Growth of Al2O3 thin film by oxidation of resistively evaporated Al on top of SnO2, and electrical properties of the heterojunction SnO2/Al2O3

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Effect of pH of colloidal suspension on crystallization and activation energy of deep levels in SnO2 thin films obtained via sol-gel

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Evaluation of Bulk and Surfaces Absorption Edge Energy of Sol-Gel-Dip-Coating SnO2 Thin Films

The absorption edge and the bandgap transition of sol-gel-dip-coating SnO2 thin films, deposited on quartz substrates, are evaluated from optical absorption data and temperature dependent photoconductivity spectra. Structural properties of these films help the interpretation of bandgap transition nature, since the obtained nanosized dimensions of crystallites are determinant on dominant growth direction and, thus, absorption energy. Electronic properties of the bulk and (110) and (101) surfaces are also presented, calculated by means of density functional theory applied to periodic calculations at B3LYP hybrid functional level. Experimentally obtained absorption edge is compared to the calculated energy band diagrams of bulk and (110) and (101) surfaces. The overall calculated electronic properties in conjunction with structural and electro-optical experimental data suggest that the nature of the bandgap transition is related to a combined effect of bulk and (101) surface, which presents direct bandgap transition.

Theoretical analysis of the energy levels induced by oxygen vacancies and the doping process (Co, Cu and Zn) on SnO2 (110) surface models

Density functional calculation at B3LYP level was employed to study the surface oxygen vacancies and the doping process of Co, Cu and Zn on SnO2 (110) surface models. Large clusters, based on (SnO2)(15) models, were selected to simulate the oxidized (Sn15O30), half-reduced (Sn15O29) and the reduced (Sn15O28) surfaces. The doping process was considered on the reduced surfaces: Sn13Co2O28, Sn13Cu2O28 and Sn13Zn2O28. The results are analyzed and discussed based on a calculation of the energy levels along the bulk band gap region, determined by a projection of the monoelectron level structure on to the atomic basis set and by the density of states. This procedure enables one to distinguish the states coming from the bulk, the oxygen vacancies and the doping process, on passing from an oxidized to a reduced surface, missing bridge oxygen atoms generate electronic levels along the band gap region, associated with 5s/5p of four-/five-fold Sn and 2p of in-plane O centers located on the exposed surface, which is in agreement with previous theoretical and experimental investigations. The formation energy of one and two oxygen vacancies is 3.0 and 3.9 eV, respectively. (C) 2001 Elsevier B.V. B.V. All rights reserved.

Periodic study on the structural and electronic properties of bulk, oxidized and reduced SnO2(110) surfaces and the interaction with O-2

The structural and electronic properties of bulk and both oxidized and reduced SnO2(110) surfaces as well as the adsorption process of O-2 on the reduced surface have been investigated by periodic DFT calculations at B3LYP level. The lattice parameters, charge distribution, density of states and band structure are reported for the bulk and surfaces. Surface relaxation effects have been explicitly taken into account by optimizing slab models of nine and seven atomic layers representing the oxidized and reduced surfaces, respectively. The conductivity behavior of the reduced SnO2(110) surface is explained by a distribution of the electrons in the electronic states in the band gap induced by oxygen vacancies. Three types of adsorption approaches of O-2 on the four-fold tin at the reduced SuO(2)(110) surface have been considered. The most exothermic channel corresponds to the adsorption of O-2 parallel to the surface and to the four-fold tin row, and it is believed to be associated with the formation of a peroxo O-2(2-) species. The chemisorption of O-2 on reduced SnO2(110) surface causes a significant depopulation of states along the band gap and it is shown to trap the electrons in the chemisorbed complex producing an electron-depleted space-charge layer in the inner surface region of the material in agreement with some experimental evidences. (C) 2002 Elsevier B.V. B.V. All rights reserved.

Comparison of non-Ohmic accelerated ageing of the ZnO- and SnO2-based voltage dependent resistors

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

The influence of area/volume ratio on microstructure and non-Ohmic properties of SnO2-based varistor ceramic blocks

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Influence of degradation on the electrical conduction process in ZnO and SnO2-based varistors

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Influence of thermal annealing treatment in oxygen atmosphere on grain boundary chemistry and non-ohmic properties of SnO2 center dot MnO polycrystalline semiconductors

The present work studied the influence of thermal treatment in oxygen rich atmosphere on heterogenous junctions in Mn-doped SnO2 polycrystalline system presenting varistor behavior. The samples were prepared by conventional oxide mixture methodology, and were submitted to heat treatment in oxygen rich atmosphere at 900 degrees C for 2h. The samples were characterized by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, dc and ac electrical measurements. The results showed that there is an evident relationship between the microstructure heterogeneity and non-ohmic electrical properties. It was found that for this SnO2 center dot MnO-based varistor system the heat treatment in oxygen rich atmosphere does not necessarily increase the varistors properties, which was related to the decrease in the grain boundary resistance. The results are compared with Co-doped SnO2 varistors and ZnO based varistors. (C) 2008 WILEY-VCH Verlay GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Carbon-coated SnO2 nanobelts and nanoparticles by single catalytic step

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Produção e validação de um indicador de saúde bucal para idosos a partir de dados secundários do SB Brasil 2010

Dentre os vários aspectos da saúde do idoso, a saúde bucal merece atenção especial pelo fato de que, historicamente, nos serviços odontológicos, não se considera esse grupo populacional como prioridade de atenção. Por isso, se faz necessária a produção de um indicador multidimensional capaz de mensurar todas as alterações bucais encontradas em um idoso, facilitando a categorização da saúde bucal como um todo. Tal indicador representará um importante instrumento capaz de elencar prioridades de atenção voltadas à população idosa. Portanto, o estudo em questão propõe a produção e validação de um indicador de saúde bucal a partir dos dados secundários coletados pelo projeto SB Brasil 2010 referente ao grupo etário de 65 a 74 anos. A amostra foi representada pelos 7619 indivíduos do grupo etário de 65 a 74 anos que participaram da pesquisa nas 5 (cinco) regiões do Brasil. Tais indivíduos foram submetidos à avaliação epidemiológica das condições de saúde bucal, a partir dos índices CPO-d, CPI e PIP. Além disso, verificou-se o uso e necessidade de prótese, bem como características sociais, econômicas e demográficas. Uma análise fatorial identificou um número relativamente pequeno de fatores comuns, através da análise de componentes principais. Após a nomenclatura dos fatores, foi realizada a soma dos escores fatoriais por indivíduo. Por último, a dicotomização dessa soma nos forneceu o indicador de saúde bucal proposto. Para esse estudo foram incluídas na análise fatorial 12 variáveis de saúde bucal oriundas do banco de dados do SB Brasil 2010 e, também 3 variáveis socioeconômicas e demográficas. Com base no critério de Kaiser, observa-se que foram retidos cinco fatores que explicaram 70,28% da variância total das variáveis incluídas no modelo. O fator 1 (um) explica sozinho 32,02% dessa variância, o fator 2 (dois) 14,78%, enquanto que os fatores 3 (três), 4 (quatro) e 5 (cinco) explicam 8,90%, 7,89% e 6,68%, respectivamente. Por meio das cargas fatoriais, o fator um foi denominado dente hígido e pouco uso de prótese , o dois doença periodontal presente , o três necessidade de reabilitação , já o quarto e quinto fator foram denominados de cárie e condição social favorável , respectivamente. Para garantir a representatividade do indicador proposto, realizou-se uma segunda análise fatorial em uma subamostra da população de idosos investigados. Por outro lado, a aplicabilidade do indicador produzido foi testada por meio da associação do mesmo com outras variáveis do estudo. Por fim, Cabe ressaltar que, o indicador aqui produzido foi capaz de agregar diver sas informações a respeito da saúde bucal e das condições sociais desses indivíduos, traduzindo assim, diversos dados em uma informação simples, que facilita o olhar dos gestores de saúde sobre as reais necessidades de intervenções em relação à saúde bucal de determinada população

Obtenção e caracterização de filmes SnO2 depositados em vidro borosilicato por silk-screen modificado: SnCl2.2H2O como precursor

O presente trabalho tem como objetivo investigar as características de filmes de SnO2 depositados em substrato de vidro borosilicato por um processo de silk-screen modificado para obtenção de espessura fina compatível com a aplicação em células solares policristalinas de baixo custo. O filme de SnO2 é um dos mais apropriados para obtenção de vidro TCO (transparent conductive oxide) para uso em células solares devido a sua baixa resistividade elétrica e alta transmitância, sendo quimicamente inerte, mecanicamente duro e tem resistência a altas temperaturas, o que facilita então a calcinação das amostras entre 500º C a 550º C. Os filmes foram obtidos a partir de uma solução precursora básica, preparada pela dissolução de SnCl2.2H2O em Etanol (99,5 %). Foi realizado um planejamento fatorial 2(3-1) para analisar a influência dos parâmetros concentração da solução precursora (CETN), temperatura de calcinação (TC) e taxa de aquecimento (tX) na calcinação, sendo a concentração CETN o parâmetro que apresentou maior efeito sobre os parâmetros de respostas investigados: espessura do filme (ω), resistividade de superfície (ρ) e a transmitância relativa (θ). Foi possível obter com a metodologia utilizada, filmes com espessuras da ordem de 1 Nm com resistividade de superfície de 10 / e transmitância relativa entre 70 e 80 %.

Interface Formation and Electrical Transport in SnO2:Eu3+/GaAs Heterojunction Deposited by Sol-Gel Dip-Coating and Resistive Evaporation

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Schottky emission in nanoscopically crystallized Ce-doped SnO2 thin films deposited by sol-gel-dip-coating

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Estudo da corrosão de cadinhos de SnO2-ZnO, na fusão de vidros contendo metais pesados

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)