman response of exposed glass which were interpreted in terms of structural modifications of the glass network. Under optimized exposure conditions, waveguides with positive index changes of up to 7.8x10−3 and a controllable diameter from 14 to 25 μm can be obtained. Direct inscription of low insertion losses (IL = 3.1 – 3.9 dB) waveguides is demonstrated in a sample characterized by a S/Ge ratio of 4. The current results open a pathway towards the use of Ge-S binary glasses for the fabrication of integrated mid-infrared photonic components.

Análise das condições de acessibilidade no ensino superior: estudo com pós-graduandos

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)