End point of Hawking radiation

The formation and semiclassical evaporation of two-dimensional black holes is studied in an exactly solvable model. Above a certain threshold energy flux, collapsing matter forms a singularity inside an apparent horizon. As the black hole evaporates the apparent horizon recedes and meets the singularity in a finite proper time. The singularity emerges naked, and future evolution of the geometry requires boundary conditions to be imposed there. There is a natural choice of boundary conditions which matches the evaporated black hole solution onto the linear dilaton vacuum. Below the threshold energy flux no horizon forms and boundary conditions can be imposed where infalling matter is reflected from a timelike boundary. All information is recovered at spatial infinity in this case.

Quantum black holes: Nonperturbative corrections and no-veil scenario

A common belief is that further quantum corrections near the singularity of a large black hole should not substantially modify the semiclassical picture of black hole evaporation; in particular, the outgoing spectrum of radiation should be very close to the thermal spectrum predicted by Hawking. In this paper we explore a possible counterexample: in the context of dilaton gravity, we find that nonperturbative quantum corrections which are important in strong-coupling regions may completely alter the semiclassical picture, to the extent that the presumptive spacelike boundary becomes timelike, changing in this way the causal structure of the semiclassical geometry. As a result, only a small fraction of the total energy is radiated outside the fake event horizon; most of the energy comes in fact at later retarded times and there is no problem of information loss. This may constitute a general characteristic of quantum black holes, that is, quantum gravity might be such as to prevent the formation of global event horizons.

Mise en pratique d'un support de cours dans le cadre d'une formation spécialisée en santé au travail à la Faculté des sciences de la santé, Université d'Abomey Calavi, Cotonou, Bénin

La promotion de la santé au travail, le transfert de connaissances et l'échange d'expériences font partie, entre autres, des missions de l'Institut universitaire romand de Santé au Travail (IST). La collaboration entre un pays industrialisé et un pays en voie de développement peut fortement contribuer à la prise de conscience d'un concept important comme celui de la santé au travail. Au Bénin, une formation spécialisée en santé au travail a été mise en place depuis une dizaine d'années. Pour soutenir ses activités de coopération, l'IST a développé, avec le soutien de l'Organisation mondiale de la Santé (OMS) et avec le concours du Service de toxicologie industrielle et des pollutions intérieures de l'Etat de Genève (STIPI), le livre « Introduction à l'hygiène du travail ». Ce document représente un support de cours utile pour former des spécialistes et des intervenants en santé et sécurité au travail qui ne sont pas hygiénistes du travail. Il a été imprimé en 2007 à grande échelle dans la série « Protecting workers' health » de l'OMS et est accessible électroniquement sur le site de l'OMS. Le but de ce travail de diplôme est de mettre en pratique et d'évaluer ce support de cours dans le cadre d'une formation spécialisée en Santé au Travail à la Faculté des Sciences de la Santé de l'Université d'Abomey Calavi à Cotonou, Bénin. Le module d'hygiène du travail a été donné sur une semaine de cours. La semaine était composée de cours théoriques, de visites d'entreprises ainsi que d'un examen d'évaluation en fin de semaine. Globalement, malgré la densité du cours, les messages importants du module ont été acquis. Le support du cours est un outil permettant de transmettre les bases d'une discipline importante dans le domaine de la santé au travail, notamment dans un pays où la législation est encore balbutiante.

Investigation of defect formation and electronic transport in microcrystalline silicon deposited by hot-wire CVD

We have investigated doped and undoped layers of microcrystalline silicon prepared by hot-wire chemical vapour deposition optically, electrically and by means of transmission electron microscopy. Besides needle-like crystals grown perpendicular to the substrate's surface, all of the layers contained a noncrystalline phase with a volume fraction between 4% and 25%. A high oxygen content of several per cent in the porous phase was detected by electron energy loss spectrometry. Deep-level transient spectroscopy of the crystals suggests that the concentration of electrically active defects is less than 1% of the undoped background concentration of typically 10^17 cm -3. Frequency-dependent measurements of the conductance and capacitance perpendicular to the substrate surface showed that a hopping process takes place within the noncrystalline phase parallel to the conduction in the crystals. The parasitic contribution to the electrical circuit arising from the porous phase is believed to be an important loss mechanism in the output of a pin-structured photovoltaic solar cell deposited by hot-wire CVD.