The effect of interposing nanocrystalline Si(B) P plus layer on the photovoltaic properties of a-Si: H tandem solar cells

Tandem amorphous silicon solar cells have attracted extensive interest because of better performance than single junction counterpart. As n/p junctions play an important role in the current transportation of tandem solar cells, it is important to design and fabricate good n/p junctions.The properties of the n/p junction of amorphous silicon (a-Si) were studied. We investigate the effect of interposing a nanocrystalline p(+) layer between n (top cell) and p (bottom cell) layers of a tandem solar cell. The crystalline volume fraction, the band gap, the conductivity and the grain size of the nanocrystalline silicon (nc-Si) p(+) layer could be modulated by changing the deposition parameters.Current transport in a-Si based n/p ("tunnel") junctions was investigated by current-voltage measurements. The voltage dependence on the resistance (V/J) of the tandem cells was examined to see if n/p junction was ohmic contact. To study the affection of different doping concentration to the properties of the nc-Si p(+) layers which varied the properties of the tunnel junctions, three nc-Si p(+) film samples were grown, measured and analyzed.

An 8-b 1-GSmaples/s CMOS cascaded folding and interpolating ADC

This paper presents an 8-bit low power cascaded folding and interpolating analog-to-digital converter (ADC). A reduction in the number of comparators, equal to the number of times the signal is folded, is obtained. The interleaved architecture is used to improve the sampling rate of the ADC. The circuit including a bandgap is implemented in a 0.18-mu m CMOS technology, and measures 1.47 mm X 1.47 mm (including pads). The simulation results illustrate a conversion rate of 1-GSamples/s and a power dissipation of less than 290mW.

Edge dislocation of b=[001]/2 in the InAs nanostructure on InP(001)

The self-organized InAs/In0.52Al0.48As nanostructure were grown on InP (001) using molecular beam epitaxy (MBE). The nanostructure has been studied using transmission electron microscopy (TEM) and high resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The edge dislocations with the Burgers vector b = ([001]/2) and extending along the [$(110) over bar $] direction are observed. The results show that in the region near an edge dislocation, no InAs wires were formed, while in the regions free of dislocation, wire-like nanostructures were formed. The mechanisms for the formation of the [001]/2 edge dislocations were discussed.

基于AJAX的B/S电子表单填写模式研究

电子表单系统是电子政务建设中重要的一个环节。论述了电子表单系统独立的必要性,调研了几种现有电子表单系统的优缺点,并在此基础上提出一种新型电子表单的框架实现。该电子表单系统提供了一种新型B/S在线填写模式,模式基于AJAX,只需要能支持AJAX的浏览器,不需安装任何附加控件,具有方便快捷的特点。利用AJAX进行数据传输,能有效地节省带宽,节省用户等待时间,并能给用户进行表单填写提供一个友好灵活的操作界面。

PS-b-PEO嵌段共聚物薄膜的结晶与微相分离

半结晶性嵌段共聚物中，嵌段间的不相容性导致的微相分离与结晶嵌段的结晶行为之间存在相互竞争与协同作用。现阶段的大部分工作主要集中于半结晶性嵌段共聚物相分离发生后的结晶行为的结晶动力学和内部链折叠，而对于结晶与微相分离同时发生时的结晶与微相分离行为的研究还较少。 本论文以半结晶性的聚苯乙烯和聚环氧乙烷的二嵌段共聚物（PS-b-PEO）薄膜为研究对象，研究其破坏性（break out）结晶行为，以及研究方形片晶与微相分离结构的关系。 首先，本论文研究了不同相分离取向对结晶行为的影响。我们通过控制膜厚得到垂直基底和平行基底的微相分离薄膜。在溶剂蒸汽中，微相分离取向垂直基底时，仅仅是有序度增加，片晶协同生成。退火时间增加，结晶成核控制生长向扩散控制生长转变，导致片晶周围树枝晶生长。微相分离结构为平行基底取向时，焓主要用于取向转变和有序度增加，体系没有片晶生成，仅边缘效应使树枝晶产生。在结晶取向方面，研究了溶剂蒸汽氛围内界面作用改变使分子链轴垂直基底（flat-on）结晶向分子链轴平行基底（edge-on）结晶的转变。随着溶剂分子扩散到基底界面，结晶嵌段PEO与基底相互作用从强变弱，是发生这种转变的决定因素。 其次，从片晶与微相分离相互转变和片晶上微相分离刷的形成两方面研究片晶与微相分离的竞争与协同关系。退火溶剂的选择性影响片晶与微相分离的竞争。在PEO不良溶剂蒸汽环己烷中发生以下转变：片晶生成，逐渐被微相分离破坏，片晶重新生成；PEO良溶剂水中仅存在结晶到微相分离的转变。即晶体溶解，与PS发生微相分离以获得能量上的有利状态。可溶解嵌段的自由体积增加和结晶嵌段的低溶胀性分别是微相分离和结晶发生的关键因素。片晶与微相分离协同关系研究上，通过调控二嵌段共聚物片晶上聚合物刷的密度（小于14.3大于3.8），获得具有微相分离结构的聚合物刷。PS-PS刷的弱相互作用以及PS与PEO（连接PEO片层结构未结晶的PEO链）之间的强不相容性对片层上微相分离刷的形成起来决定作用。

新型绿色荧光体ABLa(PO_4)_2:Ce, Tb研究(A = K, Na; B = Mg, Zn)

本工作完成了磷酸盐化合物ABLa(PO_4)_2的合成，这些磷盐均可在900 ℃左右合成；对其进行了结构测试与表征，发现这些磷酸盐属于单斜晶系独居石结构，与LaPO_4同构，具有很相近的晶胞参数；系统地研究了RE~(3+)离子(RE = Ce,Tb,Dy)在ABLa(PO_4)_2基质中的发光与能量传递规律，研究了Ce~(3+)、Tb~(3+)离子发光中心与基质晶格之间的相互作用，计算了这些稀土离子之间能量传递的临界距离Rc(dd)，结果表明ABLa(PO_4)_2基质中Ce~(3+)离子与基质晶格之间的相互作用属于中等程度耦合，Tb~(3+)离子与基质晶格之间的相互作用属于无辐射多声子过程，Ce~(3+)→Ce~(3+)、Ce~(3+)→Tb~(3+)能量迁移临界距离均与LaPO_4中相近，Ce~(3+) → Ce~(3+)相对于Ce~(3+) → Tb~(3+)属于快过程，Ce~(3+) → Ce~(3+)能量传递对ABLa(PO_4)_2:Ce,Tb荧光体的Tb~(3+)绿色发光起了重要的作用，ABLa(PO_4)_2基质是Ce~(3+)，Ce~(3+)-Tb~(3+)，Ce~(3+)-Dy~(3+)的优良发光基质；最后探讨了绿色荧光体ABLa(PO_4)_2:Ce，Tb的调制途径，主要研究了Ce~(3+)、Tb~(3+)离子的浓度效应，掺杂B_2O_3、Dy~(3+)、SiO_2对荧光体发光的影响及NH_4Cl的作用，结果表明Ce~(3+)、Tb~(3+)离子的适宜浓度分别为0.2～0.5和0.08～0.2，掺杂适量的B_2O_3、Dy~(3+)能很好地提高荧光体的发光，掺杂SiO_2、NH_4Cl不利荧光体发光。

用NMR、FT-IR、DSC和AFM的方法研究PP-b-PE的结构与性能

聚丙烯是一种优异的高分子材料，但其低温抗冲击性能欠佳，因而限制了其应用范围。采用PP与PE嵌段共聚来改善PP的抗冲击性能是世界上目前行之有效的方法，因而引起人们的重视。由于聚丙烯嵌段共聚物（PP-b-PE）是由多组分组成的复杂体系，对其组成和链的结构仍不十分清楚。因此，本工作选取国外（6组）和国内（5组）共计11组PP-b-PE样品，分别对其结构、性能及其影响因素进行了研究，为实际应用提供了依据。为了保证能将PP-b-PE中的橡胶成分抽提出来，先将PP-b-PE样品用二甲苯溶解，之后加入甲醇沉淀、过滤、干燥，最后用正庚烷抽提，使得PP-b-PE样品中正庚烷的不可溶物与可溶物完全分离。其中，可溶物即为橡胶，不可溶物为塑料。再利用高温核磁共振谱仪（NMR）、示差扫描量热仪（DSC）和傅立汗卜变换红外谱仪（FT-IR）等先进的分析技术手段进行结构分析，并用原子力显微镜（AFM）观察生产过程中样品的形貌。实验和分析结果表明：在正庚烷可溶物中含有低熔点的聚丙烯和嵌段长度不同且能结晶的聚乙烯；并且还含有属于乙丙无规共聚物橡胶部分的n值小于4的（-CH2-）n结构，以及嵌有结晶性的丙烯和乙烯链节。正庚烷的不可溶物主要为聚丙烯，及少量聚乙烯。对于不同物性的PP-b-PE而言，正庚烷不可溶物决定了其刚性，正庚烷可溶物决定了其韧性，并由其粘度比决定了橡胶在聚丙烯中的分布情况。用AFM来研究PP-b-PE中的橡胶颗粒的分布情况是非常好的分析方法。PP-b-PE样品中橡胶的含量及其组成成分将对PP-b-PE的性能产生很大的影响。国内用浆液法生产的PP-b-PE样品中橡胶含量相对于用液一气相法和气相法生产的要少，但在其正庚烷不可溶物中含有较多的乙烯。从而可以用控制乙烯的含量来改善其抗冲击性能，这是浆液法与液一气相法和气相法的最大区别。液一气相法和气相法生产的PP-b-PE样品中的正庚烷可溶物的含量和结构十分接近。结果表明，本文采用多种不同的先进的分析方法和实验手段对PP-b-PE的结构与性能的研究是一条有效可行的实验途径。