Directly-modulated DS-DBR tunable laser for uncooled C-band WDM system

A tunable DS-DBR laser is demonstrated for uncooled WDM C-band channel generation with tight spacing (SOGHz) and low thermal drift (±2.5GHz) up to 70°C. 2.5Gb/s direct modulation with transmission over a 75km link is achieved. © 2000 Optical Society of America.

Estudio de la conservación in vitro a tasas minimas de crecimiento en piña (Ananas comosus L.) mediante el efecto de osmoreguladores y la dilucion de las sales Murashige y Skoog (1962) a temperaturas de 24ºC y 16 ºC

En el presente estudio se necesitó establecer explantes de piña (Ananas comosus L.) del cultivar Cayena lisa, de los cuales se utilizaron yemas apicales y axilares seleccionadas por su buen estado fisiológico y morfológico. Estas se establecieron en condiciones in vitro utilizando el medio de cultivo básico Murashige & Skoog MS (1962), suplementado con 2 mg/1 de 6-Bencil aminopurina (6-BAP) y 0.02 mg/1 de ácido naftalen acético (ANA) en condiciones controladas de temperatura, humedad relativa e intensidad lumínica. Una vez que se logró micropropagar la cantidad de explantes necesarios para la conservación, se procedió a la aplicación de los inhibidores del crecimiento (manito!y sorbitol) en concentraciones de 10, 20 y 30 g/1 y de la dilución de las sales MS al 25, 50 y 75%, interactuando con temperaturas de 24 oc y 16 oc. A los 120 días de haber permanecido las yemas axilares en las diferentes variantes de medios de cultivo sujetas a estudio, se observó mayor deterioro fisiológico y morfológico de las plántulas en los tratamientos con 1O, 20 y 30 g/1 demanitol y sorbitol. En las variables altura, número de hojas y color de las hojas se experimentaron menores incrementos mensuales, sin embargo se registraron mayores daños, especialmente en las hojas, las cuales presentaron un mayor porcentaje con color verde clorótico a temperaturas de 24ºc de 16 °C. La sobrevivencia fue mayor a temperatura de 16ºc, por el contrario en las diluciones de las sales MS el deterioro fisiológico y morfológico de lasplántulas fue menor, observándose mayor sobrevivencia, presentando mayores porcentajes de coloración verde oscuro y un pequeño porcentaje de plántulas atípicas a temperaturas de 24 °C y 16 °C. También fue notoria la presencia deplántulas atípicas en el manito! y sorbitol a temperatura de 24 °C. Únicamente en el tratamiento a 30 g/1 de sorbitol se observó el fenómeno de vitrificación a temperatura de 24ºc en un 15%. Las diluciones de las sales indujeron mejores resultados en altura, número de hojas y color de las hojas en ambas temperaturas, sus características fenotípicas y genotípicas se mantuvieron iguales a pesar de la reducción del crecimiento

First human hNT neurons patterned on parylene-C/silicon dioxide substrates: Combining an accessible cell line and robust patterning technology for the study of the pathological adult human brain

In this communication, we describe a new method which has enabled the first patterning of human neurons (derived from the human teratocarcinoma cell line (hNT)) on parylene-C/silicon dioxide substrates. We reveal the details of the nanofabrication processes, cell differentiation and culturing protocols necessary to successfully pattern hNT neurons which are each key aspects of this new method. The benefits in patterning human neurons on silicon chip using an accessible cell line and robust patterning technology are of widespread value. Thus, using a combined technology such as this will facilitate the detailed study of the pathological human brain at both the single cell and network level. © 2010 Elsevier B.V.

Respuesta en rendimiento, proteína y calibre de la cebada cervecera a la fertilización nitrogenada y a la aplicación de fungicida en Barrow, provincia de Buenos Aires

Resumen: El uso correcto de las tecnologías de insumos durante el cultivo de cebada cervecera es fundamental por la estricta demanda de calidad por parte de la industria. El objetivo de este ensayo fue evaluar el rendimiento y calidad de la cebada cervecera, variedad Andreia, ante distintas dosis de fertilizantes y fungicidas en los diferentes estadios del cultivo. Se realizó un diseño en bloques completos distribuidos al azar, con 4 repeticiones y 5 tratamientos: 1-Testigo, 2- 80 kg N ha -1 en presiembra, 3- 80 kg N ha -1 en presiembra y 20 kg N ha -1 en hoja bandera, 4- 80 kg N ha -1 en presiembra y 20 kg N ha -1 en hoja bandera junto con aplicación de fungicida, 5- 80 kg N ha -1 en presiembra, mas fungicida en principio de encañazón y 20 kg N ha -1 junto con la segunda aplicación del fungicida. Con respecto a los resultados obtenidos, en ninguna de las variables analizadas se encontraron diferencias significativas (p-valor<0,10) entre tratamientos. En el ensayo, el rendimiento promedio obtenido fue de 6089 kg ha -1. En cuanto a la calidad, el promedio del ensayo para la variable proteína fue del 11,6% y 81,8% para calibre. El motivo de estos resultados responden a las condiciones en que se desarrolló el cultivo, en donde a pesar del año (campaña 2013/2014) muy seco en relación al promedio histórico, las lluvias en el cultivo fueron suficientes, que, sumado a la buena disponibilidad de nutrientes a la siembra y a la nula incidencia de enfermedades foliares, reflejó los buenos rindes en general del ensayo, acompañado por los valores óptimos proteicos, pero no así en lo relacionado con el calibre, el cual no llegó a cumplir con los estándares requeridos para su comercialización.

Low-temperature (≤600 °C) semi-insulating oxygen-doped silicon films by the PECVD technique for large-area power applications

This work describes the deposition, annealing and characterisation of semi-insulating oxygen-doped silicon films at temperatures compatible with polysilicon circuitry on glass. The semi-insulating layers are deposited by the plasma enhanced chemical vapour deposition technique from silane (SiH4), nitrous oxide (N2O) and helium (He) gas mixtures at a temperature of 350 °C. The as-deposited films are then furnace annealed at 600 °C which is the maximum process temperature. Raman analysis shows the as-deposited and annealed films to be completely amorphous. The most important deposition variable is the N2O SiH4 gas ratio. By varying the N2O SiH4 ratio the conductivity of the annealed films can be accurately controlled, for the first time, down to a minimum of ≈10-7Ω-1cm-1 where they exhibit a T -1 4 temperature dependence indicative of a hopping conduction mechanism. Helium dilution of the reactant gases is shown to improve both film uniformity and reproducibility. A model for the microstructure of these semi-insulating amorphous oxygen-doped silicon films is proposed to explain the observed physical and electrical properties. © 1995.

La problemática del cambio en los proyectos de desarrollo para S. C. de Bariloche : (1930- 1943)

El objetivo principal es analizar las diferentes concepciones en torno al cambio en el ámbito local y regional de San Carlos de Bariloche durante la década considerada paradigmática por la historiografía general, esto es la de la década de 1930, período que contiene la llegada de la institución que se erige como marca de identidad local, la Dirección de Parques Nacionales (en adelante, DPN). Para esto se plantean los siguientes objetivos específicos: a) Diseñar una indagación desde tres perspectivas: la del Estado Nacional, materializada en la presencia de Parques Nacionales1 y su primer presidente Exequiel Bustillo; la de la localidad barilochense, encarnada en la figura del Ingeniero Emilio Frey; y la del coronel José María Sarobe, quien trae a colación una visión regional patagónica integral a la luz de proyectos de desarrollo precedentes. b) Realizar un relevamiento de fuentes vinculadas a estas tres perspectivas que abrevan en: memorias personales, publicaciones oficiales, documentación local, prensa y publicaciones específicas en torno a la región. c) Analizar cada conjunto de fuentes. d) Integrar las distintas perspectivas a fin de avanzar hacia un análisis complejo de la problemática.

High rate deposition of ta-C:H using an electron cyclotron wave resonance plasma source

A compact electron cyclotron wave resonance (ECWR) source has been developed for the high rate deposition of hydrogenated tetrahedral amorphous carbon (ta-C:H). The ECWR provides growth rates of up to 1.5 nm/s over a 4-inch diameter and an independent control of the deposition rate and ion energy. The ta-C:H was deposited using acetylene as the source gas and was characterized as having an sp3 content of up to 77%, plasmon energy of 27 eV, refractive index of 2.45, hydrogen content of about 30%, optical gap of up to 2.1 eV and RMS surface roughness of 0.04 nm. © 1999 Elsevier Science S.A. All rights reserved.

High rate deposition of Ta-C:H using an electron cyclotron wave resonance plasma source

A compact electron cyclotron wave resonance (ECWR) source has been developed for the high rate deposition of hydrogenated tetrahedral amorphous carbon (ta-C:H). The ECWR provides growth rates of up to 900 angstrom/min and an independent control of the deposition rate and ion energy. The ta-C:H was deposited using acetylene as the source gas and was characterized in terms of its bonding, stress and friction coefficient. The results indicated that the ta-C:H produced using this source fulfills the necessary requirements for applications requiring enhanced tribological performance.

The preparation, characterization and tribological properties of TA-C : H deposited using an electron cyclotron wave resonance plasma beam source

A compact electron cyclotron wave resonance (ECWR) source has been developed for the high rate deposition of hydrogenated tetrahedral amorphous carbon (ta-C:H). The ECWR provides growth rates of up to 900 Å/min over a 4″ diameter and an independent control of the deposition rate and ion energy. The ta-C:H was deposited using acetylene as the source gas and was characterized in terms of its sp3 content, mass density, intrinsic stress, hydrogen content, C-H bonding, Raman spectra, optical gap, surface roughness and friction coefficient. The results obtained indicated that the film properties were maximized at an ion energy of approximately 167 eV, corresponding to an energy per daughter carbon ion of 76 eV. The relationship between the incident ion energy and film densification was also explained in terms of the subsurface implantation of carbon ions into the growing film.

Chemical sputtering of ta-C: Implications for the deposition of carbon nitride

The majority of attempts to synthesize the theoretically predicted superhard phase β-C3N4 have been driven towards the use of techniques which maximize both the carbon sp3 levels and the amount of nitrogen incorporated within the film. However, as yet no attempt has been made to understand the mechanism behind the resultant chemical sputter process and its obvious effect upon film growth. In this work, however, the chemical sputtering process has been investigated through the use of an as-deposited tetrahedrally bonded amorphous carbon film with a high density nitrogen plasma produced using an rf-based electron cyclotron wave resonance source. The results obtained suggested the presence of two distinct ion energy dependent regimes. The first, below 100 eV, involves the chemical sputtering of carbon from the surface, whereas the second at ion energies in excess of 100 eV exhibits a drop in sputter rate associated with the subplantation of nitrogen within the carbon matrix. Furthermore, as the sample temperature is increased there is a concomitant decrease in sputter rate suggesting that the rate is controlled by the adsorption and desorption of additional precursor species rather than the thermal desorption of CN. A simple empirical model has been developed in order to elucidate some of the primary reactions involved in the sputter process. Through the incorporation of various previously determined experimental parameters including electron temperature, ion current density, and nitrogen partial pressure the results indicated that molecular nitrogen physisorbed at the ta-C surface was the dominant precursor involved in the chemical sputter process. However, as the physisorption enthalpy of molecular nitrogen is low this suggests that activation of this molecular species takes place only through ion impact at the surface. The obtained results therefore provide important information for the modeling and growth of high density carbon nitride. © 2001 American Institute of Physics.

Properties of a-C:H films deposited from a methane electron cyclotron wave resonant plasma

An electron cyclotron wave resonant methane plasma discharge was used for the high rate deposition of hydrogenated amorphous carbon (a-C:H). Deposition rates of up to ∼400 Å/min were obtained over substrates up to 2.5 in. in diameter with a film thickness uniformity of ∼±10%. The deposited films were characterised in terms of their mass density, sp3 and hydrogen contents, C-H bonding, intrinsic stress, scratch resistance and friction properties. The deposited films possessed an average sp3 content, mass density and refractive index of ∼58%, 1.76 g/cm3 and 2.035 respectively.Mechanical characterisation indicated that the films possessed very low steady-state coefficients of friction (ca. 0.06) and a moderate shear strength of ∼141 MPa. Nano-indentation measurements also indicated a hardness and elastic modulus of ∼16.1 and 160 GPa respectively. The critical loads required to induce coating failure were also observed to increase with ion energy as a consequence of the increase in degree of ion mixing at the interface. Furthermore, coating failure under scratch test conditions was observed to take place via fracture within the silicon substrate itself, rather than either in the coating or at the film/substrate interface. © 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.

Isolating single primary rat hippocampal neurons and astrocytes on ultra-thin patterned parylene-C/silicon dioxide substrates

We report here the patterning of primary rat neurons and astrocytes from the postnatal hippocampus on ultra-thin parylene-C deposited on a silicon dioxide substrate, following observations of neuronal, astrocytic and nuclear coverage on strips of different lengths, widths and thicknesses. Neuronal and glial growth was characterized 'on', 'adjacent to' and 'away from' the parylene strips. In addition, the article reports how the same material combination can be used to isolate single cells along thin tracks of parylene-C. This is demonstrated with a series of high magnification images of the experimental observations for varying parylene strip widths and thicknesses. Thus, the findings demonstrate the possibility to culture cells on ultra-thin layers of parylene-C and localize single cells on thin strips. Such work is of interest and significance to the Neuroengineering and Multi-Electrode Array (MEA) communities, as it provides an alternative insulating material in the fabrication of embedded micro-electrodes, which can be used to facilitate single cell stimulation and recording in capacitive coupling mode. © 2010 Elsevier Ltd.

Influencia de dos cultivos antecesores y control de malezas sobre la cenosis y el crecimiento, desarrollo y rendimiento del tomate (Lycopersicon esculentum L.) c.v UC-82

El ensayo se realizó a partir de Diciembre de 1989 hasta Abril de 1990, en la Cooperativa "Rubén Duarte", Managua, con el obJetivo de "Determinar la influencia de diferentes cultivos antecesores y métodos de control de malezas sobre el crecimiento. desarrollo y rendimiento en el cultivo del tomate". El experimente se estableció en un diseño de Bloques Completos al azar en parcelas divididas con cuatro repeticiones por tratamientos en estudio. Los resultados indican que la mayor abundancia total de malezas se presentó cuando el cultivo antecesor fue el fríjol, reportandose la menor abundancia total en el control mecánico. El mayor peso seco total de malezas se presentó cuando antecedió el cultivo del frijol siendo mayores en las Poáceas y Dicotiledóneas, en el control con Metribuzin fueron las Poáceas y en el control con FluazHop las Dicotiledóneas. En cuanto a la diversidad se reportó que para ambos cultivos antecesores existió alta diversidad, los métodos de control reportaron alta diversidad al comienzo del ciclo disminuyendo al final del ciclo a excepción del control con FluazHop el cual presentó igual diversidad tanto al inicio como al final del ciclo. Con respecto al comportamiento general de las variables de crecimiento y componentes del rendimiento podemos decir que fue similar, presentando llgeramente diferencias la rotación del frijol - tomate y el control mecánico con azadon.

El arconte de Sicilia y el arconte bosporánico : estados dinásticos helenos a comienzos del siglo V a.C.

Resumen: En un contexto comparativo se van a analizar los motivos que dieron inicio a la aparición de estados monárquicos de gran territorialidad a finales del período arcaico en la periferia de la ecumene, Sicilia y bósporo cimérico. Sobre estas apariciones se va a tratar de presentar algunos argumentos que expliquen, por lo menos en parte, qué condujo a que estas polis se sometan en forma aparentemente voluntaria a un estado monárquico. Como hipótesis se plantea que los cimientos para este desarrollo van a manifestarse a fines del período arcaico como reacción contra procesos externos y/o de tensión social interna. En ese marco, se van a presentar en este trabajo el contexto y los motivos, que puedan arrojar luz sobre las razones que dieron origen y llevaron a la estabilización de estas construcciones políticas.