高电荷态离子~(129)Xe~(28+)与Au和Mo表面作用产生的X射线谱

研究了高电荷态离子129Xe28+轰击金属Au和Mo表面产生的特征X射线谱。实验结果表明,在入射离子的电荷态和能量相同的条件下,对于核电荷数较小、原子质量较轻的靶原子,只有其内壳层的电子才能被激发而产生X射线,而核电荷数较大、原子质量较重的靶原子只有其较外壳层的电子能被激发而产生X射线。特征X射线的产额随入射离子动能的增加而增加。

高电荷态离子~(129)Xe~(q+)激发Au表面产生的X射线谱

目的研究高电荷态离子129Xeq+(q=28,29,30)入射金属Au表面产生的特征X射线谱。方法应用高电荷态离子束流激发。结果在束流强度小于139 nA条件下,单离子的X射线产额可达10-8量级,特征X射线的产额随入射离子的动能和势能(电荷态)的增加而增加。结论与传统的X射线产生方法不同,高电荷态离子可以激发重原子的内壳层特征X射线谱,其产额高,品质好。

~(129)Xe~(q+)入射金属表面激发的X射线谱

用高电荷态离子129Xeq+(q=25,26,27)轰击金属Au表面,产生Au原子的特征X射线谱.实验结果表明,足够高的电荷态低速离子激发靶表面原子,无需很强的束流强度(nA量级),便可有效地产生重原子的特征X谱线(Au,Mα),单离子X射线产额可达10-8量级,特征X射线的产额随入射离子的动能和势能(电荷态)的增加而增加.通过Au原子Mα的特征X射线谱,利用Heisenberg不确定关系对Au原子的第N能级寿命进行了估算.

短寿命缺中子同位素~(130,129,128)Ce的(EC+β~+)衰变

首次报道130Ce、129Ce和128Ce的(EC+β+)衰变纲图,其中包括核素的产生、核素的分离鉴别以及纲图的建立。着重补充了一些重要的技术细节,更新了129Ce的衰变纲图,并对这些纲图中涉及的物理问题进行了讨论。

进一步指认近质子滴线核~(129)Pm的衰变

20 0 4年曾报道过利用4 0 Ca + 92 Mo融合蒸发反应产生了近质子滴线新核素12 9Pm ,并首次观测到它 (EC + β+)衰变产生的能量为 99keV的γ射线 .为了进一步确认上述指认 ,以下提供了三方面的新证据 :1)在 16 4— 190MeV能量范围内测量了 99keV衰变γ射线的激发函数 ;2 )进行了交叉反应36 Ar + 96 Ru的实验 ,观察到了相同的 99keV衰变γ射线 ;3)用Woods SaxonStrutinsky方法计算了12 9Pm的核势能面 ,其基态自旋宇称被预言为 5 / 2 - ,所以12 9Pm的 (EC + β+)衰变有利于馈送到子核12 9Nd的 5 / 2 - 的低位态 ,这也与前期报道相符 .

Assessment of I-129 measurement at low MV tandem voltages

IEECAS SKLLQG

~(129)Xe~(30+)轰击Ni表面激发靶原子偶极跃迁和禁戒(M1和E2)跃迁的特征光谱线

报道了用高电荷态离子1 2 9Xe30 + (15 0keV)轰击金属Ni表面 ,激发的 2 0 0— 10 0 0nmNiⅠ和NiⅡ的特征光谱线的实验结果 .实验结果表明 :用电荷态足够高的离子作光谱激发源 ,无需很强的束流强度 (nA量级 ) ,便可有效地产生原子和离子的复杂组态间跃迁所形成的可见光波段的特征谱线 ,特别是NiⅠ和NiⅡ偶极禁戒的电四极跃迁E2和磁偶极跃迁M1的特征光谱线 .通过分析发现 ,在禁戒跃迁的谱线中 ,有些是电子组态相同而原子态不同的偶极禁戒跃迁光谱线而且NiⅡ的 6 84 84nm谱线较强

质子滴线附近的新核素~(129)Pm

通过重离子引起的融合蒸发反应 92 Mo (40 Ca ,p2n)合成了稀土区未知核素 12 9Pm ,并且配合氦喷嘴快速带传输系统利用X γ符合方法对它进行了首次鉴别 .实验观测到了经 12 9Pm的 (EC +β+ )衰变产生的对应于子核 12 9Nd中 5 2 -→ 1 2 -跃迁的一条 99keVγ线 .根据这条 99keVγ线的时间衰变曲线 ,提取出 12 9Pm的半衰期为 (2 .4± 0 .6 )s .

缺中子核素~(129)Ce的(EC/β~+)衰变

利用 10 2MeV16O6+束轰击同位素靶117Sn ,通过熔合蒸发 4n反应产生核素12 9Ce.由氦喷嘴快速带传输系统将反应产物送到低本底区 .通过化学分离来制备待测的Ce样品 ,与此同时用16O束轰击117Sn的两种相邻的同位素靶118Sn和116Sn ,并比较上述 3种反应中的产物来进一步区分元素Ce的不同的同位素 .结果一种半衰期为 4.1min的活性被鉴定为12 9Ce.基于X -γ -t和γ -γ -t符合测量 ,建议了包括 5 1条射线在内的12 9Ce的 (EC/ β+)衰变纲图 .其中 ,12 9Ce基态直接馈送到12 9La基态的份额 ( 2 6± 7) %是用观测到的12 9La衰变的 2 78.6keV的γ射线的生长和衰变曲线估计出来的 .另外还给出了用La Kα X射线和6 8.2keVγ射线开门的γ谱以及典型的衰变γ射线的时间谱